一种非对称几何结构半导体芯片制备和使用方法技术

本发明专利技术公开了一种非对称几何结构半导体芯片制备和使用方法，包括带有凹槽的基板(3)，基板的凹槽里有剥离了蓝宝石或Si衬底(11)的无衬底芯片，无衬底芯片包括u

【技术实现步骤摘要】
一种非对称几何结构半导体芯片制备和使用方法


[0001]本专利技术属于半导体工艺及应用
，具体涉及一种非对称几何结构半导体芯片制备和使用方法。

技术介绍

[0002]传统半导体芯片主要的几何结构为六面长方体形状，几何上存在多个二次对称旋转轴，若不考虑每个芯片内部的电路结构和标志图案，在使用过程中容易造成芯片的正反、上下和左右颠倒，识别定位混乱。在芯片封装时，对封装工艺和封装设备提出了更高的要求。
[0003]随着物联网和5G通信网络技术的应用，MiniLED和MicroLED 4K/8K超高清超(UHD)智能显示屏搭载5G将成为下一代新型显示的热点。4K全彩显示屏需要3*8kk发光芯片及对应的驱动芯片，若使用传统固晶工艺摆放芯片，速度慢，成本高，效率有待提高。
[0004]本专利技术提供一种几何结构上不具有二次对称旋转轴的芯片结构，无需通过芯片内部的电路结构和表面标志性图案就可以识别芯片的正反、上下和左右面以及芯片电极的正反极性，可自主根据芯片结构定位(自对准)，减少封装应用时机械识别错误。在显示应用中需要大量摆放芯片时，直接根据芯片自身结构与基板结构的互补性实现自对准定位和摆放，提高了工作效率。

技术实现思路

[0005]针对现有技术存在的不足，本专利技术目的是提供一种非对称几何结构半导体芯片制备和使用方法，具备生产效率高的优点。
[0006]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种非对称几何结构半导体芯片制备和使用方法，包括带有凹槽的基板和与凹槽在空间上互补的无衬底芯片，无衬底芯片包括u
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GaN、n
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GaN、InGaN/GaN多量子阱和p
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GaN，所述u
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GaN、n
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GaN、InGaN/GaN多量子阱和p
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GaN共同形成了GaN外延片，所述GaN外延片的上方设置有ITO透明导电薄膜，所述ITO透明导电薄膜的上方设置有P电极一，所述InGaN/GaN多量子阱的上方且位于P电极一的一侧设置有N电极，芯片形状是截角长方体形成的不等边七面体，或不等边的五面体或六面体或其他形状，带凹槽的基板中凹陷的形状与所放置芯片在空间上互补，即芯片只能按照确定的方向才能放入该凹陷。
[0007]一种非对称几何结构半导体芯片制备和使用方法：包括如下步骤：
[0008]S1、利用MOCVD工艺在蓝宝石或Si衬底上依次生长u
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GaN、n
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GaN、InGaN/GaN多量子阱及p
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GaN，形成GaN外延片；
[0009]S2、采用电子束蒸发工艺对GaN外延片淀积ITO透明导电薄膜；
[0010]S3、利用光刻和ICP刻蚀工艺将上述淀积有ITO透明导电薄膜的GaN外延片刻蚀成多个分立的几何非对称芯片结构(截角长方体)，截角长方体形成的不等边七面体、不等边的五面体或六面体；
[0011]S4、对上述分立的几何非对称芯片结构淀积金属薄膜，通过光刻腐蚀工艺形成芯片的电极；
[0012]S5、通过激光剥离或化学腐蚀将蓝宝石或Si衬底去除，形成无衬底GaN几何非对称芯片；
[0013]S6、对上述非对称GaN芯片封装或固晶时，通过机械振动或流体驱动使芯片定位到具有同样几何结构的带有凹槽的基板的凹槽中。
[0014]优选的，所述步骤S4中，通过光刻腐蚀工艺形成芯片的电极，如果是同面电极结构芯片，形成芯片的P电极一和N电极；如果是垂直结构芯片，形成芯片的P电极一。
[0015]优选的，所述步骤S6中，流体可以是水、乙醇、空气、氮气，在一定的压力下喷洒到芯片上，给芯片一定的机械推力使芯片移动到凹槽中，实现自对准工艺。该凹槽内部的底面可以覆盖有金属层，该金属层可以与芯片电极形成共晶欧姆接触，经过共晶焊或回流焊工艺，使芯片牢牢固定在凹槽中。
[0016]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种非对称几何结构半导体芯片制备和使用方法，包括带有凹槽的基板和与凹槽在空间上互补的无衬底芯片，无衬底芯片包括n
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AlAs和n+
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GaInP、n
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AlGaInP电子传输层、AlxGa1
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xInP/AlyGa1
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yInP多量子阱层、p
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AlGaInP电子传输层和p+
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GaInP欧姆接触层，所述p+
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GaInP欧姆接触层的上方设置有P电极二。芯片形状是截角长方体形成的不等边七面体，或不等边的五面体或六面体或其他形状，带凹槽的基板中凹陷的形状与所放置芯片在空间上互补，即芯片只能按照确定的方向才能放入该凹陷。
[0017]一种非对称几何结构半导体芯片制备和使用方法：包括如下步骤：
[0018]S1、利用MOCVD工艺在n
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GaAs衬底上依次生长n
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AlAs、n+
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GaInP、n
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AlGaInP电子传输层，AlxGa1
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xInP/AlyGa1
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yInP多量子阱层，p
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AlGaInP电子传输层和p+
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GaInP欧姆接触层，形成AlGaInP外延片，其中n
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AlAs作为衬底腐蚀时的牺牲层；
[0019]S2、对AlGaInP外延片的各膜层进行光刻和湿法腐蚀工艺，腐蚀到n
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AlAs之上，形成分立的几何非对称磷化物芯片结构(截角长方体)，截角长方体形成的不等边七面体、不等边的五面体或六面体；
[0020]S3、对上述基片淀积金属薄膜，通过光刻腐蚀工艺形成P电极二；
[0021]S4、对上述基片进行HF腐蚀工艺，HF酸将n
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AlAs牺牲层选择性腐蚀掉，几何非对称AlGaInP芯片从n
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GaAs衬底上脱落；
[0022]S5、对上述几何非对称AlGaInP芯片封装或固晶时，通过机械振动或流体驱动使芯片定位到带有凹槽的基板具有同样几何结构的凹槽中。
[0023]优选的，所述在S5步骤中，流体可以是水、乙醇、空气、氮气，在一定的压力下喷洒到芯片上，给芯片一定的机械推力使芯片移动到凹槽中，实现自对准工艺。该凹槽内部的底面镀有AuSn合金或其他易熔合金，通过加热或合金熔融与芯片的n+
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GaInP或ITO形成电学导通接触。
[0024]本专利技术提供一种几何结构上不具有二次旋转对称轴的芯片结构，无需通过芯片内部的电路结构和表面标志性图案就可以识别芯片的正反、上下和左右面，以及芯片电极的正反极性。本专利技术芯片结构可以是截角长方体形成的不等边七面体，或不等边的五面体或六面体或其他形状，如图2(a)(b)(c)所示。
[0025]传统半导体芯片制备中是通过机械砂轮锯或激光将晶元分本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种非对称几何结构半导体芯片制备和使用方法，其特征在于：包括带有凹槽的基板(3)，基板的凹槽里有剥离了蓝宝石或Si衬底(11)的无衬底芯片，无衬底芯片包括u
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GaN(12)、n
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GaN(13)、InGaN/GaN多量子阱(14)和p
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GaN(15)，所述u
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GaN(12)、n
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GaN(13)、InGaN/GaN多量子阱(14)和p
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GaN(15)共同形成了GaN外延片，所述GaN外延片的上方设置有ITO透明导电薄膜(16)，所述ITO透明导电薄膜(16)的上方设置有P电极一(17)，所述InGaN/GaN多量子阱(14)的上方且位于P电极一(17)的一侧设置有N电极(18)，芯片形状是截角长方体形成的不等边七面体，或不等边的五面体或六面体或其他形状，带凹槽的基板中凹陷的形状与所放置芯片在空间上互补，即芯片只能按照确定的方向才能放入该凹陷。2.根据权利要求1所述的一种非对称几何结构半导体芯片制备和使用方法，其特征在于：包括如下步骤：S1、利用MOCVD工艺在蓝宝石或Si衬底(11)上依次生长u
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GaN(12)、n
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GaN(13)、InGaN/GaN多量子阱(14)及p
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GaN(15)，形成GaN外延片；S2、采用电子束蒸发工艺对GaN外延片淀积ITO透明导电薄膜(16)；S3、利用光刻和ICP刻蚀工艺将上述淀积有ITO透明导电薄膜(16)的GaN外延片刻蚀成多个分立的几何非对称芯片结构(截角长方体)，截角长方体形成的不等边七面体、不等边的五面体或六面体；S4、对上述分立的几何非对称芯片结构淀积金属薄膜，通过光刻腐蚀工艺形成芯片的电极；S5、通过激光剥离或化学腐蚀将蓝宝石或Si衬底(11)去除，形成无衬底GaN几何非对称芯片；S6、对上述非对称GaN芯片封装或固晶时，通过机械振动或流体驱动使芯片定位到具有同样几何结构的带有凹槽的基板(3)的凹槽中。3.根据权利要求2所述的一种非对称几何结构半导体芯片制备和使用方法，其特征在于：所述步骤S4中，通过光刻腐蚀工艺形成芯片的电极，如果是同面电极结构芯片，形成芯片的P电极一(17)和N电极(18)；如果是垂直结构芯片，形成芯片的P电极一(17)。4.根据权利要求2所述的一种非对称几何结构半导体芯片制备和使用方法，其特征在于：所述步骤S6中，流体可以是水、乙醇、空气、氮气，在一定的压力下喷洒到芯片上，给芯片一定的机械推力使芯片移动到凹槽中，实现自对准工艺。该凹槽内部的底面可以覆盖有金属层，该金属层可以与芯片电极形成共晶欧姆接触，经过共晶焊或回流焊工艺，使芯片牢牢固定在凹槽中。5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：李鸿渐，李璟，王国宏，
申请(专利权)人：南京阿吉必信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：