CVD镀膜设备制造技术

本发明专利技术涉及电池结构技术领域，公开一种CVD镀膜设备，包含：反应室：容纳基体完成镀膜操作，反应室上分别设有反应气体输入端和惰性气体输入端，基体镀膜过程为等离子体化学气相沉积镀膜；载体：置于反应室内，基体安装在载体上，载体上还设有用于在镀膜前对基体升温预热的电极总成；磨光组件：设置在反应室内，磨光组件包括可与基体接触并通过与基体发生相对旋转来对基体表面进行打磨的打磨头。设置的打磨头可对基体表面进行打磨，能去除合金基体上强度不高的WC颗粒，特别是打磨头上设置的金刚石粉末可对硬质合金基体进行超声研磨，利用金刚石粉末研磨基体产生的“种子”效应，可大大提高合金基体上的形核密度，从而大幅提高合金基体的镀膜附着力。的镀膜附着力。的镀膜附着力。

【技术实现步骤摘要】
CVD镀膜设备


[0001]本专利技术涉及产品镀膜
，具体地，涉及一种CVD镀膜设备。

技术介绍

[0002]化学气相沉积(CVD)方法是一种重要的薄膜制备方法，它利用气态的前驱体反应物经原子分子间的化学反应，生成固态薄膜。
[0003]现有技术中，公开号为CN107881489B的中国专利提出了一种激光辅助加热化学气相沉积镀膜装置及方法，其利用CO2红外激光生成线性光斑对预热过的玻璃基板进行局部升温，从而辅助化学气相沉积反应镀膜的进行，虽然该装置能对传统的CVD镀膜过程起到优化作用，但是在实际使用时，依旧具有很大的局限性，硬质合金材质在镀膜制造过程中，会不可避免地将污染物、吸附物、氧化物残留在基体表面上，且激光辅助照射升温后，会在基体上产生激光烧结wc颗粒，这些将改变基底表面的微观结构，导致形貌因素影响后续基层难以形核。
[0004]此外，公开号为CN106661725B的中国专利公开一种真空镀膜设备，通过内外不接触的旋转磁体转动，进而带动用于放置待镀膜工件的支架转动，避免漏气现象，确保真空密封性。然而采用磁体方式实现非接触式转动驱动，在反应室内高温影响下会出现磁性丢失现象，造成传动不稳定，进而影响等离子体在基体上的附着厚度，传动速率不均匀的同时还会影响等离子的附着强度，无法实现稳定均质附着。

技术实现思路

[0005]本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术的缺陷，提供一种附着力高的CVD镀膜设备，能显著提升基体镀膜效果。
[0006]本专利技术目的通过以下技术方案实现：一种CVD镀膜设备，包含：反应室：容纳基体完成镀膜操作，反应室上分别设有反应气体输入端和惰性气体输入端，基体镀膜过程为等离子体化学气相沉积镀膜；载体：置于反应室内，基体安装在载体上，载体上还设有用于在镀膜前对基体升温预热的电极总成；磨光组件：设置在反应室内，磨光组件包括可与基体接触并通过与基体发生相对旋转来对基体表面进行打磨的打磨头。
[0007]进一步地，载体包括两个或两个以上同轴且平行设置的转盘，转盘上开设有基体安装孔，基体被夹持安装在两个相邻转盘之间，多个基体平行设置且基体轴向与转盘轴向平行，转盘上连接有可驱动转盘旋转的圆周驱动机构，基体可跟随转盘整体旋转。
[0008]更进一步地，转盘数量为两个，任一转盘上在各基体安装孔处设有齿轮，载体上还设有位置固定的齿圈，齿圈和各齿轮同时啮合，基体端部与齿轮连接并可在齿轮转动时跟随旋转。
[0009]再进一步地，磨光组件还包括用于安装打磨头的支撑环，支撑环围设在载体外周并与载体外周具有间距，反应室内壁设有多个供支撑环沿基体轴向方向移动的轨道，支撑环外周对应各轨道设置有相适配的滑移部。
[0010]还进一步地，打磨头通过杆件安装在支撑环内壁上，杆件为可伸缩杆，杆件朝向支撑环的圆心方向。
[0011]还进一步地，支撑环上设有至少一个凸块，凸块具有内孔，至少一个凸块的内孔为螺纹孔，螺纹孔内插设第一螺杆，第一螺杆与基体平行设置，反应室内壁设有固定挡块，第一螺杆一端与第一驱动机构连接并可被第一驱动机构驱动旋转、另一端与固定挡块抵接，固定挡块对第一螺杆起限位作用。
[0012]更进一步地，反应室内还设有与支撑环平行设置的激光承载环，激光承载环围设在载体外周并与载体外周具有间距，激光承载环上安装有多个激光发射器用于对基体表面辅助加热。
[0013]再更进一步地，激光承载环上设有至少一个调节块，调节块具有调节孔，至少一个调节块的调节孔为螺纹孔，螺纹孔内插设第二螺杆，第二螺杆与基体平行设置，反应室内壁设有挡块，第二螺杆一端与第二驱动机构连接并可被第二驱动机构驱动旋转、另一端与挡块抵接，挡块对第二螺杆起限位作用，第二螺杆旋转时可带动激光承载环沿基体轴向移动。
[0014]再进一步地，激光承载环上调节块的位置与支撑环上凸块的位置一一对应，且两两对应的调节块和凸块之间仅一个为螺纹孔，第一螺杆贯穿一处两两对应的调节块和凸块，第二螺杆贯穿另一处两两对应的调节块和凸块。
[0015]进一步地，打磨头包括超声振动子、变幅杆和工具头，工具头上设有金刚石粉末。
[0016]与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：1）设置的打磨头可对基体表面进行打磨，对于合金基体来说，能去除基体上强度不高的WC颗粒，特别是打磨头上设置的金刚石粉末可对硬质合金基体进行超声研磨，利用金刚石粉末研磨基体产生的“种子”效应，可大大提高合金基体上的形核密度，从而在很大程度上提高了合金基体的镀膜附着力；2）通过圆周驱动机构驱动转盘旋转，实现各基体跟随转盘发生公转，此外，采用齿圈和多个齿轮相啮合，在转盘发生公转时，各齿轮也与齿圈发生啮合传动，从而带动各基体发生自转；基体在镀膜过程中是自转和公转相结合，利于打磨头对基体表面周向进行充分研磨；3）采用第一螺杆或第二螺杆与支撑环上凸块螺纹连接，螺杆旋转时将带动支撑环在基体轴向方向移动，以便打磨操作覆盖基体整个长度方向，实现对基体轴向的充分研磨；4）设置安装有激光发射器的激光承载环，聚光能力强的激光发射器可对基体加热，采用第一螺杆或第二螺杆与激光承载环上的调节块螺纹连接，螺杆旋转时将带动激光承载环在基体轴向方向移动，使激光发射器对基体上多点进行均质化加热，有效规避传统的静态辅助激光加热方式导致基体表面WC颗粒形成的弊端，确保反应气源与基体的接触面积，提升镀膜附着力。
附图说明
[0017]图1为实施例1所述CVD镀膜设备的第一视角立体结构示意图（载体未进入反应
室）；图2为实施例1所述CVD镀膜设备的第二视角立体结构示意图（载体未进入反应室）；图3为实施例1所述CVD镀膜设备的立体结构示意图（载体在反应室内，密封盖未示出）；图4为实施例1所述CVD镀膜设备的立体结构示意图（反应室未完全示出）；图5为实施例1所述的载体的结构示意图；图6为实施例1所述的反应室的结构示意图（密封盖未示出）；图7为实施例1所述反应室的内部结构示意图（不包含载体）；图8为实施例1所述的支撑环和激光承载环平行布置的立体结构示意图。
具体实施方式
[0018]下面结合具体实施方式对本专利技术作进一步的说明，其中，附图仅用于示例性说明，表示的仅是示意图，而非实物图，不能理解为对本专利的限制；为了更好地说明本专利技术的实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸；对本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。
[0019]实施例1如图1～4所示的CVD镀膜设备，尤其适用于合金基体，该设备包含用于容纳基体A进行镀膜操作的反应室1，反应室1呈圆筒形，底部设有安装架11，反应室上设有进气组件，进气组件包括反应气体输入端12和惰性气体输入端13，其中，惰性气体输入端13位于反应气体输入端12上方，惰性气体输入端与反应气体输入端均与外部高真空扩散泵相连通并保持相对真空，反应室1的外壁还可设有与进气组件相适配的电磁线圈，电磁线圈的输入端连接射频电源并产生射频交变电场，射频交变电场用于诱发反应室内的气体击穿放本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种CVD镀膜设备，其特征在于，对基体镀膜，包含：反应室：容纳基体完成镀膜操作，所述反应室上分别设有反应气体输入端和惰性气体输入端，基体镀膜过程为等离子体化学气相沉积镀膜；载体：置于所述反应室内，基体安装在载体上，载体上还设有用于在镀膜前对基体升温预热的电极总成；磨光组件：设置在所述反应室内，磨光组件包括可与基体接触并通过与基体发生相对旋转来对基体表面进行打磨的打磨头。2.根据权利要求1所述的CVD镀膜设备，其特征在于，所述载体包括两个或两个以上同轴且平行设置的转盘，所述转盘上开设有基体安装孔，基体被夹持安装在两个相邻转盘之间，多个基体平行设置且基体轴向与所述转盘轴向平行，所述转盘上设有可驱动转盘旋转的圆周驱动机构，基体可跟随转盘整体旋转。3.根据权利要求2所述的CVD镀膜设备，其特征在于，所述转盘数量为两个，任一转盘上在各基体安装孔处设有齿轮，所述载体上还设有位置固定的齿圈，所述齿圈和各齿轮同时啮合，基体端部与所述齿轮连接并可在齿轮转动时跟随旋转。4.根据权利要求1或2或3所述的CVD镀膜设备，其特征在于，所述磨光组件还包括用于安装打磨头的支撑环，所述支撑环围设在载体外周并与载体外周具有间距，所述反应室内壁设有多个供支撑环沿基体轴向方向移动的轨道，所述支撑环外周对应各轨道设置有相适配的滑移部。5.根据权利要求4所述的CVD镀膜设备，其特征在于，所述打磨头通过杆件安装在支撑环内壁上，所述杆件为可伸缩杆，杆件朝向支撑环的圆心方向。6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：任泽明，廖骁飞，余长勇，王号，唐志奇，杨帆，杨进仕，
申请(专利权)人：广东思泉新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：