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本发明涉及电池结构技术领域，公开一种CVD镀膜设备，包含：反应室：容纳基体完成镀膜操作，反应室上分别设有反应气体输入端和惰性气体输入端，基体镀膜过程为等离子体化学气相沉积镀膜；载体：置于反应室内，基体安装在载体上，载体上还设有用于在镀膜前对...
该专利属于广东思泉新材料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广东思泉新材料股份有限公司授权不得商用。

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