一种全彩Micro-LED及其制备方法和显示装置制造方法及图纸

本申请提供一种全彩Micro

【技术实现步骤摘要】
一种全彩Micro
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LED及其制备方法和显示装置


[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及一种全彩Micro
‑
LED及其制备方法和显示装置。

技术介绍

[0002]Micro
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LED为微型化LED阵列结构，具有自发光显示特性，其技术优势包括全固态、长寿命、高亮度、低功耗、体积较小、超高分辨率、可应用于高温或辐射等极端环境。相较于同为自发光显示的OLED技术，Micro
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LED不仅效率较高、寿命较长，材料不易受到环境影响而相对稳定，也能避免产生残影现象等。对于如此微小的LED芯片，采用传统的RGB三色列阵实现全彩就相对复杂，需要将多种Micro
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LED芯片进行巨量转移，良率低。
[0003]量子点有高能力的吸光
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发光效率、很窄的半高宽、宽吸收频谱等特性，因此拥有很高的色彩纯度与饱和度，具有结构简单、薄型化、可卷曲的特点，非常适用于Micro Display的应用。但是如何将量子点结合到Micro<br/>‑
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种全彩Micro
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LED的制备方法，其特征在于，包括：制备镂空金属层，将金属板进行镂刻，得到包括多个镂空点的镂空金属层；将所述镂空金属层键合到单色Micro
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LED阵列上，所述单色Micro
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LED阵列包括多个Micro
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LED芯片，使所述镂空点分别对应所述Micro
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LED芯片；在所述镂空点设置红色量子点和绿色量子点，以在所述镂空金属层形成多个光转换单元，且每个所述光转换单元包括一红色量子点、一绿色量子点和一无量子点的镂空点。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述单色Micro
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LED阵列的多个Micro
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LED芯片之间设置有挡光墙，所述镂空金属层对应所述挡光墙设置。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述单色Micro
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LED阵列为倒装单色Micro
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LED阵列，所述挡光墙不穿透所述单色Micro
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LED阵列的表面。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述单色Micro
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LED阵列的制备方法，包括：在蓝光LED外延片进行刻蚀得到台面和凹槽；向所述凹槽内沉积挡光材料，得到带有挡光墙的蓝光LED外延片；将所述带有挡光墙的蓝光LED外延片进行倒转焊点得到所述单色Micro
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【专利技术属性】
技术研发人员：王永红，杨启伟，李岳，
申请(专利权)人：深圳市思坦科技有限公司，
类型：发明
国别省市：