半导体电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种半导体电路，通过电路基板上设有绝缘层；电路布线层设于绝缘层上；多个引脚与电路层电性连接；密封本体至少包裹设置电路层的电路基板的一表；电路元件划分为大功率元件和小功率元件，电路布线层包括第一焊接区域和第二焊接区域，第一焊接区域靠近电路基板的第一侧边，第二焊接区域靠近电路基板的第二侧边，且第一焊接区域与第二焊接区域相互间隔设置；大功率元件通过第一非锡膏焊接料焊接在第一焊接区域，小功率元件通过第二非锡膏焊接料焊接在第二焊接区域，避免大功率元件与小功率元件之间的焊料交叉污染，无需对电路基板进行清洗，即可得到无焊接料污染的半导体电路，提高了半导体电路的性能和可靠性。提高了半导体电路的性能和可靠性。提高了半导体电路的性能和可靠性。

【技术实现步骤摘要】
半导体电路


[0001]本技术涉及一种半导体电路，属于半导体电路应用


技术介绍

[0002]半导体电路是一种将电力电子和集成电路技术结合的功率驱动类产品。半导体电路把功率开关器件和高压驱动电路集成在一起，并内藏有过电压、过电流和过热等故障检测电路。半导体电路一方面接收MCU的控制信号，驱动后续电路工作，另一方面将系统的状态检测信号送回MCU进行处理。与传统分立方案相比，半导体电路以其高集成度、高可靠性等优势赢得越来越大的市场，尤其适合于驱动电机的变频器及各种逆变电源，是变频调速，冶金机械，电力牵引，伺服驱动，以及变频家电的一种理想电力电子器件。半导体电路由高速低工耗的管芯和优化的门级驱动电路以及快速保护电路构成。即使发生负载事故或使用不当，也可以使半导体电路自身不受损坏。半导体电路包括IGBT、MOSFET、FRD的功率开关元件以及一些阻容元件，并内藏驱动电路的集成结构。面对市场小型化、低成本竞争，对半导体电路高集成和高散热技术提出了更高的要求。
[0003]在实现过程中，专利技术人发现传统技术中至少存在如下问题：传统的半导体电路中，将所有元器件固定在基板或引线框架上时，通常采用回流焊接后容易对基板及所有的裸芯片造成污染，后续要经过清洗烘干等工序，如果清洗不干净或烘干不彻底，会带来性能及可靠性问题。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对传统的半导体电路中元器件采用回流焊接后容易对基板及所有的裸芯片造成污染，后续要经过清洗烘干等工序，若清洗不干净或烘干不彻底，会降低半导体电路的性能及可靠性的问题。提供一种半导体电路。
[0005]具体地，本技术公开一种半导体电路，包括：
[0006]电路基板，电路基板上设有绝缘层；
[0007]电路层，电路层包括电路布线层，以及配置于电路布线层上的电路元件；电路布线层设于绝缘层上；
[0008]多个引脚，多个引脚的第一端与电路层电性连接；
[0009]密封本体，密封本体至少包裹设置电路层的电路基板的一表面，多个引脚的第二端分别从密封本体露出；
[0010]其中，电路元件划分为大功率元件和小功率元件，电路布线层包括第一焊接区域和第二焊接区域，第一焊接区域靠近电路基板的第一侧边，第二焊接区域靠近电路基板的第二侧边，且第一焊接区域与第二焊接区域相互间隔设置；大功率元件通过第一非锡膏焊接料焊接在第一焊接区域，小功率元件通过第二非锡膏焊接料焊接在第二焊接区域。
[0011]可选地，第一非锡膏焊接料为软焊料；大功率元件通过软焊料焊接在第一焊接区域上。
[0012]可选地，大功率元件包括IGBT、FRD和MOSFET。
[0013]可选地，第二非锡膏焊接料为导电银浆；小功率元件通过导电银浆焊接在第二焊接区域上。
[0014]可选地，小功率元件包括驱动芯片和阻容件。
[0015]可选地，小功率元件与小功率元件之间、大功率元件与大功率元件之间、小功率元件与大功率元件之间分别通过金属线连接。
[0016]上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点和有益效果：
[0017]上述的半导体电路的各实施例中，通过电路基板上设有绝缘层；电路层包括电路布线层，以及配置于电路布线层上的电路元件；电路布线层设于绝缘层上；多个引脚的第一端与电路层电性连接；密封本体至少包裹设置电路层的电路基板的一表面，多个引脚的第二端分别从密封本体露出；电路元件划分为大功率元件和小功率元件，电路布线层包括第一焊接区域和第二焊接区域，第一焊接区域靠近电路基板的第一侧边，第二焊接区域靠近电路基板的第二侧边，且第一焊接区域与第二焊接区域相互间隔设置；大功率元件通过第一非锡膏焊接料焊接在第一焊接区域，小功率元件通过第二非锡膏焊接料焊接在第二焊接区域，避免大功率元件与小功率元件之间的焊料交叉污染，无需对电路基板进行清洗，即可得到无焊接料污染的半导体电路，提高了半导体电路的性能和可靠性。本申请通过在电路布线层上设置靠近电路基板的第一侧边的第一焊接区域和靠近电路基板的第二侧边的第二焊接区域，将所有大功率元件通过第一非锡膏焊接料焊接第一焊接区域上，将小功率元件通过第二非锡膏焊接料焊接在第二焊接区域，并在完成焊接后无需对基板进行清洗，避免对基板及所有的裸芯片造成污染，使得半导体电路在导热、导电等方面具有优良的性能，提高了半导体电路的可靠性。
附图说明
[0018]图1为本技术实施例的半导体电路的俯视示意图；
[0019]图2为本技术实施例的半导体电路的第一侧视示意图；
[0020]图3为本技术实施例的半导体电路的第二侧视示意图。
[0021]附图标记：
[0022]半导体电路10，电路基板100，绝缘层200，大功率元件310，小功率元件320，第一非锡膏焊接料330，第二非锡膏焊接料340，第一焊接区域350，第二焊接区域360，引脚400，金属线500，密封本体600。
具体实施方式
[0023]为了使本
的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。
[0024]需要说明的是，在结构或功能不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本技术。
[0025]传统的半导体电路中，采用基板上印刷焊膏的方式，大功率器件和小功率器件混杂放置在电路基板上，通过回流焊工艺将所有芯片及其他可能有的阻容件一起焊接在电路基板上。然后通过清洗工艺去除金属颗粒、粉尘、锡膏中有机物挥发残留等，再进行内引线焊接和塑封工序，最终完成产品的生产制造。焊膏焊接存在的问题是，对大功率芯片容易形成背面空洞，影响导热和导电。清洗工序占用工时增加成本，而且挥发性有机物虽然通过清洗可以去除，但还是会有少量残留，影响产品性能和长期可靠性。
[0026]在一个实施例中，如图1
‑
3所示，本技术提出一种半导体电路，该半导体电路10包括电路基板100、电路层、多个引脚400和密封本体600，电路基板100上设有绝缘层200；电路层包括电路布线层，以及配置于电路布线层上的电路元件；电路布线层设于绝缘层200上；多个引脚400的第一端与电路层电性连接；密封本体600至少包裹设置电路层的电路基板100的一表面，多个引脚400的第二端分别从密封本体600露出；其中，电路元件划分为大功率元件310和小功率元件320，电路布线层包括第一焊接区域350和第二焊接区域360，第一焊接区域350靠近电路基板100的第一侧边，第二焊接区域360靠近电路基板100的第二侧边，且第一焊接区域350与第二焊接区域360相互间隔设置；大功率元件310通过第一非锡膏焊接料330焊接在第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体电路，其特征在于，包括：电路基板，所述电路基板上设有绝缘层；电路层，所述电路层包括电路布线层，以及配置于所述电路布线层上的电路元件；所述电路布线层设于所述绝缘层上；多个引脚，多个所述引脚的第一端与所述电路层电性连接；密封本体，所述密封本体至少包裹设置所述电路层的电路基板的一表面，多个所述引脚的第二端分别从所述密封本体露出；其中，电路元件划分为大功率元件和小功率元件，所述电路布线层包括第一焊接区域和第二焊接区域，所述第一焊接区域靠近所述电路基板的第一侧边，所述第二焊接区域靠近所述电路基板的第二侧边，且所述第一焊接区域与所述第二焊接区域相互间隔设置；所述大功率元件通过第一非锡膏焊接料焊接在所述第一焊接区域，所述小功率元件通过第二非锡膏焊接料焊...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯宇翔，潘志坚，张土明，谢荣才，
申请(专利权)人：广东汇芯半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：