一种体声波谐振器及其制备方法技术

技术编号:41831251 阅读:33 留言:0更新日期:2024-06-27 18:16
本申请涉及体声波谐振器技术领域,具体提供了一种体声波谐振器及其制备方法,该谐振器包括:由下至上依次连接的衬底、支撑层、底电极、三明治结构压电层和顶电极;三明治结构压电层包括多层压电薄膜和若干层极性反转缓冲层,压电薄膜和极性反转缓冲层交替设置且压电薄膜层数比极性反转缓冲层层数多一;在极性反转缓冲层的数量为多层时,相邻的极性反转缓冲层互斥;衬底顶部设有空气腔,空气腔基于贯穿支撑层、底电极、压电薄膜、极性反转缓冲层和顶电极的通孔连接顶电极外侧;该谐振器能够有效地解决由于需要通过对压电薄膜进行元素掺杂的方式使相邻的压电薄膜的极性相反而导致压电薄膜的质量下降的问题,从而有效地提高体声波谐振器的性能。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及体声波谐振器,具体而言,涉及一种体声波谐振器及其制备方法


技术介绍

1、为了使体声波滤波器能够在高频段工作的前提下增大压电薄膜的厚度,现有技术需要利用极性反转工艺使体声波谐振器中相邻的压电薄膜的极性相反。现有的极性反转工艺需要通过对压电薄膜进行元素掺杂的方式使相邻的压电薄膜的极性相反,由于对压电薄膜进行元素掺杂会导致压电薄膜的参数性能改变或压电薄膜的介电损耗增加,即对压电薄膜进行元素掺杂相当于将缺陷引入压电薄膜,因此现有的极性反转工艺存在由于需要通过对压电薄膜进行元素掺杂的方式使相邻的压电薄膜的极性相反而导致压电薄膜的质量下降的问题,从而导致体声波谐振器的性能下降。

2、针对上述问题,目前尚未有有效的技术解决方案。


技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种体声波谐振器及其制备方法,能够有效地解决由于需要通过对压电薄膜进行元素掺杂的方式使相邻的压电薄膜的极性相反而导致压电薄膜的质量下降的问题,从而有效地提高体声波谐振器的性能。

2、第一方面,本申请提供了一种体声波谐振器,其本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种体声波谐振器,其特征在于,所述体声波谐振器包括:

2.根据权利要求1所述的体声波谐振器,其特征在于,所述三明治结构压电层包括由下至上依次连接的第一压电薄膜、第一极性反转缓冲层、第二压电薄膜、第二极性反转缓冲层和第三压电薄膜。

3.根据权利要求2所述的体声波谐振器,其特征在于,所述第一极性反转缓冲层为N极性反转层,所述第二极性反转缓冲层为Al极性反转层,所述第一压电薄膜和所述第三压电薄膜的极性为Al极性,所述第二压电薄膜的极性为N极性。

4.根据权利要求3所述的体声波谐振器,其特征在于,所述N极性反转层包括氮化铌薄膜、碳化硅薄膜或氮化铪薄膜,所述...

【技术特征摘要】

1.一种体声波谐振器,其特征在于,所述体声波谐振器包括:

2.根据权利要求1所述的体声波谐振器,其特征在于,所述三明治结构压电层包括由下至上依次连接的第一压电薄膜、第一极性反转缓冲层、第二压电薄膜、第二极性反转缓冲层和第三压电薄膜。

3.根据权利要求2所述的体声波谐振器,其特征在于,所述第一极性反转缓冲层为n极性反转层,所述第二极性反转缓冲层为al极性反转层,所述第一压电薄膜和所述第三压电薄膜的极性为al极性,所述第二压电薄膜的极性为n极性。

4.根据权利要求3所述的体声波谐振器,其特征在于,所述n极性反转层包括氮化铌薄膜、碳化硅薄膜或氮化铪薄膜,所述al极性反转层包括二氧化硅薄膜、氧化铝薄膜、三氧化二铌薄膜或三氧化二铪薄膜。

5.根据权利要求2所述的体声波谐振器,其特征在于,所述第一压电薄膜的厚度为所述体声波谐振器的工作频率对应的波长的四分之一,所述第二压电薄膜和所述第三压电薄膜的厚度均为与所述体声波谐振器...

【专利技术属性】
技术研发人员:李国强衣新燕支国伟
申请(专利权)人:河源市艾佛光通科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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