一种大功率可控硅制造技术

本实用新型专利技术提出一种适用插接或贴片方式的大功率可控硅，其具体是通过下以技术手段实现：大功率可控硅包括封装体、散热底板和若干引脚，该若干引脚与封装体内的电路连接，该引脚包括引出段、弯折段和连接段，该连接段的底部接触面与封装体的背面持平，该散热底板由封装体上不具备引脚的一面伸出，且其背面与封装体的背面持平。本实用新型专利技术改变传统的器件的引脚结构，通过弯折设计使引脚与封装体背面持平，从而可以实现将器件贴放于电路板上，整体上控制了可控硅所占空间，让器件的安装更为稳固、电路板设置更为灵活，而且还可以通过散热底板与电路板接触解决散热问题。此外，引脚的连接段仍然兼容传统的插接方式，应用面更广。应用面更广。应用面更广。

【技术实现步骤摘要】
一种大功率可控硅


[0001]本技术涉一种可控硅器件，具体涉及一种适用插接或贴片方式的大功率可控硅。

技术介绍

[0002]传统的可控硅器件包括封装体及外露于封装体的多个直立引脚，一般通过与插接座对接或直接焊接的方式安装于电路板之上，此安装方式显然占据较多的空间，且可控硅的主体部分仅依靠引脚支撑，容易产生晃动甚至被折断。

技术实现思路

[0003]本技术提出一种适用插接或贴片方式的大功率可控硅，其具体是通过下以技术手段实现：大功率可控硅包括封装体、散热底板和若干引脚，该若干引脚与封装体内的电路连接，该引脚包括引出段、弯折段和连接段，该连接段的底部接触面与封装体的背面持平，该散热底板由封装体上不具备引脚的一面伸出，且其背面与封装体的背面持平。
[0004]于本技术的一个或多个实施例当中，该封装体内的电路包括设于基板上的可控硅芯片，该基板与散热底板连接，该可控硅芯片的阳极与栅极分别连接对应的引脚，该可控硅芯片的阴极连接散热底板。
[0005]于本技术的一个或多个实施例当中，该封装体内的电路包括设于基板上的可控硅芯片，该基板与散热底板连接，该可控硅芯片的阳极、阴极与栅极分别连接对应的引脚。
[0006]于本技术的一个或多个实施例当中，该引出段与弯折段被该封装体包覆。
[0007]本技术的有益效果是：改变传统的器件的引脚结构，通过弯折设计使引脚与封装体背面持平，从而可以实现将器件贴放于电路板上，整体上控制了可控硅所占空间，让器件的安装更为稳固、电路板设置更为灵活，而且还可以通过散热底板与电路板接触解决散热问题。此外，引脚的连接段仍然兼容传统的插接方式，不会如SMD封装器件那样局限了适用范围，应用面更广。
附图说明
[0008]图1为本技术实施例1的立体结构示意图(顶部)。
[0009]图2为本技术实施例1的立体结构示意图(底部)。
[0010]图3为本技术实施例1的剖视结构示意图。
[0011]图4为本技术实施例1的贴装结构示意图。
[0012]图5为本技术实施例1的又一种贴装结构示意图。
[0013]图6为本技术实施例2的立体结构示意图。
[0014]图7为本技术实施例3的立体结构示意图(顶部)。
[0015]图8为本技术实施例3的剖视结构示意图。
具体实施方式
[0016]如下结合附图对本申请方案作进一步描述：
[0017]实施例1
[0018]参见附图1至3，大功率可控硅包括封装体1、散热底板2和若干引脚3，该若干引脚3与封装体1内的电路4连接，该引脚3包括引出段31、弯折段32和连接段33，该连接段33的底部接触面与封装体1的背面持平，该散热底板2由封装体上不具备引脚3的一面伸出，且其背面与封装体1的背面持平。该封装体1内的电路4包括设于基板41上的可控硅芯片42，该基板41与散热底板2连接。由于基板41与散热底板2的抬升，故传统可控硅器件的引脚是由封装体端面的中部伸出，此结构显然不适合贴放，所述本专利通过弯折设计使引脚3与封装体1背面持平，从而可以实现将器件贴放于电路板上，整体上控制了可控硅所占空间，让器件的安装更为稳固、电路板设置更为灵活；该散热底板2包括由封装体1端面伸出的第一部分21，以及外露于封装体1的背面且于背面持平的第二部分22，通过散热底板2与电路板接触解决散热问题，且于封装体1的背面增大外露面积更有利于散热；该第一部分21上开设有贯穿孔23，其板体两侧开设有对称的开口外扩的槽24，方便器件通过螺丝或焊接固定。该可控硅芯片42的阳极与栅极分别连接对应的引脚3，对应形成阳极引脚301和栅极引脚302，该可控硅芯片42的阴极连接散热底板2，这里省掉了一个引脚，同时让阳极引脚与栅极引脚的间距增大。该引出段31与封装体1内的电路4连接，该引出段31与连接段33平行，该弯折段32倾斜地连接该引出段31和连接段33，该弯折段32与连接段33之间的夹角为20
‑
90度。由于器件的尺寸是很小的，弯折段32与连接段33之间的距离也是很小，故需避免大角度弯折并通过弯折段32延伸连接，否则不仅弯折难度大，而且引脚易折断。因此，弯折段32与连接段33之间的夹角优选为20
‑
30度之间，当然，根据器件的实际尺寸差异，也可以增大夹角以减少弯折段延伸长度，一般不超过45度；但不排除有45
‑
90之间的实施方案。
[0019]参见附图4，基于上述结构，本实施例的大功率可控硅可于电路板上水平贴放，引脚3的连接段33和散热底板2分别与电路板上的焊盘5连接，此方式可直接使用贴片机实现操作，在器件水平贴放后，不仅占用空间大为减少，有利于电路板做薄，适配更多产品结构需求，而且有了连接段33和散热底板2的焊接，器件更为稳固，克服了传统插接方式的固有缺陷。
[0020]参见附图5，为进一步的地将电路板做薄，可以于贴放可控硅器件的位置设有贯穿板体的嵌槽6，贴放时将大功率可控硅倒扣，令封装体1嵌入至嵌槽6中，引脚连接段33的顶面和散热底板2的顶面分别与电路板上的焊盘5连接，此方式充分利用于器件引脚弯折的优势，令封装体1最大限度地收纳于嵌槽，也就是说，该处的电路板厚度就不再是“板体厚度+可控硅封装体厚度”，而只是“可控硅封装体厚度”。
[0021]实施例2
[0022]参见附图6，该封装体1内的电路4包括设于基板41上的可控硅芯片42，该基板41与散热底板2连接，该可控硅芯片42的阳极、阴极与栅极分别连接对应的引脚，对应形成阳极引脚301、阴极引脚303和栅极引脚302。本实施例保留了三引脚结构，兼容适配对应三引脚的电路板；其余器件结构与实施例1相同。
[0023]实施例3
[0024]参见附图7至8，在上述实施1或2的基础上，考虑到如若在器件成型后再对引脚3进
行弯折操作有较大难度且容易损坏器件，以及对弯折部分的保护，可以先生产出弯折好的引脚3，然后将引脚3与电路4连接后再进行塑封成型，使该引出段31与弯折段32被该封装体1包覆。
[0025]上述优选实施方式应视为本申请方案实施方式的举例说明，凡与本申请方案雷同、近似或以此为基础作出的技术推演、替换、改进等，均应视为本专利的保护范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大功率可控硅，包括封装体、散热底板和若干引脚，该若干引脚与封装体内的电路连接，其特征在于，该引脚包括引出段、弯折段和连接段，该连接段的底部接触面与封装体的背面持平，该散热底板由封装体上不具备引脚的一面伸出，且其背面与封装体的背面持平。2.根据权利要求1所述的大功率可控硅，其特征在于，该封装体内的电路包括设于基板上的可控硅芯片，该基板与散热底板连接，该可控硅芯片的阳极与栅极分别连接对应的引脚，该可控硅芯片的阴极连接散热底板。3.根据权利要求1所述的大功率可控硅，其特征在于，该封装体内的电路包括设于基板上的可控硅芯片，该基板与散热底板连接，该可控硅芯片的阳极、阴极与栅极分别连接对应的引脚。4.根据权利要求2或3所述的大功率可控硅，其特征在于，该散热底板包括由封装体端面伸出的第一部分，...

【专利技术属性】
技术研发人员：周国平，高瑜，曾贺，
申请(专利权)人：中山市君创电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：