半导体封装件以及用于感测电流的方法技术

本发明专利技术公开了半导体封装件以及用于感测电流的方法。半导体封装件的一个示例包括第一管芯焊盘、第一管芯、第二管芯焊盘和第二管芯。第一管芯焊盘包括主体部分和从主体部分延伸的U形轨道部分。第一管芯电耦接至第一管芯焊盘。第二管芯焊盘靠近第一管芯焊盘的U形轨道部分。第二管芯电耦接至所述第二管芯焊盘。第二管芯包括磁场传感器。二管芯包括磁场传感器。二管芯包括磁场传感器。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件以及用于感测电流的方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装件以及用于感测电流的方法。

技术介绍

[0002]电子设备可以包括集成在高压封装件例如高压半桥封装件中的传感器。期望提高高压封装件内的感测能力。
[0003]出于这些原因和其他原因，存在对本公开的需要。

技术实现思路

[0004]半导体封装件的一个示例包括第一管芯焊盘、第一管芯、第二管芯焊盘和第二管芯。第一管芯焊盘包括主体部分和从主体部分延伸的U形轨道部分。第一管芯电耦接至第一管芯焊盘。第二管芯焊盘靠近第一管芯焊盘的U形轨道部分。第二管芯电耦接至第二管芯焊盘。第二管芯包括磁场传感器。
[0005]半导体封装件的另一示例包括第一管芯焊盘、第一管芯、第二管芯焊盘、第二管芯、第三管芯焊盘和第三管芯。第一管芯焊盘包括主体部分和从主体部分延伸的U形轨道部分。U形轨道部分包括从主体部分延伸的第一部分、从第一部分延伸的第二部分以及从第二部分延伸的第三部分。第二部分垂直于第一部分和第三部分。第一管芯电耦接至第一管芯焊盘。第二管芯电耦接至第二管芯焊盘并且与第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装件，包括：第一管芯焊盘，其包括主体部分和从所述主体部分延伸的U形轨道部分；第一管芯，其电耦接至所述第一管芯焊盘；第二管芯焊盘，其靠近所述第一管芯焊盘的所述U形轨道部分；以及第二管芯，其电耦接至所述第二管芯焊盘，所述第二管芯包括磁场传感器。2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述磁场传感器包括隧道磁阻TMR传感器。3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述磁场传感器包括霍尔效应传感器、各向异性磁阻AMR传感器或巨磁阻GMR传感器。4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述磁场传感器用于感测由通过所述第一管芯焊盘的所述U形轨道部分的电流产生的磁场。5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一管芯焊盘的所述U形轨道部分内的间隙的宽度大于所述第二管芯的宽度。6.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括：第一引线，其耦接至所述第一管芯焊盘的所述U形轨道部分的第一侧；以及第二引线，其耦接至所述第一管芯焊盘的所述主体部分并且与所述第一引线平行且直接相邻。7.根据权利要求6所述的半导体封装件，其中，所述第一管芯焊盘的所述U形轨道部分和所述第一引线用于传导电流，并且所述第二引线是伪引线。8.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括：第三管芯焊盘；以及第三管芯，其电耦接至所述第三管芯焊盘和所述第一管芯焊盘。9.根据权利要求8所述的半导体封装件，还包括：模制物，其包封所述第一管芯焊盘、所述第一管芯、所述第二管芯焊盘、所述第二管芯、所述第三管芯焊盘和所述第三管芯的至少一部分。10.根据权利要求9所述的半导体封装件，还包括：所述模制物内的凹槽，所述凹槽在所述第一管芯焊盘与所述第三管芯焊盘之间延伸以及在所述第二管芯焊盘与所述第三管芯焊盘之间延伸。11.根据权利要求9所述的半导体封装件，其中，所述第二管芯焊盘比所述第一管芯焊盘的所述主体部分和所述第三管芯焊盘更靠近所述第一管芯焊盘的所述U形轨道部分。12.根据权利要求9所述的半导体封装件，其中，所述第一管芯焊...

【专利技术属性】
技术研发人员：王莉双，颜台棋，李德森，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：