一种全彩Micro-LED及其制备方法和显示装置制造方法及图纸

本申请提供一种全彩Micro

【技术实现步骤摘要】
一种全彩Micro
‑
LED及其制备方法和显示装置


[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及一种全彩Micro
‑
LED及其制备方法和显示装置。

技术介绍

[0002]Micro
‑
LED为微型化LED阵列结构，具有自发光显示特性，其技术优势包括全固态、长寿命、高亮度、低功耗、体积较小、超高分辨率、可应用于高温或辐射等极端环境。相较于同为自发光显示的OLED技术，Micro
‑
LED不仅效率较高、寿命较长，材料不易受到环境影响而相对稳定，也能避免产生残影现象等。对于如此微小的LED芯片，采用传统的RGB三色列阵实现全彩就相对复杂，需要将多种Micro
‑
LED芯片进行巨量转移，良率低。
[0003]量子点有高能力的吸光
‑
发光效率、很窄的半高宽、宽吸收频谱等特性，因此拥有很高的色彩纯度与饱和度，具有结构简单、薄型化、可卷曲的特点，非常适用于Micro Display的应用。但是如何将量子点结合到Micro
‑
LED上，仍然是本领域技术人员需要解决的问题，现有的量子点结合方式较为复杂。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于提供一种全彩Micro
‑
LED的制备方法，以简化量子点与Micro
‑
LED的结合方式。
[0005]为实现以上目的，本申请提供一种全彩Micro
‑
LED的制备方法，包括：/>[0006]制备镂空金属层，将金属板进行镂刻，得到包括多个镂空点的镂空金属层；
[0007]将所述镂空金属层键合到单色Micro
‑
LED阵列上，所述单色Micro
‑
LED阵列包括多个Micro
‑
LED芯片，使所述镂空点分别对应所述Micro
‑
LED芯片；
[0008]在所述镂空点设置红色量子点和绿色量子点，以在所述镂空金属层形成多个光转换单元，且每个所述光转换单元包括一红色量子点、一绿色量子点和一无量子点的镂空点。
[0009]优选地，所述单色Micro
‑
LED阵列的多个Micro
‑
LED芯片之间设置有挡光墙，所述镂空金属层对应所述挡光墙设置。
[0010]优选地，所述单色Micro
‑
LED阵列为倒装单色Micro
‑
LED阵列，所述挡光墙不穿透所述单色Micro
‑
LED阵列的表面。
[0011]优选地，所述单色Micro
‑
LED阵列的制备方法，包括：
[0012]在蓝光LED外延片进行刻蚀得到台面和凹槽；
[0013]向所述凹槽内沉积挡光材料，得到带有挡光墙的蓝光LED外延片；
[0014]将所述带有挡光墙的蓝光LED外延片进行倒转焊点得到所述单色Micro
‑
LED阵列。
[0015]优选地，所述在蓝光LED外延片进行刻蚀得到台面和凹槽之后，还包括：
[0016]在所述台面上沉积电流扩散层；
[0017]在所述电流扩散层和所述凹槽沉积金属层，形成电极结构；
[0018]在所述金属层上沉积钝化层。
[0019]优选地，所述将所述带有挡光墙的蓝光LED外延片进行倒转焊点得到所述单色Micro
‑
LED阵列，包括：
[0020]在所述带有挡光墙的蓝光LED外延片上沉积形成基板；
[0021]对所述台面上的基板进行刻蚀，以刻蚀出电极接触孔；
[0022]在所述电极接触孔处沉积金属焊点，得到所述单色Micro
‑
LED阵列。
[0023]优选地，使用喷墨打印方式将不同的量子点溶液以设定速度压入所述镂空点，形成红色量子点和绿色量子点。
[0024]优选地，对打印好的量子点溶液进行烘干处理或低温抽真空处理，以使量子点溶液中的良性溶剂蒸发，保留像素级的量子点。
[0025]优选地，所述金属板的厚度为3um～18um。
[0026]优选地，所述金属板的材质为铝或金。
[0027]本申请还提供一种全彩Micro
‑
LED，采用上述的一种全彩Micro
‑
LED的制备方法制备得到。
[0028]本申请还提供一种显示装置，包括上述的全彩Micro
‑
LED。
[0029]与现有技术相比，本申请的有益效果包括：
[0030]本申请提供的全彩Micro
‑
LED的制备方法用于制备将量子点结合到Micro
‑
LED的全彩Micro
‑
LED，由于仅需要采用单色Micro
‑
LED阵列，因此不存在将多种Micro LED芯片进行巨量转移的问题，可以大大提高良率低。同时仅采用单色Micro
‑
LED阵列，各Micro
‑
LED阵列的寿命与衰减速率均一致，可以避免由于不同颜色的Micro
‑
LED的寿命和衰减速率不一样造成的显示色偏。
[0031]通过使用镂空金属层作为量子点的结构层，金属层镂空操作简易，采用金属做为量子点之间的隔离墙，一方面可以防止量子点之间发生光串扰，另一方面金属起到反射光的作用，使量子点发射的光不会发生散射，量子点发光更强，提高蓝光利用率。通过先将镂空金属层键合到单色Micro
‑
LED阵列上，再在镂空金属层内设置量子点，可以减少量子点翻转到单色Micro
‑
LED阵列上的步骤工艺，使其制作更简单。
[0032]另外，通过该全彩Micro
‑
LED的制备方法得到的全彩Micro
‑
LED量子点不与多量子肼有源区以及P型层直接接触，避免P型层升温影响量子点寿命，以及避免量子点对多量子肼有源区的性能影响。
附图说明
[0033]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对本申请范围的限定。
[0034]图1为本专利技术的全彩Micro
‑
LED的制备方法的流程示意图；
[0035]图2为本专利技术的全彩Micro
‑
LED的制备方法的制备过程示意图；
[0036]图3为本专利技术的镂空金属层的立体示意图。
[0037]附图标记为：
[0038]100
‑
全彩Micro
‑
LED；20
‑
单色Micro
‑
LED阵列；22
‑
Micro
‑
LED芯片；1
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种全彩Micro
‑
LED的制备方法，其特征在于，包括：制备镂空金属层，将金属板进行镂刻，得到包括多个镂空点的镂空金属层；将所述镂空金属层键合到单色Micro
‑
LED阵列上，所述单色Micro
‑
LED阵列包括多个Micro
‑
LED芯片，使所述镂空点分别对应所述Micro
‑
LED芯片；在所述镂空点设置红色量子点和绿色量子点，以在所述镂空金属层形成多个光转换单元，且每个所述光转换单元包括一红色量子点、一绿色量子点和一无量子点的镂空点。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述单色Micro
‑
LED阵列的多个Micro
‑
LED芯片之间设置有挡光墙，所述镂空金属层对应所述挡光墙设置。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述单色Micro
‑
LED阵列为倒装单色Micro
‑
LED阵列，所述挡光墙不穿透所述单色Micro
‑
LED阵列的表面。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述单色Micro
‑
LED阵列的制备方法，包括：在蓝光LED外延片进行刻蚀得到台面和凹槽；向所述凹槽内沉积挡光材料，得到带有挡光墙的蓝光LED外延片；将所述带有挡光墙的蓝光LED外延片进行倒转焊点得到所述单色Micro
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【专利技术属性】
技术研发人员：王永红，杨启伟，李岳，
申请(专利权)人：深圳市思坦科技有限公司，
类型：发明
国别省市：