热载流子注入型单像素光电探测器件、制备方法及系统技术方案

本发明专利技术公开了热载流子注入型单像素光电探测器件、制备方法及系统。所述方法包括：在衬底表面沉积金属，并退火形成金属纳米颗粒；采用化学气相沉积法在金属纳米颗粒表面形成二维半导体层，形成陡峭且具有清洁界面的金属

【技术实现步骤摘要】
热载流子注入型单像素光电探测器件、制备方法及系统


[0001]本专利技术属于光电探测
，更具体地，涉及热载流子注入型单像素光电探测器件、制备方法及系统。

技术介绍

[0002]光电成像技术是对人眼观察的有效扩展，也是军事、医疗、工业发展等多个领域研究和发展的重要基石。超快成像技术则是有效观测超高速现象或超快过程的有效手段，是未来光电信息发展的重要内容。
[0003]CCD和CMOS相机是广泛应用于工业生产和日常生活的阵列结构成像相机，其基本原理均为将光信号转化为电荷信号。其中CMOS生产规模大，生产速度快，成本低，不足是比较容易出现杂点；而CCD相机成像精度高，成本高于CMOS，两种技术均在成像速度方面有进步空间。单像素相机是基于计算成像的概念提出，在二维可见光频段成像、三维成像、激光雷达、太赫兹成像等领域均有一定研究及应用，具有成像系统简洁、响应范围广、较好的抗干扰性等显著优点。
[0004]随着新兴半导体材料的研究与发展，实现了较宽光谱范围内的光电探测，然而光电探测的开关时间受到材料性质和器件结构的限制。提升光电探测器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种热载流子注入型单像素光电探测器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底表面沉积金属，并退火形成金属纳米颗粒；采用化学气相沉积法在金属纳米颗粒表面形成二维半导体层，形成陡峭且具有清洁界面的金属
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半导体肖特基异质结；在所述半导体层上制备栅极、栅介质层、源级和漏极，得到所述热载流子注入型单像素光电探测器件。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金属为Au、Ag、Cu或Al；所述金属纳米颗粒的粒径为10
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100nm。3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底表面沉积金属的厚度为1
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10nm，所述退火条件为在350
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750℃的温度下，退火时间3
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30min。4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述二维半导体层为MoS2、WS2、WSe2、MoTe2、Sb2Se3和CsPbBr3中的一种。5.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述采用化学气相沉积法在纳米颗粒表面形成二维半导体层具体为：所述化学气相沉积实验在单...

【专利技术属性】
技术研发人员：李渊，刘然，刘盛洪，李少华，翟天佑，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：