【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及发光器件，更具体地涉及包括半导体发光元件和磷光体 的发光器件，该磷光体用于发射波长不同于该半导体发光元件所发射光 的光。
技术介绍
其中半导体发光元件和荧光元件相结合的光源装置或发光器件是已知的。荧光元件吸收半导体发光元件发射的激发光，并发射波长 不同于激发光的光。在JP-A2 005-205195中描述了一种具有高亮度和高显色性特性的发 光器件。在该发光器件中，光纤用作用于激发光的波导，荧光元件连接 到光纤的末端。还有，在JP-A H07-282609中提出了一种耐久且安全的低耗电发光器 件。而且，该发光器件具有足够的输出功率，可以提供非常合适的照明 光，如白光。该发光器件包括发射激光的半导体激光二极管、漫散射来 自半导体激光器的激光的透镜、和将所述激光转变成可见光的荧光元件。此夕卜，在JP-A2006-210887中提出了一种发光器件，该发光器件包括 为磷光体发射激发光的半导体发光器件和磷光体的色散元件，其具有高的光提取(extract)效率。在此发光器件中，色散元件的磷光体发出的辐射 可见光从所述色散元件中激发光入射一侧提取。然而，在上述专利...
【技术保护点】
一种发光器件，该发光器件包括：构造成发射激发光的发光元件；和荧光元件，该荧光元件包括：半透明膜，其面向所述发光元件，并被构造成透射所述激发光；第一发光膜，其包括多个磷光体，并被构造成吸收透射穿过所述半透明膜的 所述激发光，和发射波长不同于所述激发光的可见光；和反射膜，其布置在其上布置有所述半透明膜的第一发光膜的相反一侧上，并被构造成将透射穿过所述第一发光膜的所述激发光反射向所述第一发光膜。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：服部靖，斋藤真司，布上真也，波多腰玄一，橘浩一，信田直美，三石严，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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