半导体工艺腔体制造技术

本发明专利技术揭露一种半导体工艺腔体，其包含一电热耦。电热耦具有一管套，其包覆有内芯导线且具有一下游端及一上游端，所述下游端作为感温部且插入射频所施加的一部件中，所述上游端电连接至一腔体。其特征在于：所述腔体接地，使所述射频于所述管套表面所引起的流动电流能够经由所述腔体流至接地，使射频被屏蔽在所述腔体内。腔体内。腔体内。

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺腔体


[0001]本专利技术关于一种半导体装备，尤其是一种包含电热耦的半导体工艺腔体。

技术介绍

[0002]在半导体制造中，等离子气相沉积(PECVD)为一种用于沉积薄膜或蚀刻薄膜的工艺。在执行PECVD工艺的半导体工艺腔体中，喷淋组件和晶圆支撑盘分别做为上下电极，其中以喷淋组件电连接射频源而支撑盘接地为常见的配置，当然相反配置也是有的。在多个站的批量(batch)制程中，喷淋组件的温度需要达到平衡才能获得一致的沉积薄膜。然而，实际上很难保持站与站(station to station)的一致性，因为每个站的腔室温度可能会因为每一个传入晶圆温度的差异而破坏腔内的温度平衡，导致站与站的喷淋组件温度有些微差异。因此，精确控制每一个喷淋组件的温度有助于晶圆工艺的一致性。
[0003]美国专利申请文献公开号US2019256977A1揭露一种用于监测喷淋组件温度的电热耦，且所述电热耦与一射频滤波器(RF filter)连接。RF滤波器是利用电路滤波的手段将射频讯号和电热耦的讯号隔离，避免两者相互干扰导致不可靠的感温。所述RF滤波器可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺腔体，包含：一电热耦，具有一管套，所述管套包覆有内芯导线且具有一下游端及一上游端，所述下游端作为感温部且插入射频所施加的一部件中，所述上游端电连接至一腔体，其特征在于：所述腔体接地，使所述射频于所述管套表面所引起的流动电流能够经由所述腔体流至接地，使射频被屏蔽在所述腔体内。2.根据权利要求1所述半导体工艺腔体，其特征在于，所述腔体为一封闭金属罩。3.根据权利要求1所述半导体工艺腔体，其特征在于，所述电热耦包含包覆所述下游端的一第一绝源套及部分包覆所述第一绝缘套的一第二绝缘套，并暴露所述第一绝缘套的一部分。4.根据权利要求3所述半导体工艺腔体，其特征在于，所述第一绝缘套及所述第二绝缘套的材质为陶瓷。5.根据权利要求1所述半导体工艺腔体，其特征在于，所述电热耦以一深度插入所述部件，所述深度小于所述管套的直径的两倍，且所述讯号处理单元配置为执行一补偿算法，以获得精确温度数据。6.根据权利要求1所述半导体工艺腔体，其特征在于，所述电热耦以一深度插入所述部件，所述深度大于所述管套的直径的两倍，且所述管套与一对电阻电耦接，以减小通过所述管套至接地的回路的射频能量。7.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭华强，申思，黄明策，
申请(专利权)人：拓荆科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：