一种具有横向变掺杂的半导体终端结构及制备方法技术

本发明专利技术提供了一种具有横向变掺杂的半导体终端结构及制备方法，所述终端结构包括N

【技术实现步骤摘要】
一种具有横向变掺杂的半导体终端结构及制备方法


[0001]本专利技术涉及功率半导体器件
，特别涉及一种具有横向变掺杂的半导体终端结构及制备方法。

技术介绍

[0002]本部分的陈述仅仅是提供了与本专利技术相关的
技术介绍
，并不必然构成现有技术。
[0003]功率半导体器件需要根据目标应用选取合适的终端结构，降低终端尺寸在芯片中所占的比例，从而可以提高同等面积下芯片的电流密度。最早提出的场限环(FLR)结构终端的是Kao与Wollry，他们在1967年提出该结构可拓展半导体表面的空间电荷区，各种基于场限环结构叠加场板的终端结构也应运而生，如图1中的(a)所示，这些结构使得击穿电压达到平行平面结的约85％。另一方面，横向变掺杂终端(VLD)于1985年由R.Stengl与U.Gosele提出以来，逐步在FRD、MOS器件中得以应用及推广。该类终端属于结终端扩展方式的一种，如图1中的(b)所示，相比传统JTE终端优势在于可实现更高的终端注入剂量，受外界电荷影响更小。
[0004]目前，传统场限环叠加场板的结构尺寸依旧偏大，占据了较本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有横向变掺杂的半导体终端结构，其特征在于：包括：N+型半导体衬底；N
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型半导体漂移区，设于所述N+型半导体衬底的上表面，包括P型半导体主结、P型半导体场限环、P
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型半导体VLD区和N+型半导体场限环，P型半导体场限环与P
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型半导体VLD区的一侧相互连接，P
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型半导体VLD区与N+型半导体场限环之间有间隙，P
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型半导体VLD区中的掺杂离子的浓度小于所述P型半导体场限环中的掺杂离子的浓度，P
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型半导体VLD区的结深大于P型半导体主结的结深；绝缘介质层，设于所述N
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型半导体漂移区的上表面，分别与P型半导体主结、P型半导体场限环的部分上表面和N+型半导体场限环的部分上表面接触；阳极，自P型半导体主结的上表面向外延伸，覆盖绝缘介质层的一侧面和部分上表面；金属场板，与阳极相对设置，自N+型半导体场限环的上表面向外延伸，覆盖绝缘介质层的另一侧面和部分上表面；阴极，设于N+型半导体衬底的底面。2.如权利要求1所述的具有横向变掺杂的半导体终端结构，其特征在于：P
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型半导体VLD区包括多个P
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型子VLD区组成，各个P
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型子VLD区的深度沿第一方向逐渐加深，第一方向为N
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型半导体漂移区的宽度方向。3.如权利要求2所述的具有横向变掺杂的半导体终端结构，其特征在于：单个P
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型子VLD区的掺杂浓度沿第一方向逐渐减小。4.如权利要求2或3所述的具有横向变掺杂的半导体终端结构，其特征在于：多个P
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型子VLD区的掺杂浓度沿...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙德福，李东华，
申请(专利权)人：济南市半导体元件实验所，
类型：发明
国别省市：