用于制造光伏电池的方法技术

所述方法包括以下步骤：a)设置一结构，所述结构包括：

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制造光伏电池的方法


[0001]本专利技术涉及光伏电池的
本专利技术尤其适用于制造PERT(英文为“Passivated Emitter Rear Totally
‑
diffused”)类型的光伏电池。

技术介绍

[0002]一种尤其是在文献FR 3 035 740中公开的已知的用于制造光伏电池的现有技术方法包括以下步骤：
[0003]a0)设置一结构，所述结构包括：
[0004]‑
基于结晶硅的衬底，其具有第一表面和相对的第二表面；
[0005]‑
第一介电层，其包括硼原子，并形成于衬底的第一表面上；
[0006]‑
第二介电层，其包括磷和/或砷原子，并形成于衬底的第二表面上；
[0007]b0)对结构施加热处理，以便：
[0008]‑
使得硼原子自第一介电层扩散到衬底的第一表面之下，以形成旨在与电极接触的第一掺杂半导体区域；
[0009]‑
使得磷或砷原子自第二介电层扩散到衬底的第二表面之下，以形成旨在与电极接触的第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于制造光伏电池的方法，其包括以下步骤：a)设置一结构，所述结构包括：
‑
基于结晶硅的衬底(1)，其具有第一表面(10)和相对的第二表面(11)；
‑
第一介电层(2)，其包括硼原子，并形成于所述衬底(1)的第一表面(10)上；
‑
隧道氧化物膜(3)，其形成于所述衬底的第二表面(11)上；
‑
多晶硅层(4)，其形成于所述隧道氧化物膜(3)上；
‑
第二介电层(5)，其包括磷和/或砷原子，并形成于所述多晶硅层(4)上；b)对所述结构施加热处理，以便：
‑
使得所述硼原子自所述第一介电层(2)扩散到所述衬底(1)的第一表面(10)之下，以形成旨在与电极(E)接触的第一掺杂半导体区域(100)；
‑
使得所述磷和/或砷原子自所述第二介电层(5)扩散到多晶硅层(4)中，以掺杂所述多晶硅层(4)，掺杂的多晶硅层旨在与电极(E)接触。2.根据权利要求1所述的方法，其中，执行步骤a)，以使得所述隧道氧化物膜(3)是氧化硅或氧化铝。3.根据权利要求2所述的方法，其中，执行步骤a)，以使得所述隧道氧化物膜(3)是通过热方式形成于所述衬底(1)的第二表面(11)上的氧化硅。4.根据权利要求2所述的方法，其中，执行步骤a)，以使得所述隧道氧化物膜(3)是通过原子层沉积形成于所述衬底(1)的第二表面(11)上的氧化铝。5.根据权利要求1至4之一所述的方法，其中，执行步骤a)，以使得所述隧道氧化物膜(3)的厚度小于或等于3nm，优选地小于或等于2nm。6.根据权利要求1至5之一所述的方法，其中，执行步骤a)，以使得：
‑
所述隧道氧化物膜(3)是厚度小于或等于3nm、优选地小于或等于2nm的氧化铝；
‑
所述结构包括附加隧道氧化物膜(3
’
)，所述附加隧道氧化物膜形成于所述衬底(1)的第一表面(10)与第一介电层(2)之间，所述附加隧道氧化物膜(3
’
)是厚度小于或等于3nm、优选地小于或等于2nm的氧化铝。7.根据权利要求1至6之一所述的方法，其中，执行步骤a)，以使得所述第一介电层(2)基于氮氧化硅SiOxNy，其满足0≤y<x，该氮氧化硅优选地被氢化。8.根据权利要求1至...

【专利技术属性】
技术研发人员：拉斐尔，
申请(专利权)人：原子能和替代能源委员会，
类型：发明
国别省市：