半导体封装件以及用于感测电流的方法技术

本发明专利技术公开了半导体封装件以及用于感测电流的方法。半导体封装件的一个示例包括第一管芯焊盘、第一管芯、第二管芯焊盘和第二管芯。第一管芯焊盘包括主体部分和从主体部分延伸的U形轨道部分。第一管芯电耦接至第一管芯焊盘。第二管芯焊盘靠近第一管芯焊盘的U形轨道部分。第二管芯电耦接至所述第二管芯焊盘。第二管芯包括磁场传感器。二管芯包括磁场传感器。二管芯包括磁场传感器。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件以及用于感测电流的方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装件以及用于感测电流的方法。

技术介绍

[0002]电子设备可以包括集成在高压封装件例如高压半桥封装件中的传感器。期望提高高压封装件内的感测能力。
[0003]出于这些原因和其他原因，存在对本公开的需要。

技术实现思路

[0004]半导体封装件的一个示例包括第一管芯焊盘、第一管芯、第二管芯焊盘和第二管芯。第一管芯焊盘包括主体部分和从主体部分延伸的U形轨道部分。第一管芯电耦接至第一管芯焊盘。第二管芯焊盘靠近第一管芯焊盘的U形轨道部分。第二管芯电耦接至第二管芯焊盘。第二管芯包括磁场传感器。
[0005]半导体封装件的另一示例包括第一管芯焊盘、第一管芯、第二管芯焊盘、第二管芯、第三管芯焊盘和第三管芯。第一管芯焊盘包括主体部分和从主体部分延伸的U形轨道部分。U形轨道部分包括从主体部分延伸的第一部分、从第一部分延伸的第二部分以及从第二部分延伸的第三部分。第二部分垂直于第一部分和第三部分。第一管芯电耦接至第一管芯焊盘。第二管芯电耦接至第二管芯焊盘并且与第一管芯焊盘的U形轨道部分对齐。第二管芯包括磁场传感器。第三管芯电耦接至第三管芯焊盘和第一管芯焊盘。
[0006]用于感测电流的方法的一个示例包括启用包括高侧晶体管和低侧晶体管的高压半桥电路以输出电流。该方法还包括引导电流通过耦接至低侧晶体管的管芯焊盘的U形轨道。该方法还包括经由与U形轨道间隔开并与U形轨道对齐的磁场传感器感测由通过U形轨道的电流产生的磁场，以确定通过U形轨道的电流的幅值。
附图说明
[0007]图1示出了没有模制物的半导体封装件的一个示例的底视图。
[0008]图2示出了没有模制物的半导体封装件的另一示例的底视图。
[0009]图3是示出包括传感器的高压半桥电路的一个示例的示意图。
[0010]图4示出了包括附加细节的图2的半导体封装件的底视图。
[0011]图5A和图5B分别示出了具有模制物的图2的半导体封装件的顶视图和底视图。
[0012]图6示出了包括模制物内的凹槽的半导体封装件的一个示例的顶部透视图。
[0013]图7A和图7B分别示出了半导体封装件的另一个示例的没有模制物的底部透视图和具有模制物的顶视图。
[0014]图8A和图8B分别示出了半导体封装件的另一个示例的没有模制物的底部透视图和具有模制物的顶视图。
[0015]图9A和图9B分别示出了半导体封装件的另一个示例的没有模制物的底部透视图
和具有模制物的顶视图。
[0016]图10A和图10B是示出用于感测电流的方法的一个示例的流程图。
具体实施方式
[0017]在下面的具体实施方式中，参考附图，附图形成具体实施方式的一部分，并且在附图中以说明的方式示出了可以实践本公开内容的特定示例。应当理解，在不脱离本公开内容的范围的情况下，可以利用其他示例并且可以进行结构或逻辑改变。因此，以下具体实施方式不应被视为限制意义，并且本公开内容的范围由所附权利要求限定。应当理解，除非另外特别指出，否则本文描述的各个示例的特征可以部分地或全部彼此组合。
[0018]图1示出了没有模制物的半导体封装件100的一个示例的底视图。半导体封装件100包括第一管芯焊盘102、第一管芯104、第二管芯焊盘122和第二管芯124。第一管芯焊盘102包括主体部分(如虚线106内所示)和从主体部分延伸的U形轨道部分(如虚线108内所示)。第一管芯104(例如，经由第一管芯104的面向第一管芯焊盘102的表面上的接触焊盘)电耦接至第一管芯焊盘102。第二管芯焊盘122靠近第一管芯焊盘102的U形轨道部分108。在一个示例中，第二管芯焊盘122与U形轨道部分108对齐。第二管芯124(例如，经由接合线127)电耦接至第二管芯焊盘122。第二管芯124包括磁场传感器。
[0019]在一个示例中，磁场传感器包括隧道磁阻(TMR)传感器。在其他示例中，磁场传感器包括霍尔效应传感器、各向异性磁阻(AMR)传感器、巨磁阻(GMR)传感器或其他合适的传感器。磁场传感器被配置成感测由通过第一管芯焊盘102的U形轨道部分108的电流产生的磁场。
[0020]半导体封装件100还包括耦接(例如，直接耦接)至第一管芯焊盘102的U形轨道部分108的第一侧的第一引线110和耦接(例如，直接耦接)至第一管芯焊盘102的主体部分106并且与第一引线110平行且与第一引线110直接相邻的第二引线112。在一个示例中，第一管芯焊盘102的U形轨道部分108和第一引线110被配置成传导电流并且第二引线112是伪引线(例如，不传导电流)，使得由半导体封装件100输出的总电流的100％通过U形轨道部分108到达半导体封装件100外部的设备。在其他示例中，第二引线112不是伪引线，并且第一引线110可以传导总电流的大约50％并且第二引线112可以将总电流的大约50％传导到半导体封装件100外部的设备。因此，在该示例中，总电流的大约50％将通过U形轨道部分108。
[0021]半导体封装件100还可以包括靠近第一管芯焊盘102的引线114a
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114d、电耦接(例如，直接耦接)至第二管芯焊盘122的引线126、靠近第二管芯焊盘122的引线128、耦接(例如，直接耦接)至第一管芯焊盘102的系杆116a和116b以及耦接(例如，直接耦接)至第二管芯焊盘122的系杆130。引线114a
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114d可以与第一引线110和第二引线112布置在第一管芯焊盘102的相同侧。引线114a、114b和114c可以与引线112间隔开并且分别通过接合线115a、115b和115c电耦接至第一管芯104。在其他示例中，引线114a
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114c可以通过夹子或其他合适的导体电耦接至第一管芯104。引线114d可以是伪引线并且是电绝缘的。引线128可以与引线126布置在第二管芯焊盘122的同一侧。引线128可以通过接合线129电耦接至第二管芯124。在其他示例中，引线128可以通过夹子或其他合适的导体电耦接至第二管芯124。
[0022]系杆116a和116b可以在第一管芯焊盘102的相对侧，使得系杆116a附接至第一管芯焊盘102的主体部分106并且第二系杆116b附接至第一管芯焊盘102的U形轨道部分108。
系杆130附接至第二管芯焊盘122并且可以与系杆116b布置在半导体封装件100的相同侧。半导体封装件100的管芯焊盘102和122以及引线110、112、114a
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114d、126和128可以由金属制成或具有金属表面，例如Ag、Cu、Ni/Pd/Au、NiNiP或Ni/Pd/AuAg。
[0023]图2示出了没有模制物的半导体封装件140a的另一示例的底视图。除了半导体封装件140a还包括第三管芯焊盘142和第三管芯144以外，半导体封装件140a类似于先前参照图1描述和示出的半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装件，包括：第一管芯焊盘，其包括主体部分和从所述主体部分延伸的U形轨道部分；第一管芯，其电耦接至所述第一管芯焊盘；第二管芯焊盘，其靠近所述第一管芯焊盘的所述U形轨道部分；以及第二管芯，其电耦接至所述第二管芯焊盘，所述第二管芯包括磁场传感器。2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述磁场传感器包括隧道磁阻TMR传感器。3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述磁场传感器包括霍尔效应传感器、各向异性磁阻AMR传感器或巨磁阻GMR传感器。4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述磁场传感器用于感测由通过所述第一管芯焊盘的所述U形轨道部分的电流产生的磁场。5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一管芯焊盘的所述U形轨道部分内的间隙的宽度大于所述第二管芯的宽度。6.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括：第一引线，其耦接至所述第一管芯焊盘的所述U形轨道部分的第一侧；以及第二引线，其耦接至所述第一管芯焊盘的所述主体部分并且与所述第一引线平行且直接相邻。7.根据权利要求6所述的半导体封装件，其中，所述第一管芯焊盘的所述U形轨道部分和所述第一引线用于传导电流，并且所述第二引线是伪引线。8.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括：第三管芯焊盘；以及第三管芯，其电耦接至所述第三管芯焊盘和所述第一管芯焊盘。9.根据权利要求8所述的半导体封装件，还包括：模制物，其包封所述第一管芯焊盘、所述第一管芯、所述第二管芯焊盘、所述第二管芯、所述第三管芯焊盘和所述第三管芯的至少一部分。10.根据权利要求9所述的半导体封装件，还包括：所述模制物内的凹槽，所述凹槽在所述第一管芯焊盘与所述第三管芯焊盘之间延伸以及在所述第二管芯焊盘与所述第三管芯焊盘之间延伸。11.根据权利要求9所述的半导体封装件，其中，所述第二管芯焊盘比所述第一管芯焊盘的所述主体部分和所述第三管芯焊盘更靠近所述第一管芯焊盘的所述U形轨道部分。12.根据权利要求9所述的半导体封装件，其中，所述第一管芯焊...

【专利技术属性】
技术研发人员：王莉双，颜台棋，李德森，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：