一种微发光二极管显示结构、显示器及制作方法技术

本申请公开了一种微发光二极管显示结构、显示器及制作方法，涉及半导体技术领域。微发光二极管显示结构制作方法包括：提供衬底，在所述衬底的一表面生长外延层；将所述外延层由所述P型半导体层刻蚀至所述N型半导体层，生成若干个发光单元和若干个挡光墙；至少在所述挡光墙靠近所述发光单元的一侧表面制备反光层。本申请提供的微发光二极管显示结构制作方法加工出的微发光二极管显示结构在使用中可解决光串扰问题。决光串扰问题。决光串扰问题。

【技术实现步骤摘要】
一种微发光二极管显示结构、显示器及制作方法


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种微发光二极管显示结构、显示器及制作方法。

技术介绍

[0002]微发光二极管(Micro
‑
Light Emitting Diode，Micro
‑
LED)是一种近似朗伯光源的显示器件，兼具高亮度、低功耗、快响应、宽视角、自发光、长寿命、高分辨率等诸多优点，符合用户对高质量显示的需求。
[0003]然而，随着Micro
‑
LED的小型化发展，其侧向面积占据整体面积的比值越来越大，使得Micro
‑
LED的侧向发光不可忽视。在全彩Micro
‑
LED显示器件中，相邻两Micro
‑
LED芯片之间易出现光串扰问题，从而造成全彩Micro
‑
LED显示器件对比度、饱和度等下降，影响全彩Micro
‑
LED显示器件的显示效果。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种微发光二极管显示结构、显示器及制作方法，以解决光串扰问题。
[0005]第一方面，本申请提供了：
[0006]一种微发光二极管显示结构制作方法，包括：
[0007]提供衬底，在所述衬底的一表面生长外延层，所述外延层包括层叠设置的N型半导体层、发光层和P型半导体层，所述P型半导体层远离所述衬底设置；
[0008]将所述外延层由所述P型半导体层刻蚀至所述N型半导体层，以生成若干个发光单元和若干个挡光墙，任一所述发光单元周向的至少一侧设置有所述挡光墙；
[0009]至少在所述挡光墙靠近所述发光单元的一侧表面制备反光层。
[0010]在一些可能的实施方式中，所述至少在所述挡光墙靠近所述发光单元的一侧表面制备反光层包括：
[0011]通过薄膜制备方法在所述挡光墙靠近所述发光单元的一侧表面及远离所述发光单元的一侧表面沉积所述反光层，所述反光层的光反射率大于或等于90％。
[0012]在一些可能的实施方式中，所述将所述外延层由所述P型半导体层刻蚀至所述N型半导体层，以生成若干个发光单元和若干个挡光墙包括：
[0013]在所述外延层远离所述衬底的一侧表面设置掩膜层，以确定刻蚀区域和非刻蚀区域，所述若干个发光单元和所述若干个挡光墙位于所述非刻蚀区域；
[0014]通过电感耦合等离子体刻蚀机将所述刻蚀区域刻蚀至所述N型半导体层；
[0015]清洗所述掩膜层。
[0016]在一些可能的实施方式中，在平行于所述衬底的方向，将所述发光单元刻蚀成截面为圆形；
[0017]将所述挡光墙刻蚀为平板状；
[0018]所述挡光墙的长度n大于或等于所述发光单元的直径d1。
[0019]在一些可能的实施方式中，在平行于所述衬底的方向，将所述发光单元刻蚀成截面为正多边形，所述正多边形的边数大于或等于五，使所述挡光墙与所述发光单元周向的一侧面相对；
[0020]所述挡光墙的长度n大于或等于所述发光单元外切圆的直径d2。
[0021]在一些可能的实施方式中，将所述挡光墙环绕所述发光单元的周向设置一圈。
[0022]在一些可能的实施方式中，将所述外延层由所述P型半导体层刻蚀至所述N型半导体层，以生成多个发光单元和多个挡光墙，任意相邻两个所述发光单元之间均设置有所述挡光墙。
[0023]在一些可能的实施方式中，在所述至少在所述挡光墙靠近所述发光单元的一侧表面制备反光层之前还包括：
[0024]在所述外延层远离所述衬底的一侧表面分别制作第一电极和第二电极。
[0025]在一些可能的实施方式中，所述在所述外延层远离所述衬底的一侧表面分别制作第一电极和第二电极包括：
[0026]在所述发光单元远离所述衬底的一侧表面制作透明导电层；
[0027]在所述N型半导体层远离所述衬底的一侧表面蒸镀所述第一电极，在所述透明导电层远离所述衬底的一侧表面蒸镀所述第二电极。
[0028]在一些可能的实施方式中，所述在所述发光单元远离所述衬底的一侧表面制作透明导电层包括：
[0029]通过磁控溅射方法在所述发光单元远离所述衬底的一侧表面沉积所述透明导电层；
[0030]进行快速热退火处理。
[0031]在一些可能的实施方式中，在所述至少在所述挡光墙靠近所述发光单元的一侧表面制备反光层之前还包括：
[0032]在所述外延层远离所述衬底的一侧表面制作保护层，且覆盖所述第一电极及所述第二电极；
[0033]所述反光层位于所述保护层远离所述挡光墙的一侧。
[0034]第二方面，本申请还提供了一种微发光二极管显示结构，包括：
[0035]衬底；
[0036]外延层，远离所述衬底的一侧形成有发光单元和挡光墙，所述挡光墙至少与所述发光单元周向的一侧相对；及
[0037]反光层，至少设置于所述挡光墙靠近所述发光单元的一侧表面。
[0038]在一些可能的实施方式中，所述反光层的厚度设置为10nm～200nm。
[0039]第三方面，本申请还提供了一种显示器，包括若干个如本申请提供的所述微发光二极管显示结构。
[0040]在一些可能的实施方式中，所述显示器包括多个所述微发光二极管显示结构，任意相邻两个所述发光单元之间均设置有所述挡光墙；
[0041]在同一所述微发光二极管显示结构中，所述挡光墙靠近所述发光单元的一侧表面和远离所述发光单元的一侧表面均设置有所述反光层。
[0042]本申请的有益效果是：本申请提出一种微发光二极管显示结构、显示器及制作方法。微发光二极管显示结构的制作方过程中，在刻蚀发光单元时同时刻蚀相应的挡光墙，使得挡光墙至少位于发光单元的一侧，并至少在挡光墙靠近发光单元的一侧表面设置反光层，从而可对发光单元对应的侧向出射光线进行反射阻挡。在具体的显示器应用中，通过设置挡光墙和反光层，可防止相邻两微发光二极管显示结构间出现光串扰问题，进而可提高显示器的对比度、饱和度等，提升显示效果。
附图说明
[0043]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0044]图1示出了一些实施例中微发光二极管显示结构制作方法的流程示意图；
[0045]图2示出了一些实施例中刻蚀发光单元和挡光墙的流程示意图；
[0046]图3示出了一些实施例中制作第一电极和第二电极的流程示意图；
[0047]图4示出了一些实施例中衬底及外延层的初始结构示意图；
[0048]图5示出了一些实施例中刻蚀外延层后若干个Micro
‑
LED芯片的剖面结构示意图；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微发光二极管显示结构制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底的一表面生长外延层，所述外延层包括层叠设置的N型半导体层、发光层和P型半导体层，所述P型半导体层远离所述衬底设置；将所述外延层由所述P型半导体层刻蚀至所述N型半导体层，以生成若干个发光单元和若干个挡光墙，任一所述发光单元周向的至少一侧设置有所述挡光墙；至少在所述挡光墙靠近所述发光单元的一侧表面制备反光层。2.根据权利要求1所述的微发光二极管显示结构制作方法，其特征在于，所述至少在所述挡光墙靠近所述发光单元的一侧表面制备反光层包括：通过薄膜制备方法在所述挡光墙靠近所述发光单元的一侧表面及远离所述发光单元的一侧表面沉积所述反光层，所述反光层的光反射率大于或等于90％。3.根据权利要求1所述的微发光二极管显示结构制作方法，其特征在于，所述将所述外延层由所述P型半导体层刻蚀至所述N型半导体层，以生成若干个发光单元和若干个挡光墙包括：在所述外延层远离所述衬底的一侧表面设置掩膜层，以确定刻蚀区域和非刻蚀区域，所述若干个发光单元和所述若干个挡光墙位于所述非刻蚀区域；通过电感耦合等离子体刻蚀机将所述刻蚀区域刻蚀至所述N型半导体层；清洗所述掩膜层。4.根据权利要求1至3任一项所述的微发光二极管显示结构制作方法，其特征在于，在平行于所述衬底的方向，将所述发光单元刻蚀成截面为圆形；将所述挡光墙刻蚀为平板状；所述挡光墙的长度n大于或等于所述发光单元的直径d1。5.根据权利要求1至3任一项所述的微发光二极管显示结构制作方法，其特征在于，在平行于所述衬底的方向，将所述发光单元刻蚀成截面为正多边形，所述正多边形的边数大于或等于五，使所述挡光墙与所述发光单元周向的一侧面相对；所述挡光墙的长度n大于或等于所述发光单元外切圆的直径d2。6.根据权利要求1至3任一项所述的微发光二极管显示结构制作方法，其特征在于，将所述挡光墙环绕所述发光单元的周向设置一圈。7.根据权利要求1所述的微发光二极管显示结构制作方法，其特征在于，将所述外延层由所述P型半导体层刻蚀至所述N型半导体层，以生成...

【专利技术属性】
技术研发人员：管云芳，莫炜静，
申请(专利权)人：深圳市思坦科技有限公司，
类型：发明
国别省市：