一种优化晶硅太阳电池制作时背面套印偏移监控的方法技术

本发明专利技术公开了一种优化晶硅太阳电池制作时背面套印偏移监控的方法，包括以下步骤：a.电池片的制造，在PERC双面电池的硅片衬底上形成检测图案，即背激光图形和通过丝网印刷方法在前层图案轮廓范围内套印铝栅线；b.丝网印刷套印对准检测，将圆弧处的激光线延长至所述硅片衬底的边缘，所述铝栅线图形套印所述背激光图形，在所述铝栅线图形外有激光线露出；通过直接检查四个圆弧角延长出来的激光线与印刷的铝栅线有无对齐来监控套印有无偏移。本发明专利技术提供的方法减少擦拭带来的铝浆损耗，降低生产成本，也避免因擦拭不干净，导致电池片效率、良率损失。率损失。率损失。

【技术实现步骤摘要】
一种优化晶硅太阳电池制作时背面套印偏移监控的方法


[0001]本专利技术涉及太阳能辅助
，本专利技术涉及一种优化晶硅太阳电池制作时背面套印偏移监控的方法。

技术介绍

[0002]近年来，由于能源危机以及日益严重的环境污染日趋严重，各国对可再生能源的生产和投入逐渐加大力度，整个行业链都取得了突破性的迅猛发展，度电成本也越来越低，部分国家和地区可以实现供给侧平价上网。低成本、高效率是降低度电成本的两大法宝，PERC工艺由于其功率提升快、成本下降显著一直成为整个行业内扩产的标配。
[0003]PERC双面电池的概念自2015年被推出，快速地商业化应用。双面电池采用铝栅线结构，代替常规PERC电池的全铝层结构，在保持正面高转换效率的同时，背面也可以发电。背铝栅线需对准激光开槽区，通过激光开槽区与硅片形成欧姆接触，达到收集载流子的作用。因为铝浆的特性决定了其不能烧穿AlO
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和SiN
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:H膜，若铝栅线未印在激光开槽区域，就不能形成较好质量的局域表面场(LBSF)和电极接触，造成电池EL图形发黑，影响电池本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种优化晶硅太阳电池制作时背面套印偏移监控的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：a.电池片的制造，在PERC双面电池的硅片衬底上使用激光工艺按照背激光图形将氧化铝+SiN
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:H介质膜击穿，露出硅片衬底，即背激光开孔，铝栅线套印在背激光开孔的区域，实现与硅片衬底接触，经高温烧结后，制成电池片；b.丝网印刷套印对准检测，电池片构造为圆角方形，具有四个对称设置的圆弧角，各角设计相同；将所述圆弧处的激光线延长至所述硅片衬底的边缘，所述铝栅线图形套印背激光图形，在所述铝栅线图形外有激光线露出；通过直接检查四个圆弧角延长出来的激光线与印刷的铝栅线...

【专利技术属性】
技术研发人员：荆蓉蓉，张树德，钱洪强，周海龙，张俊巍，王展，
申请(专利权)人：苏州腾晖光伏技术有限公司，
类型：发明
国别省市：