一种ESD保护器件制造技术

本实用新型专利技术公开一种ESD保护器件，属于集成电路静电放电保护领域，包括N型单晶材料、P扩散区、N+扩散区和P+扩散区，P扩散区形成于N型单晶材料上，N+扩散区包括形成于N型单晶材料上的第一N+扩散区和形成于P扩散区上的第二N+扩散区、第三N+扩散区，P+扩散区包括形成于N型单晶材料上的第一P+扩散区和形成于P扩散区上的第二P+扩散区，N+扩散区和P+扩散区的上方设有多个形成于相邻N+扩散区和P+扩散区之间的表面钝化层，多个表面钝化层上连接形成第一金属层、第二金属层、第三金属层；第一N+扩散区和P扩散区之间设有隔离槽。本实用新型专利技术可以在芯片面积不变的条件下，通过合理的结构设计，避免寄生SCR结构的触发开启。避免寄生SCR结构的触发开启。避免寄生SCR结构的触发开启。

【技术实现步骤摘要】
一种ESD保护器件


[0001]本技术属于电子科学与
，主要涉及到集成电路静电放电(ESD
‑
Electrostatic Discharge)保护领域，具体是涉及到一种ESD保护器件。

技术介绍

[0002]静电放电(ESD)现象是引起集成电路产品损伤甚至失效的重要原因。集成电路产品在其生产、制造、装配以及工作过程中极易受到ESD的影响，造成产品内部损伤、可靠性降低。因此，研究高性能、高可靠性的ESD防护器件对提高集成电路的成品率和可靠性具有至关重要的作用。通常，ESD保护器件的设计需要考虑以下四个方面的问题：一是ESD保护器件要有足够的ESD抗干扰能力；二是ESD保护器件要能够泄放大电流；三是ESD保护器件具有特定的触发电压及低保持电压；四是ESD保护器件需要超低的寄生电容。
[0003]通常用作ESD保护的器件有二极管、BJT(三极管)、SCR(可控硅)等。BJT结构由于引入注入调制效应，获得浅回扫特性。SCR结构通过PNPN的正反馈机制，实现了深回扫特性。因此，从残压参数上，SCR结构最低，BJT结构次之，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种ESD保护器件，包括N型单晶材料、P扩散区、N+扩散区和P+扩散区，P扩散区形成于N型单晶材料上，N+扩散区包括形成于N型单晶材料上的第一N+扩散区和形成于P扩散区上的第二N+扩散区、第三N+扩散区，P+扩散区包括形成于N型单晶材料上的第一P+扩散区和形成于P扩散区上的第二P+扩散区，N+扩散区和P+扩散区的上方设有多个形成于相邻N+扩散区和P+扩散区之间的表面钝化层，多个表面钝化层上连接形成第一金属层、第二金属层、第三金属层；其特征在于：第一N+扩散区和P扩散区之间设有隔离槽...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨晓亮，李泽宏，
申请(专利权)人：济南市半导体元件实验所，
类型：新型
国别省市：