【技术实现步骤摘要】
一种二极管的键合封装结构及其工艺
[0001]本专利技术涉及二极管键合封装
，特别是涉及一种二极管的键合封装结构及其工艺。
技术介绍
[0002]本部分的陈述仅仅是提供了与本专利技术相关的
技术介绍
信息，不必然构成在先技术。
[0003]由于扩散片的晶圆成本低廉，易于生产，工艺成熟，因此大功率二极管晶圆的生产多采用扩散片工艺；但是扩散片在喷砂工艺后，晶圆的表面存在微米级(与喷砂精度有关)不平整现象，在后续芯片的键合封装过程中，由于表面存在的微缺陷，超声键合后，键合质量经过500次温度循环(
‑
55℃～++50℃)后急速衰减，存在键合工艺长期可靠性的问题；以及由于电流大，存在芯片电流不均流的问题。
技术实现思路
[0004]为了解决上述问题，本专利技术提出了一种二极管的键合封装结构及其工艺，改变芯片表面的金属层，增加钼片作为过渡片，解决现有技术中芯片键合可靠性低、热膨胀系数不匹配、电流不均流等问题，提高产品的长期可靠性。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术采用如下技术...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种二极管的键合封装结构，其特征在于，包括：芯片、钼片和键合丝；所述芯片上进行钛镍银的金属化，所述钼片的一侧电镀镍金，另一侧电镀镍，钼片电镀镍金的一侧焊接在芯片上，钼片电镀镍的一侧与键合丝进行超声键合。2.如权利要求1所述的一种二极管的键合封装结构，其特征在于，所述键合封装结构还包括外壳，钼片电镀镍金的一侧与芯片焊接时采用真空焊接，将外壳、芯片和钼片一次焊接成型。3.如权利要求2所述的一种二极管的键合封装结构，其特征在于，所述真空焊接采用Pb92.5Sn5Ag2.5焊片。4.如权利要求1所述的一种二极管的键合封装结构，其特征在于，所述键合丝采用高纯铝丝。5.如权利要求4所述的一种二极管的键合封装结构，其特征在于，所述键合丝采用Ф380μm的高纯铝丝。6.如权利要求4所述的一种二极管的键合封装结...
【专利技术属性】
技术研发人员：王迎春，薄霞，马捷，杨敏，
申请(专利权)人：济南市半导体元件实验所，
类型：发明
国别省市：
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