【技术实现步骤摘要】
晶圆解键合方法
[0001]本专利技术涉及半导体制程领域,具体涉及一种晶圆解键合方法。
技术介绍
[0002]在半导体制程领域中,有所谓系统封装(System in Package,SIP),是将多片载有集成电路的半导体晶圆层层迭设而成,而在此类系统封装的制程中,为了使半导体晶圆能层层迭设,对于半导体晶圆单片的厚度要求薄化,所以必须对具有厚度的半导体晶圆在加载集成电路后对背面进行薄化加工(研磨切削),然而当晶圆厚度减薄至100微米或以下时,在对晶圆做处理时会因应力导致晶圆弯曲变形,甚至会因自身强度不足导致发生碎片,从而无法对这种超薄的晶圆进行直接加工处理。因此,为了能加工处理这类超薄晶圆,需要将晶圆先与一载片临时键合以加强其结构强度,键合后可对晶圆进行减薄、TSV的制造、再布线层的制造、形成内部互联等工艺制作,然后再将晶圆与载片进行分离,即需要对晶圆和载片进行解键合。另一方面,薄化之后的晶圆堆叠在一起后,若要分离也需要对紧贴结合的两晶圆进行解键合。
[0003]在现有技术中,晶圆的解键合大多使用刀片在X轴上做相对晶圆的平移运动来实现。存在对位不准或者位置调节不灵活等问题,导致无法精确的通过刀片运动实现晶圆和载片的解键合或两晶圆的解键合,甚至存在损坏晶圆的风险。
[0004]因此,如何解决上述现有技术存在的不足,便成为本专利技术所要研究解决的课题。
技术实现思路
[0005]本专利技术的目的是提供一种晶圆解键合方法。
[0006]为达到上述目的,本专利技术采用的技术方案是:一种晶 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆解键合方法,其特征在于:包括:首先,通过镜头组件获得解键合工位的一第一图像,对该第一图像进行二值化处理,将该第一图像转换为一坐标系统,其中解键合工位中的刀尖位置为(row
b
,col
b
),待解键合物中的缺口中间位置为(row
w
,col
w
);然后,计算刀片的刀尖位置接触到待解键合物中的缺口中间位置所需要的Z轴位移量dz1:其中,刀尖位置与缺口中间位置的垂直像素距离dr1为:其中,Rz为第一图像中Z轴的每个像素点对应的真实空间中的尺寸,单位为mm/pixel;Tz为Z轴和镜头组件图像摄取光路的纵向夹角,单位为Degree;根据所述Z轴位移量dz1对刀片进行驱动,使其到达一第一位置,通过镜头组件对解键合工位再次进行拍照,获得一第二图像;对所述第二图像进行二值化处理,分别获得此刻的刀尖位置(row
b1
,col
b1
)以及待解键合物中的缺口中间位置(row
w1
,col
w1
);计算刀片的刀尖位置与待解键合物中的缺口中间位置的垂直像素误差δr1:若误差大于abs(δr1)>δz,则说明Z轴方向的Rz、Tz不准确,需要重新校准Rz和Tz,校准公式为:δz为刀尖的Z轴运动误差;于此同时,计算刀片的刀尖位置接触到待解键合物中的缺口中间位置所需要的X轴位移量dx2:刀尖位置与缺口中间位置的垂直像素距离dc2为:其中,Rx为第二图像中X轴的每个像素点对应的真实空间中的尺寸,单位为mm/pixel;Tx为X轴和镜头组件图像摄取光路的横向夹角,单位为Degree;根据所述X轴位移量dx2对刀片进行驱动,使其达到一第二位置,通过镜头组件对解键合工位再次进行拍照,获得一第三图像;对所述第三图像进行二值化处理,分别获得此刻的刀尖位置(row
b2
,col
b2
)以及待解键合物中的缺口中间位置(row
w2
,col
w2
);计算刀片的刀尖位置与待解键合物中的缺口中间位置的水平像素误差δc2:
其中,Ds为刀尖位置和缺口中间位置的确认间距;若误差大于abs(δc2)>δx,则说明X轴方向的Rx、Tx不准确,需要重新校准...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐海洲,叶薇薇,陈禹彤,
申请(专利权)人:江苏匠岭半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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