一种光芯片和电芯片的封装结构及其制备方法技术

技术编号:33131823 阅读:35 留言:0更新日期:2022-04-17 00:49
一种光芯片和电芯片的封装结构及其制备方法,光芯片和电芯片的封装结构包括:第一基层,第一基层中具有容置腔;位于第一基层一侧表面的第一重布线结构;位于容置腔内的电芯片,电芯片的正面背向第一重布线结构;位于电芯片背向第一重布线结构的一侧的光芯片,至少部分光芯片位于容置腔内;贯穿光芯片的第一导电连接件,第一导电连接件的一端与电芯片电连接;位于第一基层另一侧的第二重布线结构,第二重布线结构与第一导电连接件的另一端连接;贯穿容置腔侧部的第一基层的第二导电连接件,第二导电连接件与第一重布线结构和第二重布线结构电连接。所述光芯片和电芯片的封装结构在输入与输出密度大时仍可扇出。在输入与输出密度大时仍可扇出。在输入与输出密度大时仍可扇出。

【技术实现步骤摘要】
一种光芯片和电芯片的封装结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装
,具体涉及一种光芯片和电芯片的封装结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着近年来硅光技术的不断发展成熟,硅光芯片可将调制器、探测器、复用解复用、波导等集成在一颗芯片上,采用硅光芯片的光模块是目前研究的热点,光芯片在激光雷达、探测器等多领域应用,光芯片的电学焊盘密度高、尺寸大,同时光芯片上表面还需要进行光学耦合或光学发射、接收,而现有的光芯片和电芯片的封装结构在输入与输出密度大时无法扇出的问题。
[0003]因此,现有技术中的光芯片和电芯片的封装结构有待提高。

技术实现思路

[0004]本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术中光芯片和电芯片的封装结构在输入与输出密度大时无法扇出的问题。
[0005]为了解决上述技术问题,本专利技术提供一种光芯片和电芯片的封装结构包括:第一基层,所述第一基层中具有容置腔;位于所述第一基层一侧表面的第一重布线结构;位于所述容置腔内的电芯片,所述电芯片的正面背向所述第一重布线结构;位于所述电芯本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光芯片和电芯片的封装结构,其特征在于,包括:第一基层,所述第一基层中具有容置腔;位于所述第一基层一侧表面的第一重布线结构;位于所述容置腔内的电芯片,所述电芯片的正面背向所述第一重布线结构;位于所述电芯片背向所述第一重布线结构的一侧的光芯片,至少部分所述光芯片位于所述容置腔内;贯穿所述光芯片的第一导电连接件,所述第一导电连接件的一端与所述电芯片电连接;位于所述第一基层另一侧的第二重布线结构,所述第二重布线结构与所述第一导电连接件的另一端连接;贯穿所述容置腔侧部的所述第一基层的第二导电连接件,所述第二导电连接件与所述第一重布线结构和所述第二重布线结构电连接。2.根据权利要求1所述的光芯片和电芯片的封装结构,其特征在于,所述第一基层包括第一子基层和第二子基层,所述第一子基层中具有第一子容置腔,所述第二子基层中具有第二子容置腔,所述第一子容置腔与所述第二子容置腔贯通;所述电芯片位于所述第一子容置腔中,至少部分所述光芯片位于所述第二子容置腔中;所述第二导电连接件包括第一子导电连接件与第二子导电连接件,所述第一子导电连接件位于所述第一子基层中,所述第二子导电连接件位于所述第二子基层中;所述第一子导电连接件的一端与所述第二子导电连接件的一端连接,所述第一子导电连接件的另一端与所述第一重布线结构电连接,所述第二子导电连接件的另一端与所述第二重布线结构电连接。3.根据权利要求2所述的光芯片和电芯片的封装结构,其特征在于,所述第一子基层为第一芯板;所述第二子基层为第二芯板或介质层。4.根据权利要求1所述的光芯片和电芯片的封装结构,所述光芯片倒装在所述电芯片上;所述光芯片的正面一侧具有第一焊盘,所述电芯片的正面具有第二焊盘,所述第一焊盘和部分所述第二焊盘焊接在一起,所述第一导电连接件与部分所述第二焊盘连接。5.根据权利要求1所述的光芯片和电芯片的封装结构,其特征在于,所述光芯片正装在所述电芯片上;所述光芯片的正面一侧具有第一焊盘,所述电芯片的正面具有第二焊盘,所述第一导电连接件与所述第二焊盘连接,所述第二重布线结构还与所述第一焊盘连接。6.根据权利要求1所述的光芯片和电芯片的封装结构,其特征在于,还包括:第二基层,所述第二基层位于所述第二重布线结构背离所述第一重布线结构的一侧;所述第二基层中具有贯穿所述第二基层的第一开口;所述光芯片和电芯片的封装结构还包括:透镜,所述透镜位于所述第一开口中的顶部区域;优选的,所述第一开口远离所述第一重布线结构的宽度大于所述第一开口靠近所述第一重布线结构的宽度。7.根据权利要求6所述的光芯片和电芯片的封装结构,其特征在于,还包括:激光器,所述激光器位于部分所述第一基层背离所述第一重布线结构的一侧表面且位于所述光芯片的侧部;透光介质层,所述透光介质层位于所述第一基层与所述第二基层之间且覆盖所述光芯片的部分侧壁以及所述激光器;所述第二导电连接件还贯穿所述透光介质层;
所述第二重布线结构位于所述透光介质层背向所述第一基层的一侧表面。8.权利要求6所述的光芯片和电芯片的封装结构,其特征在于,所述第二基层还具有贯穿所述第二基层的第二开口,所述第二开口位于所述第一开口的侧部,所述第二开口的底部暴露出所述光芯片的光学窗口;位于所述第二开口中的光纤单元;优选的,所述光纤单元为光纤耦合阵列。9.权利要求1所述的光芯片和电芯片的封装结构,其特征在于,还包括:焊球,所述焊球位于所述第一重布线结构背离所述第一基层的一侧且与所述第一重布线结构连接;母版;所述焊球设置在所述母版的一侧且与所述母版电连接。10.一种光芯片和电芯片的封装结构的制备方法,其特征在于,包括:形成第一基层,所述第一基层的一侧表面具有第一重布线结构;在所述第一基层中形成容置腔;在所述容置腔内放置电芯片,所述电芯片的正面背向所述第一重布线结构;在所述电芯片背向所述第一重布线结构的一侧设置光芯片;形成贯穿所述光芯片的第一导电连接件,所...

【专利技术属性】
技术研发人员:孙瑜
申请(专利权)人:上海先方半导体有限公司
类型:发明
国别省市:

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