一种高分子微粘缓冲膜及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种高分子微粘缓冲膜及其制作方法，该高分子微粘缓冲膜的制作方法包括：提供具有支撑作用的金属箔层；在金属箔层的一侧涂覆硅胶微粘剂制作硅胶微粘层；在硅胶微粘层的一侧贴敷PET膜层，以获得高分子微粘缓冲膜。本发明专利技术提供的高分子微粘缓冲膜，通过在金属箔层的一侧涂覆硅胶微粘剂，形成硅胶微粘层，该硅胶微粘层具备适当的覆型性、合适的阻胶能力、良好的尺寸稳定性以及易剥离性，适合半自动化生产，提高生产效率。提高生产效率。提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】
一种高分子微粘缓冲膜及其制作方法


[0001]本专利技术涉及多层线路板热压合工序用的覆型膜领域，尤其涉及一种高分子微粘缓冲膜的制作方法及其一种高分子微粘缓冲膜。

技术介绍

[0002]线路板压合工序包括在高温高压的条件下，使半固化片由固态变为凝胶态再与其他线路层、介质层结合的过程。
[0003]在5G通讯快速发展领域，要求线路板具有高Tg和高散热性能，线路板在压制过程中需要选择高Tg材料，压制温度通常在220℃以上，同时线路板在结构设计上选择嵌入大铜块来加速散热，为了保证线路板压合具备良好的填充性、平整性、可靠性，压合时需要用到辅助膜材料，通常称之为覆型膜，因此，对于品质要求越高的线路板制作，要求垫片具备更好的覆型性、离型性、耐更高温度、尺寸稳定性、平整性、清洁性等性能。
[0004]目前一般常用以下3种类型用于压合工序的覆型膜材料，包括：
[0005](1)聚四氟乙烯(PTFE)膜；(2)聚酰亚胺(PI)薄膜；(3)聚四氟乙烯(PTFE)与其他缓冲材料的组合式垫片。
[0006]针对以上三种材料，具备以下技术问题：
[0007]1、聚四氟乙烯(PTFE)膜：聚四氟乙烯(PTFE)材料的离型性、耐高温性良好，但由于聚四氟乙烯薄膜比较柔软，不利于加工操作；覆型能力太强，会在铜块与板面间型成较大凹陷；且不能自动化作业。
[0008]2、聚酰亚胺(PI)薄膜：聚酰亚胺(PI)薄膜的耐高温性良好，但尺寸稳定性较差，PI膜厚度胶厚，覆型能力偏差，较薄，又不利于加工操作，做成PI保护膜，线路板压制完成后又难于从线路板上进行剥离。
[0009]3、聚四氟乙烯(PTFE)与其他缓冲材料的组合式垫片：此类组合式垫片中的其他缓冲材料，一般采用铜箔、铝箔等金属来稳定尺寸，但操作较复杂；不利于精益生产，不利于自动化作业。
[0010]因此，为了解决上述覆型膜的问题，提高线路板压合垫片材料的覆型性、离型性、耐高温性、尺寸稳定性、平整性、清洁性以及自动化作业，成为亟需待解决的问题。

技术实现思路

[0011]本专利技术的主要目的是提出一种高分子微粘缓冲膜，旨在解决现有技术中高频多层线路板压合工序中聚四氟乙烯(PTFE)膜或者聚酰亚胺(PI)薄膜不利于自动化作业，效率低下的技术问题。
[0012]为实现上述目的，本专利技术提出的一种高分子微粘缓冲膜的制作方法，所述高分子微粘缓冲膜的制作方法包括：
[0013]提供具有支撑作用的金属箔层；
[0014]在所述金属箔层的一侧涂覆硅胶微粘剂制作硅胶微粘层；
[0015]在所述硅胶微粘层的一侧贴敷PET膜层，以获得所述高分子微粘缓冲膜。
[0016]进一步的，所述在所述金属箔层的一侧涂覆硅胶微粘剂制作硅胶微粘层的步骤，包括：
[0017]提供所述硅胶微粘剂的第一组成混合物；
[0018]提供所述硅胶微粘剂的第二组成混合物；
[0019]充分混合所述第一组成混合物和第二组成混合物，制成所述硅胶微粘剂；
[0020]在所述金属箔层的一侧涂覆硅胶微粘剂，熟化后制成所述硅胶微粘层。
[0021]进一步的，所述第一组成混合物包括乙烯基硅油、白炭黑、含羟基的MQ硅树脂、催化剂以及稀释剂；其中，
[0022]所述乙烯基硅油采用粘度为100
‑
5000mPa.s的乙烯基硅油，所述乙烯基硅油占比重为40
‑
90份；
[0023]所述白炭黑采用比表面积100
‑
400m2/g的白炭黑，所述白炭黑占比重为0
‑
25份；
[0024]所述含羟基的MQ硅树脂采用羟基含量为1
‑
15％的含羟基的MQ硅树脂，所述含羟基的MQ硅树脂占比重为0
‑
30份；
[0025]所述催化剂采用铂或铑金属的催化剂，所述催化剂占比重为份；
[0026]所述稀释剂为含量100
‑
10000PPM的稀释剂，所述稀释剂占比重为0.05
‑
5份。
[0027]进一步的，所述第二组成混合物包括乙烯基硅油、白炭黑、含羟基的MQ硅树脂、MQ含氢硅树脂、线性含氢硅油以及乙炔类抑制剂；其中，
[0028]所述乙烯基硅油采用粘度为100
‑
5000mPa.s的乙烯基硅油，所述乙烯基硅油占比重为30
‑
85份；
[0029]所述白炭黑采用比表面积100
‑
400m2/g的白炭黑，所述白炭黑占比重为0
‑
20份；
[0030]所述含羟基的MQ硅树脂采用羟基含量为1
‑
15％的含羟基的MQ硅树脂，所述含羟基的MQ硅树脂占比重为0
‑
5份；
[0031]所述MQ含氢硅树脂采用含氢量为0.1
‑
1.1％的MQ含氢硅树脂，所述MQ含氢硅树脂占比重为0
‑
5份；
[0032]所述线性含氢硅油采用含氢量为0.05
‑
1.6％的线性含氢硅油，所述线性含氢硅油占比重为0.5
‑
10份；
[0033]所述乙炔类抑制剂占比重为0.001
‑
0.5份。
[0034]进一步的，所述硅胶微粘层的厚度范围为0.5μm
‑
15μm。
[0035]进一步的，所述在所述金属箔层的一侧涂覆硅胶微粘剂，熟化后制成所述硅胶微粘层的步骤之前，包括：
[0036]在所述金属箔层的一侧涂覆底涂剂，对所述金属箔层进行预处理。
[0037]进一步的，所述金属箔层为铝箔层或者铜箔层。
[0038]进一步的，所述金属箔层的厚度范围为0.01mm
‑
0.2mm。
[0039]进一步的，所述PET膜层的厚度范围为0.015mm
‑
0.5mm。
[0040]为实现上述目的，本专利技术提出的一种高分子微粘缓冲膜，所述高分子微粘缓冲膜由上述所述的制作方法制成，其中，所述高分子微粘缓冲膜包括金属箔层、硅胶微粘胶层以及PET膜层，其中，所述金属箔层、硅胶微粘胶层和所述PET膜层位于所述硅胶微粘胶层的两侧。
[0041]本专利技术技术方案中，本专利技术提供的高分子微粘缓冲膜，通过在金属箔层的一侧涂覆硅胶微粘剂，形成硅胶微粘层，该硅胶微粘层具备适当的覆型性、合适的阻胶能力、良好的尺寸稳定性以及易剥离性，适合半自动化生产，提高生产效率。
附图说明
[0042]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0043]图1为本专利技术一种高分子微粘缓冲膜的制作方法的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高分子微粘缓冲膜的制作方法，其特征在于，所述高分子微粘缓冲膜的制作方法包括：提供具有支撑作用的金属箔层；在所述金属箔层的一侧涂覆硅胶微粘剂制作硅胶微粘层；在所述硅胶微粘层的一侧贴敷PET膜层，以获得所述高分子微粘缓冲膜。2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述金属箔层的一侧涂覆硅胶微粘剂制作硅胶微粘层的步骤，包括：提供所述硅胶微粘剂的第一组成混合物；提供所述硅胶微粘剂的第二组成混合物；充分混合所述第一组成混合物和第二组成混合物，制成所述硅胶微粘剂；在所述金属箔层的一侧涂覆硅胶微粘剂，熟化后制成所述硅胶微粘层。3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第一组成混合物包括乙烯基硅油、白炭黑、含羟基的MQ硅树脂、催化剂以及稀释剂；其中，所述乙烯基硅油采用粘度为100
‑
5000mPa.s的乙烯基硅油，所述乙烯基硅油占比重为40
‑
90份；所述白炭黑采用比表面积100
‑
400m2/g的白炭黑，所述白炭黑占比重为0
‑
25份；所述含羟基的MQ硅树脂采用羟基含量为1
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15％的含羟基的MQ硅树脂，所述含羟基的MQ硅树脂占比重为0
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30份；所述催化剂采用铂或铑金属的催化剂，所述催化剂占比重为0
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5份；所述稀释剂为含量100
‑
10000PPM的稀释剂，所述稀释剂占比重为0.05
‑
5份。4.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述第二组成混合物包括乙烯基硅油、白炭黑、含羟基的MQ硅树脂、MQ含氢硅树脂、线性含氢硅油以及乙炔类抑制剂；其中，所述乙烯基硅油采用粘度为100
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5000mPa.s的乙烯基硅油，所述乙烯基硅油占比重为30

【专利技术属性】
技术研发人员：罗红军，蔡高明，杨桂林，
申请(专利权)人：深圳市瑞昌星科技有限公司，
类型：发明
国别省市：