一种存储器件，包括：单元堆叠结构，在衬底上，该单元堆叠结构包括交替堆叠的绝缘层和栅极图案；构道结构，穿过单元堆叠结构，该构道结构沿竖直方向延伸；虚设结构，在衬底上，该虚设结构与单元堆叠结构间隔开，并且该虚设结构包括交替堆叠的绝缘层和金属图案；第一通孔接触，穿过虚设结构，该第一通孔接触沿竖直方向延伸；以及第一封盖绝缘图案，在第一通孔接触的侧壁和虚设结构中的金属图案中的每一个之间，该第一封盖绝缘图案将第一通孔接触与金属图案中的每一个绝缘。图案中的每一个绝缘。图案中的每一个绝缘。
【技术实现步骤摘要】
存储器件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]于2020年9月29日在韩国知识产权局提交的题为“Memory Device”的韩国专利申请No.10
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2020
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0126569通过引用整体并入本文。
[0003]示例实施例涉及一种存储器件和包括该存储器件的电子系统。
技术介绍
[0004]在需要数据存储的电子系统中，可能需要能够存储大容量数据的半导体器件。为了半导体器件的集成，可以开发存储单元沿竖直方向堆叠的竖直非易失性存储器件。竖直存储器件可以具有外围上单元(COP)结构，其中外围电路形成在衬底上，并且包括堆叠存储单元的单元堆叠结构形成在外围电路上。竖直存储器件可以包括用于连接存储单元和外围电路的通孔接触。
技术实现思路
[0005]根据示例实施例，提供了一种存储器件，该存储器件可以包括衬底上的单元堆叠结构、穿过单元堆叠结构的沟道结构、衬底上的虚设结构、穿过虚设结构的第一通孔接触、以及第一封盖绝缘图案。单元堆叠结构可以包括交替堆叠的绝缘层和栅极图案。沟道结构可以沿竖直方向延伸。虚设结构可以与单元堆叠结构间隔开以与单元堆叠结构相邻。虚设结构可以包括交替堆叠的绝缘层和金属图案。第一通孔接触可以沿竖直方向延伸。第一封盖绝缘图案可以在第一通孔接触的侧壁和金属图案中的每一个之间。第一通孔接触和金属图案中的每一个可以通过第一封盖绝缘图案彼此绝缘。
[0006]根据示例实施例，提供了一种存储器件，该存储器件可以包括形成在衬底上的电路图案、电路图案上的基底半导体图案、基底半导体图案上的单元堆叠结构、穿过单元堆叠结构并沿竖直方向延伸的沟道结构、基底半导体图案上的虚设结构、穿过虚设结构并沿竖直方向延伸的第一通孔接触、以及第一封盖绝缘图案。单元堆叠结构可以包括交替堆叠的绝缘层和栅极图案。沟道结构可以包括电连接到基底半导体图案的沟道。虚设结构可以与单元堆叠结构间隔开以与单元堆叠结构相邻。虚设结构包括交替堆叠的绝缘层和金属图案。第一通孔接触电连接到电路图案。第一封盖绝缘图案可以在第一通孔接触的侧壁和金属图案中的每一个之间。第一通孔接触和金属图案中的每一个可以通过第一封盖绝缘图案彼此绝缘。单元堆叠结构中的栅极图案可以包括与虚设结构中的金属图案的材料相同的材料。
[0007]根据示例实施例，提供了一种电子系统，该电子系统可以包括存储器件和用于控制该存储器件的控制器。控制器可以通过存储器件的输入/输出焊盘电连接到存储器件。存储器件可以包括衬底上的外围电路图案、外围电路图案上的单元堆叠结构、穿过单元堆叠结构并沿竖直方向延伸的沟道结构、外围电路图案上的虚设结构、穿过虚设结构并沿竖直
方向延伸的第一通孔接触、第一封盖绝缘图案和输入/输出焊盘。单元堆叠结构可以包括交替堆叠的绝缘层和栅极图案。虚设结构可以与单元堆叠结构间隔开以与单元堆叠结构相邻。虚设结构可以包括交替堆叠的绝缘层和金属图案。第一通孔接触可以电连接到外围电路图案。第一封盖绝缘图案可以在第一通孔接触的侧壁和金属图案中的每一个之间。第一通孔接触和金属图案中的每一个可以通过第一封盖绝缘图案彼此绝缘。输入/输出焊盘可以电连接到外围电路图案。
附图说明
[0008]通过参考附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员将变得显而易见，在附图中：
[0009]图1是根据示例实施例的包括半导体器件的电子系统的示意图；
[0010]图2是根据示例实施例的包括半导体器件的电子系统的示意性透视图；
[0011]图3和图4是示意性地示出了根据示例实施例的半导体封装的截面图；
[0012]图5是根据示例实施例的半导体封装的示意性截面图；
[0013]图6是示出了根据示例实施例的NAND闪存器件的截面图；
[0014]图7A和图7B是NAND闪存器件中的虚设结构的一部分的放大截面图；
[0015]图8是示出了根据示例实施例的NAND闪存器件的平面图；
[0016]图9A和图9B是示出了根据示例实施例的NAND闪存器件的截面图；
[0017]图10A和图10B是示出了根据示例实施例的NAND闪存器件的截面图；
[0018]图11至图28是根据示例实施例的制造NAND闪存器件的方法中的各阶段的截面图和平面图；
[0019]图29是示出了根据示例实施例的NAND闪存器件的截面图；
[0020]图30至图32分别是示出了根据示例实施例的NAND闪存器件的截面图；
[0021]图33是示出了根据示例实施例的NAND闪存器件的截面图；
[0022]图34分别是图33中的F部分和G部分的放大截面图；以及
[0023]图35至图39是根据示例实施例的制造NAND闪存器件的方法中的各阶段的截面图。
具体实施方式
[0024]在下文中，基本垂直于衬底的上表面的方向被限定为竖直方向，并且在基本平行于衬底的上表面的水平方向上彼此相交的两个方向分别被限定为第一方向和第二方向。在示例实施例中，第一方向和第二方向可以彼此垂直。
[0025]图1示出了根据示例实施例的包括半导体器件的电子系统的示意图。
[0026]参照图1，根据示例实施例的电子系统1000可以包括半导体器件1100和电连接到半导体器件1100的控制器1200。电子系统1000可以是包括一个或多个半导体器件1100的存储器件或包括存储器件的电子设备。例如，电子系统1000可以是包括一个或多个半导体器件1100的固态驱动设备(SSD)、通用串行总线(USB)、计算系统、医疗设备或通信设备。
[0027]半导体器件1100可以是非易失性存储器件。例如，半导体器件1100可以是参照图6至图39所示的NAND闪存器件之一。
[0028]半导体器件1100可以包括第一结构1100F和第一结构1100F上的第二结构1100S。
第一结构1100F可以是包括解码器电路1110、页缓冲器1120和逻辑电路1130的外围电路结构。第二结构1100S可以包括位线BL、公共源极线CSL、字线WL、第一栅极上线UL1和第二栅极上线UL2、第一栅极下线LL1和第二栅极下线LL2、以及位线BL和公共源极线CSL之间的存储单元串CSTR。第二结构1100S可以用作存储单元结构。
[0029]控制器1200可以包括处理器1210、NAND控制器1220和主机接口(I/F)1230。在示例实施例中，电子系统1000可以包括多个半导体器件1100。在这种情况下，控制器1200可以控制多个半导体器件1100。
[0030]处理器1210可以控制包括控制器1200的电子系统1000的整体操作。处理器1210可以根据固件进行操作。处理器1210可以控制NAND控制器1220，使得半导体器件1100可以被访问。NAND控制器1220可以包括用于与半导体器件1100通信的NAND接口(I/F)1221。用于控制半导体器件1100的控制命令、用于写入半导体器本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储器件，包括：衬底；单元堆叠结构，在所述衬底上，所述单元堆叠结构包括交替堆叠的绝缘层和栅极图案；构道结构，穿过所述单元堆叠结构，所述沟道结构沿竖直方向延伸；虚设结构，在所述衬底上，所述虚设结构与所述单元堆叠结构间隔开，并且所述虚设结构包括交替堆叠的所述绝缘层和金属图案；第一通孔接触，穿过所述虚设结构，所述第一通孔接触沿所述竖直方向延伸；以及第一封盖绝缘图案，在所述第一通孔接触的侧壁和所述虚设结构中的所述金属图案中的每一个之间，所述第一封盖绝缘图案将所述第一通孔接触与所述金属图案中的每一个绝缘。2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第一封盖绝缘图案包括氧化硅。3.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第一封盖绝缘图案具有接触所述金属图案中的每一个的侧壁并围绕所述第一通孔接触的侧壁的环形形状。4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述单元堆叠结构中的所述栅极图案和所述虚设结构中的所述金属图案包括相同的材料。5.根据权利要求1所述的存储器件，还包括沿平行于所述衬底的上表面的第一方向延伸的沟槽，所述单元堆叠结构和所述虚设结构被布置为沿所述沟槽的侧壁在所述第一方向上彼此相邻。6.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述虚设结构中的所述金属图案中的每一个在与所述单元堆叠结构中的所述栅极图案中的每一个对应栅极图案的竖直高度相同的竖直高度处。7.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述单元堆叠结构包括：第一单元堆叠结构，包括交替堆叠的所述绝缘层的第一绝缘层和所述栅极图案的第一栅极图案；以及第二单元堆叠结构，在所述第一单元堆叠结构上，所述第二单元堆叠结构包括交替堆叠的所述绝缘层的第二绝缘层和所述栅极图案的第二栅极图案。8.根据权利要求7所述的存储器件，其中，所述虚设结构在与所述第二单元堆叠结构的竖直高度相同的竖直高度处。9.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述虚设结构在与所述单元堆叠结构的竖直高度相同的竖直高度处。10.根据权利要求1所述的存储器件，还包括：电路图案，在所述衬底上；以及基底半导体图案，在所述电路图案上，所述第一通孔接触穿过所述基底半导体图案，并且所述第一通孔接触电连接到所述电路图案。11.根据权利要求1所述的存储器件，还包括：第二通孔接触，穿过所述单元堆叠结构，所述第二通孔接触沿所述竖直方向延伸；以及第二封盖绝缘图案，在所述第二通孔接触的侧壁和所述栅极图案中的每一个之间，所述第二封盖绝缘图案将所述第二通孔接触与所述栅极图案中的每一个绝缘。12.根据权利要求1所述的存储器件，还包括接触所述栅极图案中的每一个的阶梯部分
的上表面的单元接触插塞，所述单元堆叠结构的所述栅极图案中的每一个的边缘包括所述阶梯部分，以限定所述单元堆叠结构的阶梯形状轮廓。13.根据权利要求1所述的存储器件，还包括：单元接触插塞，接...
【专利技术属性】
技术研发人员：权炯辉，金俊锡，林钟欣，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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