【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
一种用于制造横向结半导体器件的方法，包括步骤：（ｉ）形成具有叠层的半导体结构（２），其中叠层是通过设置成多个基本平行平面的多层半导体材料（４，６，８）形成，第一层（４）中的半导体材料具有第一浓度的第一极性的过剩电荷载流子，和 （ｉｉ）从第一层（４）选择性去除半导体材料至一个沿第一方向变化的深度，该第一方向基本上平行于结构中的层平面，以提供沿第一方向在有源层（８）中的第一极性的电荷载流子的浓度梯度。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：GR纳什，JH杰斐森，KJ纳什，
申请(专利权)人：秦内蒂克有限公司，
类型：发明
国别省市：GB[英国]
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