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本公开提供了一种微型发光二极管外延片的制造方法，属于半导体技术领域。该制造方法包括：提供一基底，所述基底为AlN/GaN超晶格结构；在所述基底上生长非掺杂氮化镓层；在纯氮气气氛下，向反应腔内通入设定气体量的氨气，对所述非掺杂氮化镓层进行第一...
该专利属于华灿光电（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（浙江）有限公司授权不得商用。

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