【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件制备，具体涉及一种红光led倒装芯片结构的制备方法。
技术介绍
1、led发光二极管广泛应用于显示、照明等领域。对于红光led主要采用磷化铝镓铟algalnp材料，但其外量子效率较低，通常只有20%-30%，提高红光led的发光效率面临一定的挑战；制作红光led主要采用金属有机化学气相沉积mocvd技术生长iii-v族化合物半导体材料。
2、对于制备红光led倒装芯片，其工序复杂且稳定性难以控制，容易出现不同制备批次的发光效果不同的问题，因此需要对制备质量进行检测。现有技术对红光led倒装芯片的制备效果通常是在制备完成后通过检测装置对led进行发光情况的抽样检测，该检测方法不仅存在较大误差、检测效率低的问题；而且是在制备工艺结束后进行检测，若检测出不合格则会造成制备过程的材料与时间的浪费；不能够提前发现制备问题，导致难以提高提高芯片制备的成品率。
技术实现思路
1、为了解决上述现有的制备检测方法不能提前发现制备问题，导致难以提高芯片制备的成品率的技术问题...
【技术保护点】
1.一种红光LED倒装芯片结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种红光LED倒装芯片结构的制备方法，其特征在于，所述根据所述AFM图像中像素点的高度特征获得制备工艺的微观表面形貌特征向量的步骤包括：
3.根据权利要求1所述的一种红光LED倒装芯片结构的制备方法，其特征在于，所述根据所述镜面图像内的预设区域的亮度分布特征和灰度分布特征获得制备工艺的宏观表面形貌特征向量的步骤包括：
4.根据权利要求1所述的一种红光LED倒装芯片结构的制备方法，其特征在于，所述根据红光LED倒装芯片的电压电流变化特...
【技术特征摘要】
1.一种红光led倒装芯片结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种红光led倒装芯片结构的制备方法，其特征在于，所述根据所述afm图像中像素点的高度特征获得制备工艺的微观表面形貌特征向量的步骤包括：
3.根据权利要求1所述的一种红光led倒装芯片结构的制备方法，其特征在于，所述根据所述镜面图像内的预设区域的亮度分布特征和灰度分布特征获得制备工艺的宏观表面形貌特征向量的步骤包括：
4.根据权利要求1所述的一种红光led倒装芯片结构的制备方法，其特征在于，所述根据红光led倒装芯片的电压电流变化特征获得红光led倒装芯片的电参数特征向量的步骤包括：
5.根据权利要求4所述的一种红光led倒装芯片结构的制备方法，其特征在于，所述根据红光led倒装芯片的预设红光波段的光谱功率特征获得红光led倒装芯片的光谱特征向量的步骤包括：
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【专利技术属性】
技术研发人员：王国宏，李璟，郭德博，
申请(专利权)人：南京阿吉必信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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