【技术实现步骤摘要】
一种光刻机的载片台平坦度的检测系统及光刻机
[0001]本技术涉及半导体制造领域,特别涉及一种光刻机的载片台平坦度的检测系统及光刻机。
技术介绍
[0002]在光刻机的曝光过程中,曝光光源要聚焦到晶圆表面,晶圆上才能得到线条清晰的图形(如图1中的a部分所示)。若晶圆表面处于光源焦深的范围之外(如图1中的b部分所示),曝光时出现失焦现象,导致晶圆上形成的图形变形,例如会导致图形中线与线之间距离变短,甚至短路,从而影响晶圆质量。
[0003]在光刻机的生产过程中,载片台上出现的污染颗粒会导致载片台的平坦度发生变化。因颗粒所在的区域的高度较正常区域高,则晶圆在该区域的部分被顶起(如图2中虚线框所示)。曝光时,若该区域被顶起的高度超出光刻机焦距范围,即该区域处于光源焦深的范围之外,则该区域将出现失焦现象。因此,生产过程中,对载片台的平坦度检测尤其重要。
[0004]但在现有的部分光刻机(例如I线光刻机)中,针对载片台平坦度的检测,通常是在每月的停机维护时进行,具有一定的滞后性,且耗时较长,不能及时了解载片台的状态。若 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种光刻机的载片台平坦度的检测系统,其特征在于,包括:曝光光源;检测掩模版,所述检测掩模版上分布有多个形状相同的掩模图形;载片台,用于承载待测基板,所述待测基板上涂覆有光刻胶层,所述曝光光源将所述检测掩模版中的掩模图形映射到在所述光刻胶层上,以形成多个检测图形,所述曝光光源的曝光焦距设置为光刻机的规定焦距范围的上限;以及,检测设备,判断所述待测基板上的各个检测图形与参考图形之间的差异是否在预定范围内。2.如权利要求1所述的光刻机的载片台平坦度的检测系统,其特征在于,相邻的所述掩模图形之间的距离为所述掩模图形的线宽的一半。3.如权利要求2所述的光刻机的载片台平坦度的检测系统,其特征在于,所述掩模图形的线宽为550nm
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650nm。4.如权利要求1所述的光刻机的载片台平坦度的检测系统,其特征在于,所述检测掩模版上的多个掩模图形呈阵列式均匀排布。5.如权利要求4所述的光刻机的载片台平坦度的检测系统,其特征在于,所述掩模图形为矩形。6.如权利要求1所述的光刻机的载片台平坦度的检测系统,其...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈嘉文,秦利鹏,
申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司,
类型:新型
国别省市:
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