一种改进散热型超低功耗半导体器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种改进散热型超低功耗半导体器件，包括超低功耗半导体主体和底座，所述超低功耗半导体主体的内部连通有半导体引脚，所述半导体引脚贯穿于超低功耗半导体主体的表面并延伸至外界。通过限位组件的设置，能够从超低功耗半导体主体与半导体引脚的连接处对半导体引脚进行限位，能够防止超低功耗半导体主体与半导体引脚之间的连接处出现断裂，降低了超低功耗半导体主体的损耗率，通过散热组件的设置，能够在超低功耗半导体主体底部进行良好的散热，同时通过支撑组件的设置使得超低功耗半导体主体不会与固定物直接贴合连接，能够对散热组件起到辅助作用。能够对散热组件起到辅助作用。能够对散热组件起到辅助作用。

【技术实现步骤摘要】
一种改进散热型超低功耗半导体器件


[0001]本技术涉及半导体器件
，具体为一种改进散热型超低功耗半导体器件。

技术介绍

[0002]半导体器件是导电性介于良导电体与绝缘体之间，利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件，它可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。半导体器件的半导体材料是硅、锗或砷化镓，可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材，其中在使用半导体器件的过程中，通过使半导体器件中的连接引脚与固定物进行焊接，进而使用半导体器件；
[0003]但在实际的使用安装过程中，易导致半导体与引脚的连接处发生断裂，进而提高了半导体器件的损坏率，同时缩短了半导体器件的使用寿命，而且在使用半导体器件的过程中通常使半导体器件直接固定物贴合连接，不利于半导体器件的散热，进而在实际的使用过程中增大了能耗。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种改进散热型超低功耗半导体器件，通过限位组件对半导体引脚进行防护，通过散热组件和支撑组件从超低功耗半导体器件的底部进行散热，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种改进散热型超低功耗半导体器件，包括超低功耗半导体主体和底座，所述超低功耗半导体主体的内部连通有半导体引脚，所述半导体引脚贯穿于超低功耗半导体主体的表面并延伸至外界，所述底座的表面设置有限位组件；
[0006]所述限位组件包括卡边、限位槽和固定条，所述底座的顶部一体成型有两组卡边，所述超低功耗半导体主体放置于底座的顶部，且所述超低功耗半导体主体卡合于两组卡边之间，所述卡边的表面开设有限位槽，所述半导体引脚卡合于限位槽的内部，所述卡边的顶部通过螺钉固定安装有固定条，所述固定条的底部与半导体引脚的顶部相接触，所述底座的底部设置有支撑组件，所述底座的表面设置有散热组件。
[0007]优选的，所述散热组件包括散热槽和分隔条，所述底座的表面开设有散热槽，所述散热槽的内壁一体成型有分隔条。
[0008]优选的，所述支撑组件包括支撑板、活动柱、固定柱和顶板，所述支撑板的表面一体成型有固定柱，所述活动柱插接于固定柱的内部，且所述活动柱的顶部焊接有顶板，所述顶板粘接于底座的底部，所述固定柱与活动柱的内部设置有弹性组件。
[0009]优选的，所述散热槽的内壁一体成型有固定梁，所述固定梁设置于散热槽的中线上。
[0010]优选的，所述弹性组件包括弹簧、第一容纳腔和空腔，所述固定柱的内部开设有第
一容纳腔，所述弹簧的底端插接于第一容纳腔的内部，所述活动柱的内部开设有空腔，所述弹簧的顶端插接于空腔的内部。
[0011]优选的，所述固定柱的内壁一体成型有一体成型有第二挡环，所述活动柱的外壁一体成型有第一挡环，所述第一挡环与第二挡环相互接触。
[0012]优选的，所述第一挡环与第二挡环设置为大小相同的环状结构，所述第一挡环的内壁贴合于活动柱的外壁，所述第二挡环的外壁贴合于固定柱的内壁。
[0013]优选的，所述第一挡环的底部一体成型有限位套筒，所述限位套筒整体设置为圆台状结构，所述空腔的内部开设有与限位套筒相匹配的第二容纳腔。
[0014]优选的，所述底座、限位槽、卡边和固定条的表面喷涂有绝缘漆，所述绝缘漆的厚度设置为0.2mm～0.4mm。
[0015]优选的，所述分隔条的底部与底座的底部相平齐，相邻两组所述分隔条等距设置。
[0016]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0017]通过限位组件的设置，能够从超低功耗半导体主体与半导体引脚的连接处对半导体引脚进行限位，能够防止超低功耗半导体主体与半导体引脚之间的连接处出现断裂，降低了超低功耗半导体主体的损耗率，通过散热组件的设置，能够在超低功耗半导体主体底部进行良好的散热，同时通过支撑组件的设置使得超低功耗半导体主体不会与固定物直接贴合连接，能够对散热组件起到辅助作用。
附图说明
[0018]图1为本技术的主体结构示意图；
[0019]图2为本技术图1中A区的放大结构示意图；
[0020]图3为本技术底座的主体结构示意图；
[0021]图4为本技术固定柱与活动柱的连接结构示意图。
[0022]图中：1、超低功耗半导体主体；2、底座；3、半导体引脚；4、支撑板； 5、活动柱；6、固定条；7、卡边；8、固定柱；9、散热槽；10、分隔条；11、固定梁；12、限位槽；13、弹簧；14、第一容纳腔；15、限位套筒；16、第一挡环；17、顶板；18、空腔；19、第二挡环；20、第二容纳腔。
具体实施方式
[0023]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0024]请参阅图1～4，本技术提供一种技术方案：一种改进散热型超低功耗半导体器件，包括超低功耗半导体主体1和底座2；
[0025]超低功耗半导体主体1的内部连通有半导体引脚3，半导体引脚3贯穿于超低功耗半导体主体1的表面并延伸至外界，底座2的表面设置有限位组件；
[0026]限位组件包括卡边7、限位槽12和固定条6，底座2的顶部一体成型有两组卡边7，超低功耗半导体主体1放置于底座2的顶部，且超低功耗半导体主体1卡合于两组卡边7之间，卡边7的表面开设有限位槽12，半导体引脚 3卡合于限位槽12的内部，卡边7的顶部通过螺
钉固定安装有固定条6，固定条6的底部与半导体引脚3的顶部相接触，底座2的底部设置有支撑组件，底座2的表面设置有散热组件，通过限位组件的设置，能够在超低功耗半导体器件主体与半导体引脚3的连接处对半导体引脚3进行保护，防止出现断裂的现象，降低了超低功耗半导体器件主体的损坏率；
[0027]散热组件包括散热槽9和分隔条10，底座2的表面开设有散热槽9，散热槽9的内壁一体成型有分隔条10，通过散热槽9的设置，能够从超低功耗半导体器件主体的底部进行散热，从而防止在实际使用中增加能耗；
[0028]支撑组件包括支撑板4、活动柱5、固定柱8和顶板17，支撑板4的表面一体成型有固定柱8，活动柱5插接于固定柱8的内部，且活动柱5的顶部焊接有顶板17，顶板17粘接于底座2的底部，固定柱8与活动柱5的内部设置有弹性组件，支撑组件的设置能够在超低功耗半导体器件主体对其进行支撑，此时超低功耗半导体器件主体与固定物直接会留有空隙，以便于配合散热槽9 对超低功耗半导体器件主体进行散热；
[0029]散热槽9的内壁一体成型有固定梁11，固定梁11设置于散热槽9的中线上，固定梁11的设置能够增加整体的强度，从而提高了底座2整体的稳定性；
[0030]弹性组件包括弹簧13、第一容纳腔1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改进散热型超低功耗半导体器件，包括超低功耗半导体主体(1)和底座(2)，其特征在于：所述超低功耗半导体主体(1)的内部连通有半导体引脚(3)，所述半导体引脚(3)贯穿于超低功耗半导体主体(1)的表面并延伸至外界，所述底座(2)的表面设置有限位组件；所述限位组件包括卡边(7)、限位槽(12)和固定条(6)，所述底座(2)的顶部一体成型有两组卡边(7)，所述超低功耗半导体主体(1)放置于底座(2)的顶部，且所述超低功耗半导体主体(1)卡合于两组卡边(7)之间，所述卡边(7)的表面开设有限位槽(12)，所述半导体引脚(3)卡合于限位槽(12)的内部，所述卡边(7)的顶部通过螺钉固定安装有固定条(6)，所述固定条(6)的底部与半导体引脚(3)的顶部相接触，所述底座(2)的底部设置有支撑组件，所述底座(2)的表面设置有散热组件。2.根据权利要求1所述的一种改进散热型超低功耗半导体器件，其特征在于：所述散热组件包括散热槽(9)和分隔条(10)，所述底座(2)的表面开设有散热槽(9)，所述散热槽(9)的内壁一体成型有分隔条(10)。3.根据权利要求1所述的一种改进散热型超低功耗半导体器件，其特征在于：所述支撑组件包括支撑板(4)、活动柱(5)、固定柱(8)和顶板(17)，所述支撑板(4)的表面一体成型有固定柱(8)，所述活动柱(5)插接于固定柱(8)的内部，且所述活动柱(5)的顶部焊接有顶板(17)，所述顶板(17)粘接于底座(2)的底部，所述固定柱(8)与活动柱(5)的内部设置有弹性组件。4.根据权利要求2所述的一种改进散热型超低功耗半导体器件，其特征在于：所述散热槽(9)的内壁一体成型有固定梁(11)，所述固定...

【专利技术属性】
技术研发人员：李小刚，周彬彬，李秀玲，
申请(专利权)人：深圳市桦沣实业有限公司，
类型：新型
国别省市：