一种具有高抗静电能力的晶体管芯片结构制造技术

本发明专利技术公开了一种具有高抗静电能力的晶体管芯片结构，包括两个MOS结构和一个电容结构，两个MOS结构均包括衬底层、第一导电层、重掺杂第一导电层、第二导电层、绝缘层、多晶硅层、氮化硅绝缘层、PSG层和金属电极层，两个MOS结构其中第一级MOS结构的源极或漏极作为第二级MOS结构的栅极，第一个MOS的栅极与公共的接地电极之间设置一个并联的二极管，且并联的二极管一端连接第一个MOS结构的栅电极，另一端连接接地电极，通过在传统2T1C驱动芯片中反向并联一个二极管，使驱动芯片在加工及转移过程中能够更好的耐受静电的冲击，提高显示单元的成品率，改善显示效果，充分利用MOS结构空间，工艺流程及制作过程和原MOS制作完全一致，不会导致成本增加，具有明显优势。具有明显优势。具有明显优势。

【技术实现步骤摘要】
一种具有高抗静电能力的晶体管芯片结构


[0001]本专利技术属于半导体芯片
，具体涉及一种具有高抗静电能力的晶体管芯片结构。

技术介绍

[0002]目前LCD、OLED等显示领域已经广泛使用2T1C等电路作为驱动来控制像素的亮暗从而实现图像显示，但是常规的2T1C等电路没有进行抗静电防护设计，在芯片操作及使用过程中容易受到静电的损伤导致芯片失效，尤其是在Mini LED、Micro LED显示等领域，产品制作过程中需要将大量的驱动芯片转移到基板上，驱动芯片抗静电能力较低将会直接影响成品良率并导致产品失效。

技术实现思路

[0003]针对现有技术存在的不足，本专利技术目的是提供一种具有高抗静电能力的晶体管芯片结构，解决了常规的2T1C等电路没有进行抗静电防护设计，在芯片操作及使用过程中容易受到静电的损伤导致芯片失效，尤其是在Mini LED、Micro LED显示等领域，产品制作过程中需要将大量的驱动芯片转移到基板上，驱动芯片抗静电能力较低将会直接影响成品良率并导致产品失效的问题。
[0004]为实现上述目的，本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有高抗静电能力的晶体管芯片结构，包括两个MOS结构和一个电容结构，其特征在于：两个所述MOS结构均包括衬底层(1)、第一导电层(2)、重掺杂第一导电层(3)、第二导电层(4)、绝缘层(5)、多晶硅层(6)、氮化硅绝缘层(7)、PSG层(8)和金属电极层(9)，两个所述MOS结构其中第一级MOS结构的源极或漏极作为第二级MOS结构的栅极，所述第一个MOS的栅极与公共的接地电极之间设置一个并联的二极管，且并联的二极管一端连接第一个MOS结构的栅电极，另一端连接接地电极。2.根据权利要求1所述的一种具有高抗静电能力的晶体管芯片结构，其特征在于：所述第一导电层(2)、重掺杂第一导电层(3)和第二导电层(4)以高温多晶硅或者单晶硅材料作为主体材料来进行制备，且衬底材料可以是导电材料，此时的第一导电层半导体的导电性质与衬底相反；另外衬底材料也可以是绝缘材料，此时第一导电层(2)可以是N型或P型半导体；所述第二导电层(4)的载流子浓度为5
×
10
18
～5

【专利技术属性】
技术研发人员：李鸿渐，李志聪，李忠，
申请(专利权)人：南京阿吉必信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：