半导体激光装置及其制造方法制造方法及图纸

一种脊条形半导体激光装置，在半导体衬底（１０２）上具备第１导电型的包覆层（１０３）、有源层（１０４）、第２导电型的第１包覆层（１０５）、用来进行水平横向的光封闭的脊形条状的第２导电型的第２包覆层（１０８）、和除了上述脊上的至少一部分以外形成的电流阻挡层（１０７），在与上述脊的条方向垂直的剖面形状中，上述脊的两侧面分别具有相对于半导体衬底表面大致垂直且从上述脊的上端向下方延伸的第１面（１１８）、和在脊麓部分由朝脊外侧向斜下方方向倾斜的大致直线状的麓部分倾斜面构成的第２面（１１９）；第１面与第２面直接连接，或者经由第３中间面连接；在第２面上，构成上述第２包覆层的半导体的（１１１）面露出。在本发明专利技术中，能够提供高纽结水平、低动作电流的高输出半导体激光装置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种脊条形半导体激光装置，在化合物半导体衬底上具备第１导电型的包覆层、有源层、第２导电型的第１包覆层、蚀刻阻止层、形成在条状的脊上的第２导电型的第２包覆层、以及除上述脊上的至少一部分以外而形成的电流阻挡层，其特征是，在与上述脊的条方向垂直的剖面形状中，上述脊的两侧面分别具有相对于半导体衬底表面大致垂直且从上述脊的上端向下方延伸的第１面、和在脊麓部分由朝脊外侧向斜下方方向倾斜的大致直线状的麓部分倾斜面构成的第２面；上述第１面与上述第２面（ａ）直接连接，或者（ｂ）上述第１面与上述第２面经由第３中间面连接；上述第３中间面（ｂ１）是向脊外侧伸出的状态的、与上述半导体衬底表面大致平行、在上述剖面中长度为...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：细井浩行，牧田幸治，山中通成，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]