【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于对管芯上电容器进行建模和仿真的系统和方法
技术介绍
[0001]通过改进工艺技术、电路设计、编程算法和制造工艺,将半导体器件缩小到更小的尺寸。半导体制造技术的进步使得芯片能够使用每个晶体管较少的功率,然而,随着器件密度急剧增加,用较新的工艺生产的芯片通常使用较多的功率。另外,增加单个芯片的功能性也可能导致功耗的增加。因此,确保电源完整性对于芯片设计和封装越来越具有挑战性。
技术实现思路
[0002]在本公开内容中描述了用于仿真电力接收电路的方法和用于执行该方法的系统的实施例。
[0003]在一些实施例中,一种用于分析集成电路的方法可以包括对电力接收电路执行第一电阻器电容器(RC,resistor capacitor)提取处理以产生第一RC模型,以及扫描配电网络的网表。配电网络电连接到电力接收电路。该方法还可以包括基于预定标准确定对配电网络的电路元件的选择。该方法还可以包括对电路元件的选择执行第二RC提取处理以产生第二RC模型。该方法还可以包括使用第一RC模型和第二RC模型对电力接收电路和配电网络执行仿真处理。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于分析集成电路的方法,包括:对电力接收电路执行第一电阻器电容器(RC)提取处理并且产生第一RC模型;扫描配电网络的网表,其中,所述配电网络电连接到所述电力接收电路;基于预定标准确定对所述配电网络的电路元件的选择;对所述电路元件的所述选择执行第二RC提取处理并且产生第二RC模型;以及使用所述第一RC模型和所述第二RC模型对所述电力接收电路和所述配电网络执行仿真处理。2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一RC提取处理被配置为排除所述第一RC模型的二阶或更高阶导数。3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第二RC提取处理被配置为排除所述第二RC模型的二阶或更高阶导数。4.根据权利要求1所述的方法,还包括获得所述电力接收电路的操作参数。5.根据权利要求1所述的方法,其中,确定所述电路元件的所述选择包括将电路元件的电容与电容阈值进行比较,其中:响应于所述电容低于所述电容阈值,从所述第二RC提取处理中排除所述电路元件;并且响应于所述电容大于所述电容阈值,在所述第二RC提取处理中包括所述电路元件。6.根据权利要求1所述的方法,其中,对所述电力接收电路执行所述第一RC提取处理包括通过焊盘区域的管芯焊盘执行一阶导数。7.根据权利要求6所述的方法,还包括在所述管芯焊盘的布局上添加一个或多个过孔以类似于电源总线布局。8.根据权利要求1所述的方法,其中,在从约100MHz至约600MHz、或从约600MHz至约1GHz的频谱中执行所述第一RC提取处理。9.一种用于分析集成电路的方法,包括:对电力接收电路执行第一电阻器电容器(RC)提取处理以产生第一RC模型;选择存储器电路和来自配电网络的电路元件组;对选定的所述电路元件组和所述存储器电路执行第二RC提取处理以产生第二RC模型;以及使用所述第一RC模型和所述第二RC模型对所述电力接收电路、所述配电网络和所述存储器电路执行仿真...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙鹏,王玉忠,
申请(专利权)人:长江存储科技有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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