【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
一种集成光子器件,包括:基片;所述基片上的至少第一和第二外延层;所述第一外延层中制造的至少第一蚀刻刻面器件;所述第二外延层中制造的至少第二蚀刻刻面器件;其中所述第一和第二器件的蚀刻刻面使所述第一器件和 所述第二器件光连接。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:AA贝法,MR格林,AT谢里默尔,
申请(专利权)人:宾奥普迪克斯股份有限公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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