【技术实现步骤摘要】
一种宽光谱硅基
‑
硫化钼异质结光电探测器的制备方法
[0001]本专利技术涉及一种宽光谱硅基
‑
硫化钼异质结光电探测器的制备方法，属于半导体器件领域。
技术介绍
[0002]由于硅与铟镓砷(InGaAs)等传统半导体材料在应用于光电探测器方面存在光谱覆盖率窄，响应度低，分辨率较差以及与互补金属氧化物半导体(CMOS)不兼容等问题，新兴的二维(2D)材料，如石墨烯、过渡金属硫族化合物(TMDs)表现出了响应速度快、响应度高、探测范围广等优势，且该类二维材料可以利用其非凡的机械柔性和优异的电学与光学特性来规避晶圆级生产和集成化过程中出现的问题。石墨烯的超高迁移率使其适用于高速光电探测器，但是存在暗电流大、功耗高、响应度低等缺点。虽然有报道称将石墨烯的带隙打开能提高探测率，如将石墨烯切割为纳米带或引入缺陷等，但这些方法将极大地降低石墨烯的光电探测速度。
[0003]除石墨烯外，2D TMDs由于具有不同的带隙宽度，可分别表现为金属、半导体、绝缘体以及超导体等不同的特性，其光谱响应范围包含...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种制备宽光谱硅基
‑
硫化钼异质结的方法，其特征在于，所述的方法是先利用温和等离子体技术处理硅基衬底表面的SiO2层，使得SiO2层的厚度在50～100nm，得到预处理的衬底；利用机械剥离技术得到少层的MoS2薄膜；之后通过干法转移技术将MoS2薄膜转移至预处理的衬底表面，得到硅基MoS2异质结。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述制备宽光谱硅基
‑
硫化钼异质结的方法，包括如下步骤：(1)将硅基衬底放入温和等离子体反应腔中，利用SF6/N2混合气对硅基衬底上原有的SiO2层进行厚度减薄处理，使得SiO2层的厚度在50～100nm，得到预处理的硅基衬底；(2)利用机械剥离技术得到少层的MoS2薄膜；(3)利用PDMS干法转移技术将步骤(2)中少层的MoS2转移至步骤(1)中预处理的硅基衬底表面，得到硅基MoS2异质结。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述的减薄处理的参数设置为：射频功率300W且反射功率30W以内，温和等离子体反应腔的腔压维持在10Pa，反应时间10～20分钟。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤(2)所述的少层的MoS2薄膜的厚度为10nm；步骤(1)所述的原有的SiO2层的厚度为300nm。5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述的SF6/N2混合气中SF6的纯度为5N，N2的纯度为5N，其气体...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。