光刻对准方法技术

本发明专利技术提供一种光刻对准方法，先从多个对准标记中选取预设数量的对准标记作为目标组，然后根据所述目标组中的各所述对准标记的对准信号，判断所述目标组中的各所述对准标记的质量是否合格，然后将质量不合格的对准标记移除，以避免因对准标记的质量问题影响粗对准偏差模型中的参数，提高粗对准偏差模型的精度。以及通过确定目标组中各所述对准标记的残差，并将残差大于预设阈值的对准标记从目标组移除，由此保证对准标记的残差小于预设阈值，确保了粗对准偏差模型的精确性，避免出现无法进行光刻对准的问题。行光刻对准的问题。行光刻对准的问题。

【技术实现步骤摘要】
光刻对准方法


[0001]本专利技术涉及半导体集成电路制造
，特别涉及一种光刻对准方法。

技术介绍

[0002]晶圆在曝光前需要经过对准步骤，使得当层与前层的套刻精度满足工艺要求。在晶圆的光刻对准过程中需要精确获取晶圆在前层的每个曝光场的坐标。通常情况下，通过光刻机的位置测量组件可以实现获取晶圆在前层的曝光场的对准标记的坐标，并通过所获取的对准标记的坐标来进行光刻对准。然而，当晶圆上的曝光场数量较多时，其曝光场中预先设置的对准标记的数量也较多，导致测量时间较长，以及若一对准标记的测量出现误差则会导致光刻失败。因此，通常情况下，会使用粗对准偏差模型确定所有对准标记的坐标来进行光刻对准。光刻对准包括粗对准和精对准，通常情况下，先建立用于粗对准的粗对准偏差模型，然后基于所述粗对准的粗对准偏差模型，缩小扫描范围，从而缩短精对准中测量对准标记的时间。但在光刻对准过程中发现，对准标记在工艺过程中会出现质量不合格(例如形变、形貌损坏、尺寸过大、表面平整度差、具有较大倾斜角)的问题。而质量不合格的对准标记被用于进行粗对准，将会导致用于粗对准的粗对准偏差模本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻对准方法，其特征在于，所述光刻对准方法包括：步骤S1：提供一待曝光晶圆，所述待曝光晶圆的曝光面上设置有多个对准标记；步骤S2：从所述多个对准标记中选取预设数量的对准标记作为目标组；步骤S3：获取所述目标组中的各所述对准标记的对准信号，并根据所述对准信号判断所述目标组中的各所述对准标记的质量是否合格，若是，则执行步骤S4，若否，则返回执行步骤S2；步骤S4：获取所述目标组中各所述对准标记的实际位置坐标和设计位置坐标之间的位置偏差，以得到第一位置捕获误差；步骤S5：根据所述目标组中各所述对准标记的设计位置坐标及所述第一位置捕获误差建立粗对准偏差模型，以通过所述粗对准偏差模型得到所述目标组中各所述对准标记的第二位置捕获误差；步骤S6：根据所述目标组中各所述对准标记的第一位置捕获误差和第二位置捕获误差确定所述目标组中各所述对准标记的残差；步骤S7：判断所述目标组中各所述对准标记对应的残差是否小于预设阈值；若是，则保留所述对准标记，以用于对所述待曝光晶圆进行粗对准；若否，则将所述对准标记从所述目标组中移除，以及重新选取与所述目标组中移除的对准标记的数量相应的对准标记补充到所述目标组中，并返回执行步骤S3。2.如权利要求1所述的光刻对准方法，其特征在于，所述待曝光晶圆包括形成于衬底上的至少一层图形层，所述多个对准标记形成于所述图形层中，所述对准标记均为凹槽结构或者凸起结构。3.如权利要求1所述的光刻对准方法，其特征在于，所述多个对准标记包括在X方向上的多个对准标记以及在Y方向上的多个对准标记；所述目标组中的对准标记的数量大于等于八，且所述目标组中包括至少四个在X方向上的对准标记以及至少四个在Y方向上的对准标记，其中，所述X方向与所述Y方向垂直。4.如权利要求3所述的光刻对准方法，其特征在于，根据如下公式得到所述第一位置捕获误差：
△
X
onei
＝X
mi
‑
X
di
；
△
Y
oner
＝Y
mr
‑
Y
dr
；其中，
△
X
onei
表示在X方向上的第i个对准标记的第一位置捕获误差，
△
Y
oner
表示在Y方向上的第r个对准标记的第一位置捕获误差；X
mi
表示在X方向上的第i个对准标记的实际位置坐标；X
di
表示在X方向上的第i个对准标记的设计位置坐标；Y
mr
表示在Y方向上的第r个对准标记的实际位置坐标；Y
dr
表示在Y方向上的第r个对准标记的设计位置坐标。5.如权利要求3所述的光刻对准方法，其特征在于，根据所述目标组中各所述对准标记的设计位置坐标及所述第一位置捕获误差建立所述粗...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾辉，陈超，
申请(专利权)人：广州粤芯半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：