半导体装置制造方法及图纸

实施方式提供一种能够在连接多个芯片的同时降低俯视时的面积的半导体装置。半导体装置具备：第一芯片，在第一面设有第一电极以及第二电极，在位于所述第一面的相反侧的第二面设有第三电极；第二芯片，在第三面设有第四电极以及第五电极，在位于所述第三面的相反侧的第四面设有第六电极，所述第二芯片以所述第三面与所述第一面对置的方式配置；第一连接器，配置于所述第一电极与所述第四电极之间，并与所述第一电极以及所述第四电极连接；以及第二连接器，配置于所述第二电极与所述第五电极之间，并与所述第二电极以及所述第五电极连接。并与所述第二电极以及所述第五电极连接。并与所述第二电极以及所述第五电极连接。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001]相关申请
[0002]本申请享受以日本专利申请2020－154924号(申请日：2020年9月15日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。


[0003]实施方式涉及半导体装置。

技术介绍

[0004]为了能够在抑制导通电阻的同时输出较大的电流，有时将MOSFET(Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor Field
‑
Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)等功率半导体的芯片并联连接。

技术实现思路

[0005]实施方式提供一种能够在连接多个芯片的同时降低俯视时的面积的半导体装置。
[0006]实施方式的半导体装置具备：第一芯片，在第一面设有第一电极以及第二电极，在位于所述第一面的相反侧的第二面设有第三电极；第二芯片，在第三面设有第四电极以及第五电极，在位于所述第三面的相反侧的第四面设有第六电极，所述第二芯片以所述第三面与所述第一面对置的方式配置；第一连接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，具备：第一芯片，在第一面设有第一电极以及第二电极，在位于所述第一面的相反侧的第二面设有第三电极；第二芯片，在第三面设有第四电极以及第五电极，在位于所述第三面的相反侧的第四面设有第六电极，所述第二芯片以所述第三面与所述第一面对置的方式配置；第一连接器，配置于所述第一芯片与所述第二芯片之间，并与所述第一电极以及所述第四电极连接；以及第二连接器，配置于所述第一芯片与所述第二芯片之间，并与所述第二电极以及所述第五电极连接。2.如权利要求1所述的半导体装置，还具备：基板，以与所述第一芯片的所述第二面对置的方式配置，并与所述第三电极连接；以及第三连接器，与所述第二芯片的所述第六电极以及所述基板连接。3.如权利要求1或2所述的半导体装置，在所述第一连接器中位于所述第一电极与所述第四电极之间的第一前端部具有：第一部分；以及第二部分，设于所述第一部分的周围，所述第二部分与所述第一电极的距离比所述第一部分与所述第一电极的距离短，所述第二部分与所述第四电极的距离比所述第一部分与所述第四电极的距离长。4.如权利要求1或2所述的半导体装置，在所述第一连接器中位于所述第一电极与所述第四电极之间的第一前端部具有波状的形状。5.如权利要求1或2所述的半导体装置，在所述第一连接器中位于所述第一电极与所述第四电极之间的第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：大黑达也，小岛秀春，
申请(专利权)人：东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：