【技术实现步骤摘要】
导波管组件及具有其的晶圆气相沉积设备
[0001]本技术涉及半导体加工
,具体而言,涉及一种导波管组件及具有其的晶圆气相沉积设备。
技术介绍
[0002]目前,在晶圆气相沉积设备对晶圆进行气相沉积的过程中,位于等离子体源内的等离子体通过导波管进入反应室内,以与晶圆的表面进行反应。
[0003]然而,现有技术中,在等离子体源内产生等离子体的过程中,导波管靠近等离子体源的部分易发生电弧并造成导波管的结构损坏,不仅影响导波管的使用寿命,且影响晶圆的加工效率和加工质量。
技术实现思路
[0004]本技术的主要目的在于提供一种导波管组件及具有其的晶圆气相沉积设备,以解决现有技术中导波管易发生结构损坏而影响晶圆加工效率的问题。
[0005]为了实现上述目的,根据本技术的一个方面,提供了一种导波管组件,用于将位于等离子体源内的等离子体输送至反应室内,导波管组件包括:导波管,导波管的第一端用于与等离子体源连接,导波管的第二端用于与反应室连接;衬套,设置在导波管内,衬套从导波管的第一端向第二端延伸,以使等离子 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种导波管组件,用于将位于等离子体源(10)内的等离子体输送至反应室(40)内,其特征在于,所述导波管组件包括:导波管(20),所述导波管(20)的第一端用于与所述等离子体源(10)连接,所述导波管(20)的第二端用于与所述反应室(40)连接;衬套(30),设置在所述导波管(20)内,所述衬套(30)从所述导波管(20)的第一端向第二端延伸,以使所述等离子体在所述衬套(30)的内腔中流动;其中,所述衬套(30)由陶瓷或者特氟龙制成。2.根据权利要求1所述的导波管组件,其特征在于,所述衬套(30)的长度大于10cm;和/或,所述衬套(30)的厚度D大于或者等于3mm。3.根据权利要求1所述的导波管组件,其特征在于,所述导波管(20)具有与所述导波管(20)的内腔连通的安装凹部(21),所述衬套(30)包括:环形本体(31),所述环形本体(31)的第一端与所述导波管(20)的第一端对应设置;环形翻边(32),设置在所述环形本体(31)的第一端上且位于所述安装凹部(21)内,所述环形翻边(32)的宽度W大于或者等于1cm。4.根据权利要求3所述的导波管组件,其特征在于,沿所述导波管(20)的第一端至第二端的方向上,所述环形本体(31)的厚度一致。5.根据权利要求3所述的导波管组...
【专利技术属性】
技术研发人员:王伟哲,
申请(专利权)人:长江存储科技有限责任公司,
类型:新型
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。