一种高带宽空腔型薄膜体声波谐振器及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种高带宽空腔型薄膜体声波谐振器及其制备方法。该谐振器按照从下向上的顺序依次包括衬底、键合层、底电极、复合压电薄膜和顶电极；其中，所述顶电极、所述复合压电薄膜和所述底电极形成三明治结构；所述复合压电薄膜为若干层压电层叠加组成；所述衬底、所述键合层、所述底电极包围形成有空气腔。本发明专利技术的谐振器在给顶电极通电后，复合压电薄膜产生形变并激励出体声波，并且当所述体声波传输到复合压电薄膜与底电极之间时，由于空气腔的存在，所述体声波在底电极的表面发生全反射，并被限制在顶电极与底电极之间，形成了谐振。且由于复合压电薄膜的机电耦合系数较高，进一步提高薄膜声波谐振器的带宽。提高薄膜声波谐振器的带宽。提高薄膜声波谐振器的带宽。

【技术实现步骤摘要】
一种高带宽空腔型薄膜体声波谐振器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及薄膜体声波谐振器
，具体涉及一种高带宽空腔型薄膜体声波谐振器及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着现代无线通信技术向着高频、高速的方向发展，对射频通信常用的前端滤波器提高了更高的要求。在工作频率不断提高的同时，对器件体积、使用性能、稳定性和集成性也有了更高的要求，过去使用的声表面波滤波器(Surface Acoustic Wave，SAW)由于其体积偏大、工艺兼容和工作频段等的问题，已经不能够满足高频通信的需求。
[0003]而薄膜体声波谐振器(Film Bulk Acoustic Resonator，FBAR)是一种新型滤波器，相对于声表面滤波器不仅体积小、功率容量大、可继承、工作频段高等特点，还拥有更好的带外抑制和插入损耗，在目前的5G通信中有很广的使用。
[0004]一般来说，薄膜体声波谐振器的结构主要包括横膈膜型、空气隙型和固态装配型三种，均为“电极
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压电薄膜
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电极”的三明治结构，其原理是利用压电薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高带宽空腔型薄膜体声波谐振器，其特征在于：按照从下向上的顺序依次包括衬底、键合层、底电极、复合压电薄膜和顶电极；其中，所述顶电极、所述复合压电薄膜和所述底电极形成三明治结构；所述复合压电薄膜为若干层压电层叠加组成；所述衬底、所述键合层、所述底电极包围形成有空气腔。2.根据权利要求1所述的一种高带宽空腔型薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述衬底材料为单晶高阻硅。3.根据权利要求1所述的一种高带宽空腔型薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述键合层的厚度为800nm～10um。4.根据权利要求1所述的一种高带宽空腔型薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述复合压电薄膜为2～8层压电层叠加组成，所述压电层材质为AlN或ZnO，每层压电层的厚度为100nm～3μm。5.根据权利要求4所述的一种高带宽空腔型薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述复合压电薄膜由AlN压电层和ZnO压电层交替叠加组成。6.根据权利要求1所述的一种高带宽空腔型薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述空气腔的深度为800nm～10um。7.根据权利要求1所述的一种高带宽空腔型薄膜体声波谐振器，其特征在于：底电极和顶电极均为金属电极，材料为Al、Pt、Mo、W、Ti和Au中的一种。8.根据权利要求7所述的一种高带宽空腔型薄膜体声波谐...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，
申请(专利权)人：河源市艾佛光通科技有限公司，
类型：发明
国别省市：