提供了存储器装置和包括存储器装置的电子系统，所述存储器装置包括：基底；地选择线，位于基底上，切割部分切割地选择线；第一绝缘层和第一字线，直接堆叠在地选择线上方；以及第二绝缘层和第二字线，交替地堆叠在第一字线上，其中，第一字线包括从切割部分横向地偏移的第一部分和上覆切割部分的第二部分，第一字线的第一部分具有第一厚度，第一字线的第二部分具有比第一厚度小的第二厚度。分具有比第一厚度小的第二厚度。分具有比第一厚度小的第二厚度。
【技术实现步骤摘要】
存储器装置和包括存储器装置的电子系统
[0001]于2020年9月16日在韩国知识产权局提交且名称为“存储器装置和包括存储器装置的电子系统”的第10
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2020
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0119098号韩国专利申请通过引用全部包含于此。
[0002]实施例涉及存储器装置和包括存储器装置的电子系统。
技术介绍
[0003]在用于数据存储的电子系统中，可以使用能够存储高容量数据的半导体装置。为了半导体装置的集成度，可以考虑其中存储器单元沿竖直方向堆叠的垂直非易失性存储器装置。
技术实现思路
[0004]实施例可以通过提供一种存储器装置来实现，所述存储器装置包括：基底；地选择线，位于基底上，切割部分切割地选择线；第一绝缘层和第一字线，直接堆叠在地选择线上方；以及第二绝缘层和第二字线，交替地堆叠在第一字线上，其中，第一字线包括从切割部分横向地偏移的第一部分和上覆切割部分的第二部分，第一字线的第一部分具有第一厚度，第一字线的第二部分具有比第一厚度小的第二厚度。
[0005]实施例可以通过提供一种存储器装置来实现，所述存储器装置包括：基底；电路图案，位于基底上；基体半导体图案，位于电路图案上；地选择线，位于基体半导体图案上，切割部分切割地选择线；第一绝缘层和第一字线，直接堆叠在地选择线上方；下绝缘图案，穿过第一绝缘层的一部分以及切割部分；第二绝缘层和第二字线，交替地堆叠在第一字线上；以及沟道结构，穿过地选择线、第一绝缘层、第一字线、第二绝缘层和第二字线，沟道结构沿竖直方向延伸，其中，第一字线包括从切割部分横向地偏移的第一部分和上覆切割部分的第二部分，第一字线的第一部分具有第一厚度，第一字线的第二部分具有比第一厚度小的第二厚度，下绝缘图案的上表面突出到第一字线的在第一字线的第一部分处的下表面的上方。
[0006]实施例可以通过提供一种电子系统来实现，所述电子系统包括：存储器装置；以及控制器，被配置为控制存储器装置，控制器通过存储器装置的输入/输出垫电连接到存储器装置，其中，存储器装置包括：基底、位于基底上的外围电路图案、位于基底上的地选择线、直接堆叠在地选择线上方的第一绝缘层和第一字线、交替地堆叠在第一字线上的第二绝缘层和第二字线以及输入/输出垫，输入/输出垫电连接到外围电路图案，切割部分切割地选择线，其中，第一字线包括从切割部分横向地偏移的第一部分和上覆切割部分的第二部分，其中，第一字线的第一部分具有第一厚度，其中，第一字线的第二部分具有比第一厚度小的第二厚度。
附图说明
[0007]通过参照附图详细地描述示例性实施例，特征对本领域技术人员而言将是清楚的，在附图中：
[0008]图1是根据示例实施例的包括半导体装置的电子系统的图；
[0009]图2是根据示例实施例的包括半导体装置的电子系统的透视图；
[0010]图3和图4是根据示例实施例的半导体封装件的剖视图；
[0011]图5至图25是根据示例实施例的制造NAND闪存装置的方法中的阶段的剖视图和平面图；
[0012]图26至图28是根据示例实施例的制造NAND闪存装置的方法中的阶段的剖视图；
[0013]图29和图30是NAND闪存装置中的地选择线的切割部分和第一字线的一部分的放大剖视图和放大剖切透视图；
[0014]图31是根据示例实施例的NAND闪存装置的剖视图；
[0015]图32至图34是根据一些示例实施例的制造NAND闪存装置的方法中的阶段的剖视图；
[0016]图35是根据示例实施例的NAND闪存装置的剖视图；
[0017]图36是根据示例实施例的NAND闪存装置的剖视图；
[0018]图37是根据示例实施例的NAND闪存装置的剖视图；以及
[0019]图38是根据示例实施例的NAND闪存装置的剖视图。
具体实施方式
[0020]图1是根据示例实施例的包括半导体装置的电子系统的图。
[0021]参照图1，根据示例实施例的电子系统1000可以包括半导体装置1100以及电连接到半导体装置1100的控制器1200。电子系统1000可以是包括一个或更多个半导体装置1100的存储装置或者包括存储装置的电子装置。在实施方式中，电子系统1000可以是包括一个或更多个半导体装置1100的固态驱动装置(SSD)、通用串行总线(USB)装置、计算系统、医疗装置或通信装置。
[0022]半导体装置1100可以是非易失性存储器装置。在实施方式中，半导体装置1100可以是参照图5至图38示出的NAND闪存装置中的一个。
[0023]半导体装置1100可以包括第一结构1100F以及在第一结构1100F上的第二结构1100S。在实施方式中，第一结构1100F可以在第二结构1100S旁边(例如，与第二结构1100S横向地相邻)。第一结构1100F可以是包括解码器电路1110、页缓冲器1120和逻辑电路1130的外围电路结构。第二结构1100S可以包括位线BL、共源极线CSL、字线WL、第一栅极上线UL1和第二栅极上线UL2、第一栅极下线LL1和第二栅极下线LL2以及在位线BL与共源极线CSL之间的存储器单元串CSTR。第二结构1100S可以用作存储器单元结构。
[0024]在第二结构1100S中，存储器单元串CSTR中的每个可以包括与共源极线CSL相邻的下晶体管LT1和LT2、与位线BL相邻的上晶体管UT1和UT2以及设置在下晶体管LT1和LT2与上晶体管UT1和UT2之间的多个存储器单元晶体管MCT。可以根据实施例而各种不同地修改下晶体管LT1和LT2的数量以及上晶体管UT1和UT2的数量。
[0025]在实施方式中，上晶体管UT1和UT2可以包括串选择晶体管，下晶体管LT1和LT2可
以包括地选择晶体管。栅极下线LL1和LL2可以分别连接到下晶体管LT1和LT2的栅电极。字线WL可以连接到存储器单元晶体管MCT的栅电极，栅极上线UL1和UL2可以分别连接到上晶体管UT1和UT2的栅电极。
[0026]在实施方式中，下晶体管LT1和LT2可以包括串联连接的下擦除控制晶体管LT1和地选择晶体管LT2。上晶体管UT1和UT2可以包括串联连接的串选择晶体管UT1和上擦除控制晶体管UT2。下擦除控制晶体管LT1和上擦除控制晶体管UT2中的至少一个可以擦除存储在存储器单元晶体管MCT中的数据，数据可以通过利用栅极感应漏极泄漏(GIDL)被擦除。
[0027]共源极线CSL、第一栅极下线LL1和第二栅极下线LL2、字线WL以及第一栅极上线UL1和第二栅极上线UL2可以通过从第一结构1100F延伸到第二结构1100S的第一连接布线1115而电连接到解码器电路1110。位线BL可以通过从第一结构1100F延伸到第二结构1100S的第二连接布线1125而电连接到页缓冲器1120。
[0028]在第一结构1100F中，解码器电路1110和页缓冲器1120可以控制多个存储器单元晶体管MCT之中的至本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：基底；地选择线，位于基底上，切割部分切割地选择线；第一绝缘层和第一字线，直接堆叠在地选择线上方；以及第二绝缘层和第二字线，交替地堆叠在第一字线上，其中：第一字线包括从切割部分横向地偏移的第一部分和上覆切割部分的第二部分，第一字线的第一部分具有第一厚度，并且第一字线的第二部分具有比第一厚度小的第二厚度。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中：切割部分包括穿过第一绝缘层并切割地选择线的第一开口，并且下绝缘图案位于第一开口中。3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，下绝缘图案的上表面突出到第一字线的在第一字线的第一部分处的下表面的上方。4.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，下绝缘图案包括氧化硅。5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中：第一字线的上表面在第一部分和第二部分处是平坦的，并且第一字线的第二部分的下表面相对于第一字线的第一部分的下表面向内凹陷，使得第一字线的下表面是不平坦的。6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，第二字线中的每条具有第一厚度。7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，第二字线的上表面是平坦的，并且第二字线的下表面是平坦的。8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，第一绝缘层具有比第二绝缘层的厚度大的厚度。9.根据权利要求1所述的存储器装置，所述存储器装置还包括：电路图案，位于基底上；以及基体半导体图案，位于电路图案上，其中，地选择线位于基体半导体图案上。10.一种存储器装置，所述存储器装置包括：基底；电路图案，位于基底上；基体半导体图案，位于电路图案上；地选择线，位于基体半导体图案上，切割部分切割地选择线；第一绝缘层和第一字线，直接堆叠在地选择线上方；下绝缘图案，穿过第一绝缘层的一部分以及切割部分；第二绝缘层和第二字线，交替地堆叠在第一字线上；以及沟道结构，穿过地选择线、第一绝缘层、第一字线、第二绝缘层和第二字线，沟道结构沿竖直方向延伸，其中：
第一字线包括从切割部分横向地偏移的第一部分和上覆切割部分的第二部分，第一字线的第一部分具有第一厚度，第一字线的第二部分具有比第一厚度小的第二厚度，并且下绝缘图案的上表面突出到第一字线的在第...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑基容，金在炯，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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