一种封装基板结构及其制备方法技术

一种封装基板结构及其制备方法，其中，封装基板结构包括：复合功能层；芯片，位于所述复合功能层的一侧表面；位于所述芯片侧部周围的所述复合功能层上的若干分立的限位件，所述限位件包括：位于所述复合功能层一侧表面的焊盘；与所述焊盘背向所述复合功能层一侧的表面焊接在一起的限位部，所述限位部的横向特征尺寸大于或等于所述焊盘的横向特征尺寸。本发明专利技术提供的封装基板结构对芯片定位的精度较高。提供的封装基板结构对芯片定位的精度较高。提供的封装基板结构对芯片定位的精度较高。

【技术实现步骤摘要】
一种封装基板结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及封装基板
，具体涉及一种封装基板结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]封装基板作为芯片封装的重要组成部件，可以起到承载保护芯片与连接上下层芯片或电路板作用。将芯片埋入基板，通过内外线层与其他器件相连是一种有效的减低器件整体尺寸的技术手段。
[0003]目前芯片埋入基板的定位方法主要有两种：一种是导电胶粘贴，另一种是焊料回流焊粘贴。前者因导电胶胶量的多少及填涂厚度不均匀，无法达到较高的表面平整度，易造成翘曲，位移等问题。同时由于导电胶固化过程存在芯片移动风险，也会影响对位精度。后者的芯片通过焊料回流焊固定，回流过程中芯片位移无法控制。
[0004]目前芯片埋入封装基板的定位结构的定位精度较低。

技术实现思路

[0005]因此，本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术中的芯片埋入封装基板的定位结构的定位精度较低的缺陷，从而提供一种封装基板结构及制备方法。
[0006]本专利技术提供一种封装基板结构，包括：复合功能层；芯片，位于所述复合功能层的一侧表面；位于所述芯片侧部周围的所述复合功能层上的若干分立的限位件，所述限位件包括：位于所述复合功能层一侧表面的焊盘；与所述焊盘背向所述复合功能层一侧的表面焊接在一起的限位部，所述限位部的横向特征尺寸大于或等于所述焊盘的横向特征尺寸。
[0007]可选的，所述限位部为焊球，所述限位部的横向特征尺寸为焊球的直径。
[0008]可选的，所述芯片的每侧侧部的均设置有所述限位件。
[0009]可选的，所述芯片具有相对设置的第一侧和第二侧、以及相对设置的第三侧和第四侧；所述若干分立的限位件包括：位于所述芯片的第一侧的第一限位件和第二限位件；位于所述芯片的第二侧的第三限位件和第四限位件；位于所述芯片的第三侧的第五限位件和第六限位件；位于所述芯片的第四侧的第七限位件和第八限位件。
[0010]可选的，所述复合功能层包括：芯板结构；第一积层结构，位于所述芯板结构朝向所述芯片的一侧表面；第二积层结构，位于所述芯板结构背向所述第一积层结构的一侧表面。
[0011]可选的，所述芯板结构包括：芯板；贯穿所述芯板的第三导电柱；位于所述芯板背向所述第二积层结构的一侧表面且被所述第一积层结构覆盖的第一内线层；位于所述芯板背向所述第一积层结构一侧表面且被所述第二积层结构覆盖的第二内线层；所述第一内线层与所述第二内线层通过所述第三导电柱电连接。
[0012]可选的，所述第一积层结构包括：第一积层；贯穿所述第一积层的第四导电柱；位于所述第一积层背向所述芯板结构一侧表面的第三内线层；所述第三内线层与所述第一内线层通过所述第四导电柱电连接。
[0013]可选的，还包括：第一塑封层，位于所述复合功能层的一侧表面且埋覆所述芯片和所述若干分立的限位件；第一导电柱，贯穿所述芯片上的所述第一塑封层；第六导电柱，第六导电柱贯穿芯片侧部的所述第一塑封层；第一外线层，所述第一外线层位于所述第一塑封层背向所述复合功能层的一侧表面，所述第一外线层与所述芯片通过所述第一导电柱电连接；所述第一外线层与所述第三内线层通过所述第六导电柱电连接。
[0014]可选的，所述复合功能层包括还包括：第二塑封层，位于所述第二积层结构背向所述芯板结构一侧的表面；第二导电柱，贯穿所述第二塑封层；第二外线层，位于所述第二塑封层背向所述第二积层结构的一侧表面；所述第二积层结构包括：第二积层，贯穿所述第二积层的第五导电柱，位于所述第二积层背向所述芯板结构一侧表面且被所述第二塑封层覆盖的第四内线层；所述第四内线层与所述第二内线层通过所述第五导电柱电连接；所述第四内线层与所述第二外线层通过所述第二导电柱电连接。
[0015]可选的，所述限位部与所述芯片之间的距离大于或等于零且小于或等于5μm。
[0016]本专利技术还提供一种封装基板结构的制备方法，包括：形成复合功能层；
[0017]在所述复合功能层一侧表面上形成若干分立的限位件，形成所述限位件的步骤包括：在所述复合功能层一侧表面形成焊盘；提供限位部，将所述限位部与所述焊盘背向所述复合功能层一侧的表面焊接在一起，所述限位部的横向特征尺寸大于或等于所述焊盘的横向特征尺寸；在所述复合功能层的表面上设置芯片，所述芯片被若干分立的限位件限位。
[0018]可选的，所述复合功能层的一侧表面具有芯片预埋区；所述芯片预埋区具有相对设置的第一侧和第二侧、以及相对设置的第三侧和第四侧；形成所述若干分立的限位件的步骤包括：在所述芯片预埋区的第一侧形成第一焊盘和第二焊盘；在形成所述第一焊盘和第二焊盘的过程中，在所述芯片预埋区的第二侧形成第三焊盘和第四焊盘，在所述芯片预埋区的第三侧形成第五焊盘和第六焊盘，在所述芯片预埋区的第四侧形成第七焊盘和第八焊盘；提供第一限位部、第二限位部、第三限位部、第四限位部、第五限位部、第六限位部、第七限位部和第八限位部；将所述第一限位部与所述第一焊盘背向所述复合功能层一侧的表面焊接在一起；将所述第二限位部与所述第二焊盘背向所述复合功能层一侧的表面焊接在一起；将所述第三限位部与所述第三焊盘背向所述复合功能层一侧的表面焊接在一起；将所述第四限位部与所述第四焊盘背向所述复合功能层一侧的表面焊接在一起；将所述第五限位部与所述第五焊盘背向所述复合功能层一侧的表面焊接在一起；将所述第六限位部与所述第六焊盘背向所述复合功能层一侧的表面焊接在一起；将所述第七限位部与所述第七焊盘背向所述复合功能层一侧的表面焊接在一起；将所述第八限位部与所述第八焊盘背向所述复合功能层一侧的表面焊接在一起；在所述复合功能层的表面上设置芯片的步骤为：在所述芯片预埋区设置芯片。
[0019]可选的，形成所述复合功能层的步骤包括：形成芯板结构；在所述芯板结构的一侧表面形成第一积层结构；在所述芯板结构背向所述第一积层结构的一侧表面形成第二积层结构。
[0020]可选的，形成所述芯板结构的步骤包括：提供芯板；形成贯穿所述芯板的第三导电柱；在所述芯板的两侧表面分别形成第一内线层和第二内线层，所述第一内线层与所述第二内线层通过所述第三导电柱电连接；
[0021]形成所述第一积层结构之后，所述第一积层结构覆盖所述第一内线层；形成所述
第二积层结构之后，所述第二积层结构覆盖所述第二内线层。
[0022]可选的，形成所述第一积层结构的步骤包括：形成覆盖所述第一内线层的第一积层；形成贯穿所述第一积层的第四导电柱；在所述第一积层背向所述芯板结构的一侧表面形成第三内线层；所述第三内线层与所述第一内线层通过所述第四导电柱电连接。
[0023]可选的，还包括：在所述复合功能层的一侧表面形成第一塑封层，所述第一塑封层埋覆所述芯片和所述若干分立的限位件；形成贯穿所述芯片上的第一塑封层的第一导电柱；形成贯穿芯片侧部的第一塑封层的第六导电柱；在所述第一塑封层背向所述复合功能层的一侧表面形成第一外线层，所述第一外线层与所述芯片通过第一导电柱电连接，所述第一外线层与所述第三内线层通过所述第六导电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装基板结构，其特征在于，包括：复合功能层；芯片，位于所述复合功能层的一侧表面；位于所述芯片侧部周围的所述复合功能层上的若干分立的限位件，所述限位件包括：位于所述复合功能层一侧表面的焊盘；与所述焊盘背向所述复合功能层一侧的表面焊接在一起的限位部，所述限位部的横向特征尺寸大于或等于所述焊盘的横向特征尺寸。2.根据权利要求1所述的封装基板结构，其特征在于，所述限位部为焊球，所述限位部的横向特征尺寸为焊球的直径。3.根据权利要求1所述的封装基板结构，其特征在于，所述芯片的每侧侧部的均设置有所述限位件。4.根据权利要求3所述的封装基板结构，其特征在于，所述芯片具有相对设置的第一侧和第二侧、以及相对设置的第三侧和第四侧；所述若干分立的限位件包括：位于所述芯片的第一侧的第一限位件和第二限位件；位于所述芯片的第二侧的第三限位件和第四限位件；位于所述芯片的第三侧的第五限位件和第六限位件；位于所述芯片的第四侧的第七限位件和第八限位件。5.根据权利要求1所述的封装基板结构，其特征在于，所述复合功能层包括：芯板结构；第一积层结构，位于所述芯板结构朝向所述芯片的一侧表面；第二积层结构，位于所述芯板结构背向所述第一积层结构的一侧表面。6.根据权利要求5所述的封装基板结构，其特征在于，所述芯板结构包括：芯板；贯穿所述芯板的第三导电柱；位于所述芯板背向所述第二积层结构的一侧表面且被所述第一积层结构覆盖的第一内线层；位于所述芯板背向所述第一积层结构一侧表面且被所述第二积层结构覆盖的第二内线层；所述第一内线层与所述第二内线层通过所述第三导电柱电连接。7.根据权利要求6所述的封装基板结构，其特征在于，所述第一积层结构包括：第一积层；贯穿所述第一积层的第四导电柱；位于所述第一积层背向所述芯板结构一侧表面的第三内线层；所述第三内线层与所述第一内线层通过所述第四导电柱电连接。8.根据权利要求7所述的封装基板结构，其特征在于，还包括：第一塑封层，位于所述复合功能层的一侧表面且埋覆所述芯片和所述若干分立的限位件；第一导电柱，贯穿所述芯片上的所述第一塑封层；第六导电柱，第六导电柱贯穿芯片侧部的所述第一塑封层；第一外线层，所述第一外线层位于所述第一塑封层背向所述复合功能层的一侧表面，所述第一外线层与所述芯片通过所述第一导电柱电连接；所述第一外线层与所述第三内线层通过所述第六导电柱电连接。9.根据权利要求6所述的封装基板结构，其特征在于，所述复合功能层包括还包括：第二塑封层，位于所述第二积层结构背向所述芯板结构一侧的表面；第二导电柱，贯穿所述第二塑封层；第二外线层，位于所述第二塑封层背向所述第二积层结构的一侧表面；所述第二积层结构包括：第二积层，贯穿所述第二积层的第五导电柱，位于所述第二积层背向所述芯板结构一侧表面且被所述第二塑封层覆盖的第四内线层；所述第四内线层与所述第二内线层通过所述第五导电柱电连接；所述第四内线层与所述第二外线层通过所述第二导电柱电连接。10.根据权利要求1所述的封装基板结构，其特征在于，所述限位部与所述芯片之间的
距离大于或等于零且小于或等于5μm。11.一种封装基板结构的制备方法，其特征在于，包括：形成复合功能层；在所述复合功能层一侧表面上形成若干分立的限位件，形成所述限位件的步骤包括：在所述复合功能层一侧表面形成焊盘；提供限位部，将所述限位部与所述焊盘背向所述复合功能层一侧的表面焊接在一起，所述限位部的横向特征尺寸大于或等于所述焊盘的横向特征尺寸；在所述复合功能层的表面上设置芯片，所述芯片被若干分立的限位件限位。12.根据权利要求11...

【专利技术属性】
技术研发人员：桂萌琦，方志丹，王启东，于中尧，
申请(专利权)人：上海先方半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：