CVD镀膜设备制造技术

本发明专利技术涉及电池结构技术领域，公开一种CVD镀膜设备，包含：反应室：容纳基体完成镀膜操作，反应室上分别设有反应气体输入端和惰性气体输入端，基体镀膜过程为等离子体化学气相沉积镀膜；载体：置于反应室内，基体安装在载体上，载体上还设有用于在镀膜前对基体升温预热的电极总成；磨光组件：设置在反应室内，磨光组件包括可与基体接触并通过与基体发生相对旋转来对基体表面进行打磨的打磨头。设置的打磨头可对基体表面进行打磨，能去除合金基体上强度不高的WC颗粒，特别是打磨头上设置的金刚石粉末可对硬质合金基体进行超声研磨，利用金刚石粉末研磨基体产生的“种子”效应，可大大提高合金基体上的形核密度，从而大幅提高合金基体的镀膜附着力。的镀膜附着力。的镀膜附着力。

【技术实现步骤摘要】
CVD镀膜设备


[0001]本专利技术涉及产品镀膜
，具体地，涉及一种CVD镀膜设备。

技术介绍

[0002]化学气相沉积(CVD)方法是一种重要的薄膜制备方法，它利用气态的前驱体反应物经原子分子间的化学反应，生成固态薄膜。
[0003]现有技术中，公开号为CN107881489B的中国专利提出了一种激光辅助加热化学气相沉积镀膜装置及方法，其利用CO2红外激光生成线性光斑对预热过的玻璃基板进行局部升温，从而辅助化学气相沉积反应镀膜的进行，虽然该装置能对传统的CVD镀膜过程起到优化作用，但是在实际使用时，依旧具有很大的局限性，硬质合金材质在镀膜制造过程中，会不可避免地将污染物、吸附物、氧化物残留在基体表面上，且激光辅助照射升温后，会在基体上产生激光烧结wc颗粒，这些将改变基底表面的微观结构，导致形貌因素影响后续基层难以形核。
[0004]此外，公开号为CN106661725B的中国专利公开一种真空镀膜设备，通过内外不接触的旋转磁体转动，进而带动用于放置待镀膜工件的支架转动，避免漏气现象，确保真空密封性。然而采用磁体方式实现非本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种CVD镀膜设备，其特征在于，对基体镀膜，包含：反应室：容纳基体完成镀膜操作，所述反应室上分别设有反应气体输入端和惰性气体输入端，基体镀膜过程为等离子体化学气相沉积镀膜；载体：置于所述反应室内，基体安装在载体上，载体上还设有用于在镀膜前对基体升温预热的电极总成；磨光组件：设置在所述反应室内，磨光组件包括可与基体接触并通过与基体发生相对旋转来对基体表面进行打磨的打磨头。2.根据权利要求1所述的CVD镀膜设备，其特征在于，所述载体包括两个或两个以上同轴且平行设置的转盘，所述转盘上开设有基体安装孔，基体被夹持安装在两个相邻转盘之间，多个基体平行设置且基体轴向与所述转盘轴向平行，所述转盘上设有可驱动转盘旋转的圆周驱动机构，基体可跟随转盘整体旋转。3.根据权利要求2所述的CVD镀膜设备，其特征在于，所述转盘数量为两个，任一转盘上在各基体安装孔处设有齿轮，所述载体上还设有位置固定的齿圈，所述齿圈和各齿轮同时啮合，基体端部与所述齿轮连接并可在齿轮转动时跟随旋转。4.根据权利要求1或2或3所述的CVD镀膜设备，其特征在于，所述磨光组件还包括用于安装打磨头的支撑环，所述支撑环围设在载体外周并与载体外周具有间距，所述反应室内壁设有多个供支撑环沿基体轴向方向移动的轨道，所述支撑环外周对应各轨道设置有相适配的滑移部。5.根据权利要求4所述的CVD镀膜设备，其特征在于，所述打磨头通过杆件安装在支撑环内壁上，所述杆件为可伸缩杆，杆件朝向支撑环的圆心方向。6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：任泽明，廖骁飞，余长勇，王号，唐志奇，杨帆，杨进仕，
申请(专利权)人：广东思泉新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：