多级集成光子器件制造技术

技术编号:3312975 阅读:170 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
激光器和电吸收调制器(EAM)通过蚀刻刻面过程被整体集成。晶片上的外延层包括用于激光器结构的第一层和用于EAM结构的第二层。激光器和EAM之间的强光耦合使用两个45度旋转反射镜实现,以便使光从激光器波导垂直路由到EAM波导。使用定向有角度的蚀刻过程来形成两个有角度的刻面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种集成光子器件,包括:基片;所述基片上的至少第一和第二外延层;所述第一外延层中制造的至少第一蚀刻刻面器件;所述第二外延层中制造的至少第二蚀刻刻面器件;其中所述第一和第二器件的蚀刻刻面使所述第一器件和 所述第二器件光连接。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:AA贝法MR格林AT谢里默尔
申请(专利权)人:宾奥普迪克斯股份有限公司
类型:发明
国别省市:US[美国]

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