氮化镓发光二极管的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种氮化镓发光二极管的制备方法，涉及半导体领域，制备方法包括：提供蓝宝石衬底；对蓝宝石衬底进行常规清洗处理后在其上面沉积SiO2薄膜；在SiO2薄膜上表面制作圆形图案的光刻胶膜层；去除多余的SiO2膜层，在蓝宝石表面形成光刻胶和SiO2薄膜双掩膜结构的多个凹型坑；将表面形成有多个凹型坑的蓝宝石衬底进行干法刻蚀，并去除SiO2膜层，在蓝宝石衬底的表面形成多个V形孔；蒸镀Al单质薄膜，使Al膜完全填充V形孔；进行退火处理，使铝膜球聚形成铝球；生长氮化镓外延层，获得完全结构的外延片。上述制备方法能够提高GaN薄膜的晶体质量，降低位错密度，有效提高LED芯片的发光效率及发光强度。效率及发光强度。效率及发光强度。

【技术实现步骤摘要】
氮化镓发光二极管的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，更具体地，涉及氮化镓发光二极管的制备方法。

技术介绍

[0002]LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种半导体发光器件，主要由P型半导体和N型半导体两部分组成；其中，N型区具有很多高迁移率的电子，P型区有很多具有低迁移率的空穴，P型半导体和N型半导体之间的过渡层，称为PN结；当向LED施加正向电压时，电子可以和空穴发生复合并释放出光子。目前国内生产LED的规模正在逐步扩大，但是LED仍然存在发光效率低下的问题，影响LED的节能效果。
[0003]因此，如何在现有技术的基础上，开发新的发光二极管制备技术提升芯片亮度成为了亟待解决的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供了一种氮化镓发光二极管的制备方法，能够提高GaN薄膜的晶体质量，降低位错密度，有效提高LED芯片的发光效率及发光强度。
[0005]本申请提供一种氮化镓发光二极管的制备方法，所述方法包括：
[0006]提供蓝宝石衬底；
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.氮化镓发光二极管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供蓝宝石衬底；对蓝宝石衬底进行常规清洗处理后，将蓝宝石衬底置入PECVD反应腔内，在蓝宝石衬底的表面沉积SiO2薄膜；将沉积有SiO2薄膜的蓝宝石衬底从PECVD反应腔中取出，在SiO2薄膜上表面涂覆光刻胶膜层，然后采用光刻技术使光刻胶膜层在SiO2薄膜表面形成圆形图案；采用湿法腐蚀的方法去除多余的SiO2膜层，在蓝宝石表面形成光刻胶和SiO2薄膜双掩膜结构的多个凹型坑；将表面形成有多个凹型坑的蓝宝石衬底置入ICP反应腔进行干法刻蚀，再采用湿法腐蚀的方法去除蓝宝石衬底表面的SiO2膜层，在蓝宝石衬底的表面形成多个V形孔；所述V形孔沿垂直于蓝宝石衬底所在平面的方向朝向所述蓝宝石衬底凹陷，且沿垂直于蓝宝石衬底所在平面的方向，所述V形孔的高度小于蓝宝石衬底的厚度；将形成有多个V形孔的蓝宝石衬底置入电子束真空镀膜反应腔内，在蓝宝石衬底表面形成有V形孔的一侧蒸镀Al单质薄膜，使Al膜完全填充V形孔；然后将表面蒸镀有Al单质薄膜的蓝宝石衬底从电子束镀膜设备取出放入快速退回炉进行退火处理，使铝膜球聚形成铝球；最后利用金属有机化合物化学气相沉淀法在蓝宝石衬底表面形成有V形孔和铝球的一侧依次生长AlN薄膜、n型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层和P型半导体层，获得完全结构的外延片。2.根据权利要求1所述的氮化镓发光二极管的制备方法，其特征在于，所述对蓝宝石衬底进行常规清洗处理的步骤，包括：使用硫酸和双氧水的混合溶液清洗蓝宝石衬底5
‑
10min，其中硫酸和双氧水的体积比控制...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐平，许孔祥，冯磊，黄胜蓝，
申请(专利权)人：湘能华磊光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：