微型发光二极管外延片的制造方法技术

本公开提供了一种微型发光二极管外延片的制造方法，属于半导体技术领域。该制造方法包括：提供一基底，所述基底为AlN/GaN超晶格结构；在所述基底上生长非掺杂氮化镓层；在纯氮气气氛下，向反应腔内通入设定气体量的氨气，对所述非掺杂氮化镓层进行第一次退火处理；在所述非掺杂氮化镓层上依次生长N型波导层、多量子阱层、P型波导层和P型接触层；在氩气和氮气的混合气氛下，对外延片进行第二次退火处理。采用该微型发光二极管外延片的制造方法，可以提高外延片的生长质量，最终提高微型显示器件的工作效率。器件的工作效率。器件的工作效率。

【技术实现步骤摘要】
微型发光二极管外延片的制造方法


[0001]本公开涉及半导体
，特别涉及一种微型发光二极管外延片的制造方法。

技术介绍

[0002]碳化硅(SiC)由于具有高热导率，高击穿电压，高饱和载流子浓度，而受到越来越多的关注，被广泛用于各种功率转换器件中。
[0003]相关技术中，通常是采用硅片或蓝宝石作为基底，在硅片上外延生长SiC层。但是，硅片和蓝宝石基底与GaN材料的晶格常数及热膨胀系数存在差异，易使得GaN外延层内产生应力。随着外延层的沉积，应力积聚也会快速增加，从而导致生长出的外延片的晶体质量较差。

技术实现思路

[0004]本公开实施例提供了一种微型发光二极管外延片的制造方法，可以提高外延片的生长质量，最终提高微型显示器件的工作效率。所述技术方案如下：
[0005]一方面，提供了一种微型发光二极管外延片的制造方法，所述制造方法包括：
[0006]提供一基底，所述基底为AlN/GaN超晶格结构；
[0007]在所述基底上生长非掺杂氮化镓层；
[0008]在纯氮气气氛下，向反应腔内通本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微型发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：提供一基底，所述基底为AlN/GaN超晶格结构；在所述基底上生长非掺杂氮化镓层；在纯氮气气氛下，向反应腔内通入设定气体量的氨气，对所述非掺杂氮化镓层进行第一次退火处理；在所述非掺杂氮化镓层上依次生长N型波导层、多量子阱层、P型波导层和P型接触层；在氩气和氮气的混合气氛下，对外延片进行第二次退火处理。2.根据权利要求1所述的微型发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述提供一基底，包括：在硅片上依次生长缓冲层、N型氮化镓层和超晶格层，所述超晶格层包括多个周期交替生长的GaN层和AlN层；采用电化学方法腐蚀掉N型氮化镓层，去除生长有所述缓冲层的硅片，得到所述超晶格层；将所述超晶格层作为所述基底。3.根据权利要求2所述的微型发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述采用电化学方法腐蚀掉N型氮化镓层，包括：在所述N型氮化镓层两端形成正负极，并向所述N型氮化镓层两端通入电流；在0.3mol/L的草酸溶液中对所述N型氮化镓层进行电化学腐蚀，直至生长有所述缓冲层的硅片剥离。4.根据权利要求1所述的微型发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述在纯氮气气氛下，向反应腔内通入设定气体量的氨气，对所述非掺杂氮化镓层进行第一次退火处理，包括：在纯氮气气氛下，向反应腔内通入设定气体量的氨气，在温度为1100
...

【专利技术属性】
技术研发人员：王群，葛永晖，龚逸品，王江波，董彬忠，李鹏，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：