无图形晶圆的良率损失获取系统及获取方法技术方案

本发明专利技术提供一种无图形晶圆的良率损失获取系统。所述系统中，获取单元获取第一文件和第二文件，第一文件包括无图形晶圆表面的缺陷分布信息，第二文件包括一有图形晶圆的芯片分布信息，有图形晶圆与无图形晶圆的规格相同；整合单元整合缺陷分布信息与芯片分布信息得到一目标文件；处理单元以芯片分布信息作为芯片分布模板，利用目标文件统计得到无图形晶圆对应的缺陷芯片数量，并且基于芯片分布模板中的芯片总数量、无图形晶圆对应的缺陷芯片数量以及设定缺陷致死率，计算所述无图形晶圆的良率损失。如此，无需经过光刻和刻蚀制程便可获得无图形晶圆的良率损失，有助于节约时间和成本。本发明专利技术还提供一种无图形晶圆的良率损失获取方法。取方法。取方法。

【技术实现步骤摘要】
无图形晶圆的良率损失获取系统及获取方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种无图形晶圆的良率损失获取系统及获取方法。

技术介绍

[0002]在半导体技术中，常需要检测晶圆表面的缺陷及缺陷分布，以估算缺陷所引起的良率损失（yield loss）。对于形成有芯片信息的晶圆（称为有图形晶圆），通过检测不仅可以获得缺陷的数量，还可以获得缺陷在芯片分布图中的位置。然而，对于未形成有芯片信息的晶圆（称为无图形晶圆，Unpattern Wafer），由于缺少芯片信息（Die information），通过表面扫描工具检测，仅可以获得无图形晶圆表面的缺陷数量（Defect count），这种情况下，根据晶圆良率损失的计算公式，无法计算获得无图形晶圆的良率损失。具体的，晶圆良率损失的计算公式如下：，其中，yield loss为良率损失，defect die count为缺陷芯片数量，total gross die为芯片总数，killer ratio为缺陷致死率。
[0003]为了获得无图形晶圆的良率损失，现有技术通过对无图形晶圆进行光刻及刻蚀来形成芯片信息。图1为一种获得无图形晶圆的良率损失的流程图。如图1所示，现有技术中，获得无图形晶圆的良率损失需要进行以下步骤：1）在裸晶圆（Bare wafer）表面沉积衬垫氧化物层（Pad Oxide），形成无图形晶圆；2）使用非图形晶圆检测机（如KLA+ Surfscan tool（SPX Tool））对无图形晶圆的上表面进行检测，获得所述无图形晶圆整个上表面的缺陷数量；3）在无图形晶圆上形成图形化的掩膜层；4）以图形化的掩膜层为掩膜，刻蚀衬垫氧化物层，以在无图形晶圆上形成图形，使得无图形晶圆上具有芯片信息；5）去除图形化的掩膜层；6）利用明暗场有图形晶圆检测机（BBP&LS Tool）对形成有图形的晶圆进行表面检测，获得晶圆的缺陷芯片数量，进而计算获得晶圆的良率损失。可见，现有技术要获得无图形晶圆的良率损失，无图形晶圆需要经过光刻和刻蚀制程后再利用明暗场有图形晶圆检测机检测，获得无图形晶圆的良率损失的过程费时费力。

技术实现思路

[0004]为了方便快速的获得无图形晶圆的良率损失，本专利技术提供一种无图形晶圆的良率损失获取系统及获取方法。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术提供一种无图形晶圆的良率损失获取系统。所述良率损失获取系统包括获取单元、整合单元和处理单元。所述获取单元用于获取第一文件和第二文件；所述第一文件包括所述无图形晶圆表面的缺陷分布信息，所述缺陷分布信息通过对所述无图形晶圆表面进行缺陷检测获得；所述第二文件包括一有图形晶圆的芯片分布信息，所述有图形晶圆与所述无图形晶圆的规格相同。所述整合单元用于整合所述缺陷分布信息与所述芯片分布信息得到一目标文件。所述处理单元用于以所述芯片分布信息作为芯
片分布模板，利用所述目标文件统计得到所述无图形晶圆对应的缺陷芯片数量，并且基于所述芯片分布模板中的芯片总数量、所述无图形晶圆对应的缺陷芯片数量以及设定缺陷致死率，计算所述无图形晶圆的良率损失。
[0006]可选的，所述缺陷分布信息包括所述无图形晶圆表面的缺陷在第一坐标系中的坐标，所述芯片分布信息包括所述有图形晶圆上每个芯片的尺寸信息和每个芯片在第二坐标系中的坐标；所述第一坐标系与所述第一坐标系均为正交坐标系。
[0007]可选的，所述整合单元被配置为：利用所述第一坐标系和所述第二坐标系的位置关系，将所述无图形晶圆表面的各个缺陷在所述第一坐标系中的坐标转换为在所述第二坐标系中的坐标，并存储所述无图形晶圆表面的各个缺陷在所述第二坐标系中的坐标和所述芯片分布信息形成所述目标文件。
[0008]可选的，所述处理单元被配置为：根据所述无图形晶圆表面的各个缺陷在所述第二坐标系中的坐标，判断所述芯片分布模板中的各个所述芯片的尺寸范围内是否存在缺陷，以尺寸范围内存在缺陷的一个所述芯片作为一个缺陷芯片，对所述芯片分布模板中的全部缺陷芯片进行统计，统计结果作为所述无图形晶圆对应的缺陷芯片数量。
[0009]本专利技术还提供一种无图形晶圆的良率损失获取方法。所述良率损失获取方法包括：获得一无图形晶圆，对所述无图形晶圆表面进行缺陷检测，获得所述无图形晶圆表面的缺陷分布信息；获得一有图形晶圆的芯片分布信息，整合所述缺陷分布信息与所述芯片分布信息得到一目标文件，所述有图形晶圆与所述无图形晶圆的规格相同；以及以所述芯片分布信息作为芯片分布模板，利用所述目标文件统计得到所述无图形晶圆对应的缺陷芯片数量，并且基于所述芯片分布模板中的芯片总数量、所述无图形晶圆对应的缺陷芯片数量以及设定缺陷致死率，计算所述无图形晶圆的良率损失。
[0010]可选的，所述无图形晶圆的良率损失；其中，yield loss为良率损失，defect die count为缺陷芯片数量，total gross die为芯片总数，killer ratio为缺陷致死率。
[0011]可选的，所述缺陷分布信息包括所述无图形晶圆表面的缺陷在第一坐标系中的坐标，所述芯片分布信息包括所述有图形晶圆上每个芯片的尺寸信息和每个芯片在第二坐标系中的坐标；所述第一坐标系与所述第二坐标系均为正交坐标系。
[0012]可选的，所述第一坐标系以所述无图形晶圆的外切正方形的顶点为坐标原点，所述第二坐标系的坐标原点位于所述有图形晶圆的表面内，且所述第二坐标系的坐标原点与所述有图形晶圆的圆心之间的距离在设定误差范围内。
[0013]可选的，整合所述缺陷分布信息与所述芯片分布信息得到所述目标文件的方法包括：利用所述第一坐标系和所述第二坐标系的位置关系，将所述无图形晶圆表面的各个缺陷在所述第一坐标系中的坐标转换为在所述第二坐标系中的坐标，并存储所述无图形晶圆表面的各个缺陷在所述第二坐标系中的坐标和所述芯片分布信息形成所述目标文件。
[0014]可选的，利用所述目标文件统计得到所述无图形晶圆对应的缺陷芯片数量的方法包括：根据所述无图形晶圆表面的各个缺陷在所述第二坐标系中的坐标，判断所述芯片分
布模板中的各个所述芯片的尺寸范围内是否存在缺陷，以尺寸范围内存在缺陷的一个所述芯片作为一个缺陷芯片，对所述芯片分布模板中的全部缺陷芯片进行统计，统计结果作为所述无图形晶圆对应的缺陷芯片数量。
[0015]本专利技术无图形晶圆的良率损失获取系统及获取方法中，首先获得无图形晶圆的缺陷分布信息和有图形晶圆的芯片分布信息，然后整合所述缺陷分布信息与所述芯片分布信息得到一目标文件，再以所述芯片分布信息作为芯片分布模板，利用所述目标文件统计得到所述无图形晶圆对应的缺陷芯片数量，并且基于所述芯片分布模板中的芯片总数量、所述无图形晶圆对应的缺陷芯片数量以及设定缺陷致死率，计算获得所述无图形晶圆的良率损失。如此，无需经过光刻和刻蚀制程，便可以获得无图形晶圆的良率损失，有助于缩短获得无图形晶圆良率损失的时间，节约获得无图形晶圆良率损失的成本。
附图说明
[0016]图1为一种获得无图形晶圆的良率损本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种无图形晶圆的良率损失获取系统，其特征在于，包括：获取单元，用于获取第一文件和第二文件；所述第一文件包括所述无图形晶圆表面的缺陷分布信息，所述缺陷分布信息通过对所述无图形晶圆表面进行缺陷检测获得；所述第二文件包括一有图形晶圆的芯片分布信息，所述有图形晶圆与所述无图形晶圆的规格相同；整合单元，用于整合所述缺陷分布信息与所述芯片分布信息得到一目标文件；以及处理单元，用于以所述芯片分布信息作为芯片分布模板，利用所述目标文件统计得到所述无图形晶圆对应的缺陷芯片数量，并且基于所述芯片分布模板中的芯片总数量、所述无图形晶圆对应的缺陷芯片数量以及设定缺陷致死率，计算所述无图形晶圆的良率损失。2.如权利要求1所述的良率损失获取系统，其特征在于，所述缺陷分布信息包括所述无图形晶圆表面的缺陷在第一坐标系中的坐标，所述芯片分布信息包括所述有图形晶圆上每个芯片的尺寸信息和每个芯片在第二坐标系中的坐标；所述第一坐标系与所述第一坐标系均为正交坐标系。3.如权利要求2所述的良率损失获取系统，其特征在于，所述整合单元被配置为：利用所述第一坐标系和所述第二坐标系的位置关系，将所述无图形晶圆表面的各个缺陷在所述第一坐标系中的坐标转换为在所述第二坐标系中的坐标，并存储所述无图形晶圆表面的各个缺陷在所述第二坐标系中的坐标和所述芯片分布信息形成所述目标文件。4.如权利要求3所述的良率损失获取系统，其特征在于，所述处理单元被配置为：根据所述无图形晶圆表面的各个缺陷在所述第二坐标系中的坐标，判断所述芯片分布模板中的各个所述芯片的尺寸范围内是否存在缺陷，以尺寸范围内存在缺陷的一个所述芯片作为一个缺陷芯片，对所述芯片分布模板中的全部缺陷芯片进行统计，统计结果作为所述无图形晶圆对应的缺陷芯片数量。5.一种无图形晶圆的良率损失获取方法，其特征在于，包括：获得一无图形晶圆，对所述无图形晶圆表面进行缺陷检测，获得所述无图形晶圆表面的缺陷分布信息；获得一有图形晶圆的芯片分布信息，整合所述缺陷分布信息与所述芯片分布信息得到一目标文件，所述有图形晶圆与所述无...

【专利技术属性】
技术研发人员：甄福强，张东杰，蔡俊郎，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：