LED器件及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

技术编号:33033930 阅读:11 留言:0更新日期:2022-04-15 09:11
本公开提供了一种LED器件的制备方法、LED器件及显示装置。所述LED器件的制备方法包括:在电路基板上设置多个LED芯片,所述多个LED芯片包括衬底;在所述衬底远离所述电路基板的一侧设置四分之一波片;在所述四分之一波片远离所述衬底的一侧设置偏光层;在所述偏光层远离所述四分之一波片的一侧设置封装层,以形成所述LED器件。本公开的LED器件的制备方法及LED器件,通过结合应用四分之一波片和偏光层,有效降低了LED器件对环境光的反射,从而降低了环境光对LED器件发光的影响,提高了LED器件的环境光对比度。环境光对比度。环境光对比度。

【技术实现步骤摘要】
LED器件及其制备方法、显示装置


[0001]本公开涉及LED的
,具体而言,涉及一种LED器件的制备方法、LED器件及显示装置。

技术介绍

[0002]近年来,微型发光二极管(Micro Light

Emitting Diode,以下简称为Micro

LED)在许多领域引起了极大的关注,它具有自发光、高亮度、高效率、低功耗、长寿命和宽工作环境等优越性能。Micro

LED作为新一代显示技术,其应用领域很广,包括很多先进显示应用,如头戴式显示器(HMD)、平视显示器(HUD)、智能手表、AR/VR眼镜等可穿戴显示器等,其中,智能手表,AR/VR都有室外使用的场景,它既需要高环境光对比度,又需要高可靠性和低能耗。
[0003]其中,环境光对比度(ACR),即环境光照明下的对比度,其是评价自发光显示器性能的重要参考指标之一。然而,现有LED显示屏的对比度较低,且受环境光的影响较大。

技术实现思路

[0004]为了至少解决
技术介绍
中提到的技术问题之一,本公开的方案提供了一种LED器件的制备方法、LED器件及显示装置。
[0005]根据本公开实施例的一个方面,提供了一种LED器件的制备方法,其中,所述方法包括:在电路基板上设置多个LED芯片,所述多个LED芯片包括衬底;在所述衬底远离所述电路基板的一侧设置四分之一波片;在所述四分之一波片远离所述衬底的一侧设置偏光层;在所述偏光层远离所述四分之一波片的一侧设置封装层,以形成所述LED器件。本公开实施例通过在LED芯片的出光面设置四分之一波片和偏光层,使得入射LED器件的环境光折返后从LED器件射出的比例降低,从而有效降低了环境光对LED器件发光的影响,提高了LED器件的环境光对比度。
[0006]可选地,在所述衬底远离所述电路基板的一侧设置四分之一波片包括:在所述衬底远离所述电路基板的一侧设置二向色性染料;对所述二向色性染料进行光学诱导,使其具有一定取向;在所述二向色性染料远离所述衬底的一侧设置液晶材料,以获得所述四分之一波片。其中,所述二向色性染料包括:蕙醒染料、偶氮染料、韭类染料、聚环染料等中的任意一种,优选偶氮染料。本公开的一个实施例通过将二向色性染料取向,使其上设置的液晶材料取向,从而获得四分之一波片。
[0007]可选地,在所述衬底远离所述电路基板的一侧设置四分之一波片包括:对所述衬底远离所述LED芯片的一侧进行处理,使其表面形成具有一定取向的纹理结构;在所述衬底具有纹理结构的一侧设置液晶材料,以获得所述四分之一波片。本公开的另一实施例通过对衬底进行处理,使其表面形成具有一定取向的纹理结构,进而限定其上设置的液晶材料的取向,获得四分之一波片。
[0008]可选地,在所述衬底远离所述电路基板的一侧设置四分之一波片包括:在所述衬
底远离所述电路基板的一侧设置双折射晶体材料,以获得所述四分之一波片。其中,所述双折射晶体包括:钒酸钇(YVO4)、铌酸锂(LiNbO3)、冰洲石(Iceland spar)、α

偏硼酸钡(a

BBO)中的任意一种。
[0009]可选地,在所述衬底远离所述电路基板的一侧设置四分之一波片之前,所述方法还包括:对所述衬底远离所述电路基板的一侧进行研磨减薄;对减薄后的所述衬底进行抛光,以便在抛光后的衬底上设置所述四分之一波片。对衬底进行研磨,使衬底减薄,并通过抛光使衬底表面光滑,获得透明衬底。
[0010]可选地,在所述四分之一波片远离所述衬底的一侧设置偏光层包括:在所述四分之一波片远离所述衬底的一侧设置二向色性染料;对所述二向色性染料进行光学诱导,使其具有一定取向,以获得所述偏光层。
[0011]可选地,在所述四分之一波片远离所述衬底的一侧设置偏光层包括:将具有偏振膜的透明基板与所述四分之一波片远离所述衬底的一侧相对设置,以获得所述偏光层;其中,所述偏振膜位于所述透明基板与所述四分之一波片之间。其中,所述透明基板包括聚酰亚胺薄膜、玻璃、石英、蓝宝石片中的任意一种。
[0012]可选地,所述透明基板还包括牺牲层,所述牺牲层位于所述透明基板与所述偏振膜之间。
[0013]可选地,将具有偏振膜的透明基板与所述四分之一波片远离所述衬底的一侧相对设置之后,在所述四分之一波片远离所述衬底的一侧设置偏光层还包括:将所述透明基板进行剥离。
[0014]可选地,所述四分之一波片的光轴方向与所述偏光层的偏振方向的夹角为45
°
。在该角度下,入射LED器件的环境光折返后依次经四分之一波片和偏光层,出现消光现象,有效抑制了LED器件对环境光的反射,降低了环境光对LED器件发光的影响。
[0015]可选地,在所述偏光层远离所述四分之一波片的一侧设置封装层包括:将减反材料涂覆于所述偏光层远离所述四分之一波片的一侧,形成所述封装层。本公开实施例采用减反材料作为封装层,不仅可以保护LED芯片,而且可以降低LED器件对环境光的反射,从而提高LED器件的环境光对比度。
[0016]可选地,所述减反材料包覆所述LED器件。采用减反材料包覆LED器件,可以有效降低LED器件侧面对环境光的反射,进一步提高LED器件的环境光对比度。
[0017]可选地,所述减反材料包括哑光粉。
[0018]可选地,所述方法还包括:在所述衬底上设置多个LED芯片;其中,所述LED芯片包括P电极,所述P电极包括金属区和至少一条金属线,所述金属区与所述金属线电连接。本公开实施例采用特殊设计的P电极,在保证电流传导率的同时减少P电极的俯视投影面积,从而减少P电极对环境光的反射,提高LED器件的环境光对比度。
[0019]可选地,在所述衬底上设置多个LED芯片包括:在所述衬底上设置多个台面;在所述台面上设置电流扩散层;在所述电流扩散层上设置所述P电极,以获得所述多个LED芯片。电流扩散层的设置,有利于提高电流均匀性,从而改善LED器件的光电性能。
[0020]可选地,在所述衬底上设置多个台面之后,在所述衬底上设置多个LED芯片还包括:对所述多个台面的侧壁进行碱性处理。碱性处理,有利于使台面侧壁尽可能垂直,避免台面侧壁对光的反射,从而可以降低环境光对LED器件的影响,也可以提高LED芯片的出光
效率。
[0021]可选地,在所述台面上设置电流扩散层之后,在所述衬底上设置多个LED芯片还包括:对所述电流扩散层进行双退火处理。对电流扩散层进行双退火,有利于提高电流扩散层的透明度,和/或提高电流扩散层的电导率,同时可以使电流扩散层与半导体层实现欧姆接触。
[0022]可选地,所述电流扩散层包括镍/金双层金属层或氧化铟锡层;所述双退火处理包括:在所述电流扩散层包括镍/金双层金属层的情况下,在第一预设温度下置于N2气体环境中处理第一预设时间,然后在第二预设温度下置于N2和O2混合气体环境中处理第二预设时间,最后进行快速冷却;在所述电流扩散层包括氧化铟锡的情况下,本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED器件的制备方法,其中,所述方法包括:在电路基板上设置多个LED芯片,所述多个LED芯片包括衬底;在所述衬底远离所述电路基板的一侧设置四分之一波片;在所述四分之一波片远离所述衬底的一侧设置偏光层;在所述偏光层远离所述四分之一波片的一侧设置封装层,以形成所述LED器件。2.根据权利要求1所述的LED器件的制备方法,其中,在所述衬底远离所述电路基板的一侧设置四分之一波片包括:在所述衬底远离所述电路基板的一侧设置二向色性染料;对所述二向色性染料进行光学诱导,使其具有一定取向;在所述二向色性染料远离所述衬底的一侧设置液晶材料,以获得所述四分之一波片。3.根据权利要求2所述的LED器件的制备方法,其中,所述二向色性染料为偶氮染料。4.根据权利要求1所述的LED器件的制备方法,其中,在所述衬底远离所述电路基板的一侧设置四分之一波片包括:对所述衬底远离所述LED芯片的一侧进行处理,使其表面形成具有一定取向的纹理结构;在所述衬底具有所述纹理结构的一侧设置液晶材料,以获得所述四分之一波片。5.根据权利要求1所述的LED器件的制备方法,其中,在所述衬底远离所述电路基板的一侧设置四分之一波片包括:在所述衬底远离所述电路基板的一侧设置双折射晶体材料,以获得所述四分之一波片。6.根据权利要求1所述的LED器件的制备方法,其中,在所述衬底远离所述电路基板的一侧设置四分之一波片之前,所述方法还包括:对所述衬底远离所述电路基板的一侧进行研磨减薄;对减薄后的所述衬底进行抛光,以便在抛光后的衬底上设置所述四分之一波片。7.根据权利要求1所述的LED器件的制备方法,其中,在所述四分之一波片远离所述衬底的一侧设置偏光层包括:在所述四分之一波片远离所述衬底的一侧设置二向色性染料;对所述二向色性染料进行光学诱导,使其具有一定取向,以获得所述偏光层。8.根据权利要求1所述的LED器件的制备方法,其中,在所述四分之一波片远离所述衬底的一侧设置偏光层包括:将具有偏振膜的透明基板与所述四分之一波片远离所述衬底的一侧相对设置,以获得所述偏光层;其中,所述偏振膜位于所述透明基板与所述四分之一波片之间。9.根据权利要求8所述的LED器件的制备方法,其中,所述透明基板还包括牺牲层,所述牺牲层位于所述透明基板与所述偏振膜之间。10.根据权利要求9所述的LED器件的制备方法,其中,将具有偏振膜的透明基板与所述四分之一波片远离所述衬底的一侧相对设置之后,在所述四分之一波片远离所述衬底的一侧设置偏光层还包括:将所述透明基板进行剥离。11.根据权利要求1所述的LED器件的制备方法,其中,所述四分之一波片的光轴方向与
所述偏光层的偏振方向的夹角为45
°
。12.根据权利要求1所述的LED器件的制备方...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘召军张珂
申请(专利权)人:深圳市思坦科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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