一种大电流轴向高频谐振电容器及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种大电流轴向高频谐振电容器及其制造方法，大电流轴向高频谐振电容器包括电容芯子和外壳，所述电容芯子由双面金属膜、单面金属膜、以及设置在所述双面金属膜与所述单面金属膜之间的中间膜卷绕而成，其内部设置有导热孔，表面喷有喷金层；所述外壳设置在所述电容芯子外侧、且相互之间还设置有密封灌注料。上述结构能够提高电容器的耐压场强和自愈性能，体积更小，减少了电容芯子并联的焊点数，降低电容器虚焊的故障率，同进还能有效地提高了电容器的使用安全性，避免爬电产生飞弧。弧。弧。

【技术实现步骤摘要】
一种大电流轴向高频谐振电容器及其制造方法


[0001]本专利技术涉及一种电容器领域，具体是一种大电流轴向高频谐振电容器及其制造方法。

技术介绍

[0002]中国专利文献号为CN2899063Y在2007年5月9日公开了一种高频谐振加热电容器，它包括壳体、电极和以及由数个电容器单元芯子相连接构成的电容器芯组，电容器芯组周围设有绝缘填料且置于壳体内，电容器干式结构，在电容器内部埋设了冷却器，冷却器的两个引出端与外部冷却管连接，电容器在工作时所产生的热量则可通过冷却器进行散热，但是在实际的使用过程中，电容器内部中心热量很难散出来，温升高，导致其容易出现失效、燃烧等负面效应，使用寿命短，给人们的使用带来了一定的不利影响。因此，有必要进一步改进。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的旨在提供一种大电流轴向高频谐振电容器及其制造方法，以克服现有技术中的不足之处。
[0004]按此目的设计的一种大电流轴向高频谐振电容器，包括电容芯子和外壳，其特征在于：所述电容芯子由双面金属膜、单面金属膜、以及设置在所述双面金属膜与所述单面金属膜之间的中间膜卷绕而成，其内部设置有导热孔，表面喷有喷金层；所述外壳设置在所述电容芯子外侧、且相互之间还设置有密封灌注料。
[0005]所述双面金属膜包括第一薄膜介质、以及分布在所述第一薄膜介质双面的双面导电金属层；所述双面导电金属层相互之间设置有双面中留边。
[0006]所述单面金属膜包括第二薄膜介质、以及分布在所述第二薄膜介质单面的单面导电金属层；所述单面导电金属层相互之间设置有单面中留边，和/或所述单面导电金属层外侧设置有单面外留边。
[0007]所述中间膜为光膜或，或者，所述中间膜与所述单面金属膜结构相同的金属膜、且二者所述单面导电金属层为上下倒置。
[0008]所述双面中留边设置有若干个；所述双面导电金属层通过若干个所述双面中留边等距离、等尺寸的分布在所述第一薄膜介质双面。
[0009]或者，所述双面中留边设置有一个；所述双面导电金属层通过一个所述双面中留边分布在所述第一薄膜介质双面。
[0010]所述单面导电金属层上设置有单面中留边和单面外留边；所述单面中留边设置有若干个；所述单面外留边设置在所述单面导电金属层两外侧；所述单面导电金属层通过若干个所述单面中留边、两外侧所述单面导电金属层的配合等距离、等尺寸的分布在所述第二薄膜介质单面。
[0011]或者，所述单面导电金属层两外侧设置有所述单面外留边、且通过两外侧所述单
面外留边设置在所述第二薄膜介质单面中间位置。
[0012]所述第一薄膜介质的尺寸大于或小于所述第二薄膜介质、所述中间膜的尺寸。
[0013]所述第二薄膜介质的尺寸与所述中间膜的尺寸相同。
[0014]所述单面导电金属层的尺寸大于或等于所述双面导电金属层的尺寸。
[0015]所述双面中留边的尺寸与所述单面中留边的尺寸相同。
[0016]所述单面中留边的尺寸大于或小于所述单面外留边的尺寸。
[0017]所述第一薄膜介质、所述第二薄膜介质均为聚丙烯膜或聚酯膜；所述双面导电金属层、所述单面导电金属层均为镀铝层。
[0018]所述外壳为绝缘防爆壳体、且其上下端面呈敞开状；所述电容芯子放置在所述外壳内；所述导热孔上下端分别设置有引出螺母。
[0019]所述引出螺母外侧轴向线性延伸设置、且设置在所述导热孔内，所述引出螺母端面高于所述电容芯子端面；或者，所述引出螺母内侧轴向线性延伸设置、且设置在所述导热孔内，所述引出螺母外侧延伸有螺母环形侧边，并通过所述螺母环形侧边盖设在所述电容芯子端面；又或者，所述引出螺母内侧轴向线性延伸设置、且设置在所述导热孔内，所述引出螺母外侧延伸有螺母环形侧边、且通过所述螺母环形侧边连接有金属件，并与所述金属件配合盖设在所述电容芯子上；所述密封灌注料灌注在所述外壳、所述电容芯子、所述引出螺母或金属件之间。
[0020]所述外壳为金属防爆壳体、且设置有两个，两个所述外壳分别环形设置在所述电容芯子外侧、且相互之间的端面平齐；所述导热孔上下端分别设置有引出铜块。
[0021]所述引出铜块内侧轴向线性延伸设置、且设置在所述导热孔内，所述引出铜块外侧设置有环形凹槽，并通过所述环形凹槽盖设在所述电容芯子、所述外壳端面。
[0022]所述密封灌注料灌注在所述外壳、所述电容芯子、所述引出铜块之间。
[0023]一种大电流轴向高频谐振电容器制造方法，其特征在于：包括上述大电流轴向高频谐振电容器；其中，所述制造方法如下：步骤1：所述双面金属膜、所述中间膜、所述单面金属膜由上往下依次叠设，随后通过卷绕机进行卷绕，并形成圆柱形的所述电容芯子；步骤2：在所述电容芯子上喷涂所述喷金层，其中，所述喷金层喷涂若干次，开始两次喷锌，最后两次喷锌锡合金；步骤3：将喷有所述喷金层的所述电容芯子放置在所述外壳内；步骤4：在所述导热孔内部上下位置分别放置所述引出螺母，其中，上下所述引出螺母端面分别高于所述电容芯子端面3
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8mm；步骤5：在所述引出螺母上设置有焊接孔，并将所述引出螺母底部与正对所述电容芯子的所述喷金层位置涂抹低温锡膏，再采用高温加锡对所述焊接孔进行焊接，使所述引出螺母底部与所述电容芯子的所述喷金层之间完成焊接固定；步骤6：上下所述引出螺母上分别设置有孔部，其中一个孔部为通孔，另一个为非通孔，在所述引出螺母的通孔上设置引出电极，随后利用所述密封灌注料对所述外壳、所述电容芯子、所述引出螺母或金属件、所述引出电极之间的端面位置进行密封封装，以最终完成所述大电流轴向高频谐振电容器的制造。
[0024]一种大电流轴向高频谐振电容器制造方法，其特征在于：包括上述大电流轴向高频谐振电容器；其中，所述制造方法如下：步骤1：所述双面金属膜、所述中间膜、所述单面金属膜由上往下依次叠设，随后通过卷绕机进行卷绕，并形成圆柱形的所述电容芯子；步骤2：在所述电容芯子上喷涂所述喷金层，其中，所述喷金层喷涂若干次，开始两次喷锌，最后两次喷锌锡合金；步骤3：将两个所述外壳分别套设在喷有所述喷金层的所述电容芯子外侧上下位置；步骤4：所述引出铜块设置有两个，两个所述引出铜块的所述环形凹槽设置有1
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5mm、且内部分别涂抹锡膏，将所述引出铜块放置到加热平台上或者通过感应加热的手段，将锡膏全部溶解在所述环形凹槽内部；步骤5：将所述电容芯子上下位置分别压接到两个所述环形凹槽内部1
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7s，使两个所述引出铜块与所述电容芯子端面之间完成焊接固定，随后将它们放置到工业酒精盒中进行冷却；步骤6：两个所述引出铜块上分别设置有孔部，其中一个孔部为通孔，另一个为非通孔，在所述引出铜块的通孔上设置引出电极，随后利用所述密封灌注料对所述外壳、所述电容芯子、所述引出铜块之间的侧面位置进行密封封装，以最终完成所述大电流轴向高频谐振电容器的制造。
[0025]本专利技术通过上述结构的改良，与现有技术相比，具有以下优点：1、双面金属膜的双面中留边间隙隔开，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大电流轴向高频谐振电容器，包括电容芯子（1）和外壳（3），其特征在于：所述电容芯子（1）由双面金属膜、单面金属膜、以及设置在所述双面金属膜与所述单面金属膜之间的中间膜（10）卷绕而成，其内部设置有导热孔（23），表面喷有喷金层（2）；所述外壳（3）设置在所述电容芯子（1）外侧、且相互之间还设置有密封灌注料（4）。2.根据权利要求1所述大电流轴向高频谐振电容器，其特征在于：所述双面金属膜包括第一薄膜介质（11）、以及分布在所述第一薄膜介质（11）双面的双面导电金属层（12）；所述双面导电金属层（12）相互之间设置有双面中留边（13）；所述单面金属膜包括第二薄膜介质（14）、以及分布在所述第二薄膜介质（14）单面的单面导电金属层（15）；所述单面导电金属层（15）相互之间设置有单面中留边（16），或所述单面导电金属层（15）外侧设置有单面外留边（17）；所述中间膜（10）为光膜或者，所述中间膜（10）与所述单面金属膜结构相同的金属膜、且二者所述单面导电金属层（15）为上下倒置。3.根据权利要求2所述大电流轴向高频谐振电容器，其特征在于：所述双面中留边（13）设置有若干个；所述双面导电金属层（12）通过若干个所述双面中留边（13）等距离、等尺寸的分布在所述第一薄膜介质（11）双面；或者，所述双面中留边（13）设置有一个；所述双面导电金属层（12）通过一个所述双面中留边（13）分布在所述第一薄膜介质（11）双面。4.根据权利要求3所述大电流轴向高频谐振电容器，其特征在于：所述单面导电金属层（15）上设置有单面中留边（16）和单面外留边（17）；所述单面中留边（16）设置有若干个；所述单面外留边（17）设置在所述单面导电金属层（15）两外侧；所述单面导电金属层（15）通过若干个所述单面中留边（16）、两外侧所述单面导电金属层（15）的配合等距离、等尺寸的分布在所述第二薄膜介质（14）单面；或者，所述单面导电金属层（15）两外侧设置有所述单面外留边（17）、且通过两外侧所述单面外留边（17）设置在所述第二薄膜介质（14）单面中间位置。5.根据权利要求4所述大电流轴向高频谐振电容器，其特征在于：所述第一薄膜介质（11）的尺寸大于或小于所述第二薄膜介质（14）、所述中间膜（10）的尺寸；所述第二薄膜介质（14）的尺寸与所述中间膜（10）的尺寸相同；所述单面导电金属层（15）的尺寸大于或等于所述双面导电金属层（12）的尺寸；所述双面中留边（13）的尺寸与所述单面中留边（16）的尺寸相同；所述单面中留边（16）的尺寸大于或小于所述单面外留边（17）的尺寸。6.根据权利要求5所述大电流轴向高频谐振电容器，其特征在于：所述第一薄膜介质（11）、所述第二薄膜介质（14）均为聚丙烯膜或聚酯膜；所述双面导电金属层（12）、所述单面导电金属层（15）均为镀铝层。7.根据权利要求6所述大电流轴向高频谐振电容器，其特征在于：所述外壳（3）为绝缘防爆壳体、且其上下端面呈敞开状；所述电容芯子（1）放置在所述外壳（3）内；所述导热孔（23）上下端分别设置有引出螺母（5）；所述引出螺母（5）外侧轴向线性延伸设置、且设置在所述导热孔（23）内，所述引出螺母（5）端面高于所述电容芯子（1）端面，或者，所述引出螺母（5）内侧轴向线性延伸设置、且设置在所述导热孔（23）内，所述引
出螺母（5）外侧延伸有螺母环形侧边（51），并通过所述螺母环形侧边（51）盖设在所述电容芯子（1）端面；又或者，所述引出螺母（5）内侧轴向线性延伸设置、且设置在所述导热孔（23）内，所述引出螺母（5）外侧延伸有螺母环形侧边（51）、且通过所述螺母环形侧边（51）连接有金属件（8...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖俊，王勇平，
申请(专利权)人：佛山市肯博电子有限公司，
类型：发明
国别省市：