温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种具有高抗静电能力的晶体管芯片结构，包括两个MOS结构和一个电容结构，两个MOS结构均包括衬底层、第一导电层、重掺杂第一导电层、第二导电层、绝缘层、多晶硅层、氮化硅绝缘层、PSG层和金属电极层，两个MOS结构其中第一级MOS结...
该专利属于南京阿吉必信息科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京阿吉必信息科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。