一种红光LED芯片制备方法及红光LED芯片技术

本发明专利技术涉及一种红光LED芯片制备方法及红光LED芯片。通过晶粒胶层中的粘附胶实现红光外延层与绝缘基板的结合，实现红光外延层从生长基板到绝缘基板的转移。同时，在晶粒胶层中靠近红光外延层的一侧设置有晶粒层，晶粒层由多个处于同一水平面的胶体晶粒形成。相较于纯粘附胶层，胶体晶粒能够提升晶粒胶层对激光能量的吸收率，从而提升激光对粘附胶的分解效率与分解的彻底程度。而且，晶粒层处于晶粒胶层中靠近红光外延层的一侧，因此，晶粒胶层中首先被分解的会是靠近红光外延层的粘附胶，这就使得剥离绝缘基板时粘附在红光外延层上的粘附胶能得到快速彻底的分解，从而避免粘附胶残留在红光外延层上，提升了红光LED芯片的出光效果。效果。效果。

【技术实现步骤摘要】
一种红光LED芯片制备方法及红光LED芯片


[0001]本专利技术涉及LED
，尤其涉及一种红光LED芯片制备方法及红光LED芯片。

技术介绍

[0002]目前，LED高清显示方案中都离不开红光、绿光、蓝光LED芯片。这三种颜色的LED芯片最终的制备过程都是在蓝宝石衬底上进行的，制备完成后，需要采用激光分离LED芯片与蓝宝石衬底。该工艺过程对于蓝光或绿光LED芯片而言，成熟简单。但对于红光LED芯片而言，因为红光外延层实际上是通过BCB(苯并环丁烯)胶粘接在蓝宝石衬底上的，因此，剥离蓝宝石衬底实际上就是通过分解BCB胶层从而解除其对红光LED芯片与蓝宝石衬底的粘接结合，但因为BCB胶对激光的吸收较差，所以，该过程中纯粹是靠物理冲击作用使BCB胶发生碳化而分解，这就容易出现去胶不完全的问题，从而使得残胶遗留在红光LED芯片上，影响红光LED芯片显示效果。
[0003]因此，如何改善红光LED芯片与蓝宝石衬底的剥离效果是目前亟待解决的问题。

技术实现思路

[0004]鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种红光LED芯片制备方法及红光LED芯片，旨在解决相关生产红光LED芯片的技术中剥离红光LED芯片与蓝宝石衬底时，容易遗留残胶在红光LED芯片上影响红光LED芯片显示效果的问题。
[0005]本申请提供一种红光LED芯片制备方法，包括：
[0006]在置于生长基板的红光外延层上设置晶粒胶层，晶粒胶层包括粘附胶及被粘附胶包覆的多个胶体晶粒，多个胶体晶粒处于同一水平面形成晶粒层，晶粒层位于晶粒胶层靠近红光外延层的一侧；
[0007]利用晶粒胶层中的粘附胶将绝缘基板粘附在晶粒胶层上并去除生长基板，以将红光外延层从生长基板转移至绝缘基板；
[0008]设置与红光外延层中半导体层电连接的电极；
[0009]采用激光分解晶粒胶层中的粘附胶，以分离红光外延层与绝缘基板。
[0010]上述红光LED芯片制备方法，通过晶粒胶层中的粘附胶实现红光外延层与绝缘基板的结合，从而完成红光外延层从生长基板到绝缘基板的转移。同时，在晶粒胶层中靠近红光外延层的一侧设置有晶粒层，晶粒层由多个处于同一水平面的胶体晶粒形成。相较于纯粘附胶层，晶粒胶层中的胶体晶粒能够提升晶粒胶层对激光能量的吸收率，从而提升激光对粘附胶的分解效率与分解的彻底程度。而且，晶粒层处于晶粒胶层中靠近红光外延层的一侧，因此，晶粒胶层中首先被分解的会是靠近红光外延层的粘附胶，这就使得在剥离绝缘基板的过程中，粘附在红光外延层上的粘附胶能得到快速彻底的分解，从而避免粘附胶残留在红光外延层上。该红光LED芯片制备方法提升了红光LED芯片的出光效果，增强了红光LED芯片的品质。
[0011]可选地，在置于生长基板的红光外延层上设置晶粒胶层包括：
[0012]在置于生长基板的红光外延层上设置混晶胶，以形成包括一层胶体晶粒的晶粒层；粒混晶胶包括粘附胶以及分散在粘附胶中的胶体晶粒；
[0013]在晶粒层上设置纯粘附胶形成纯胶层，晶粒层与纯胶层共同构成晶粒胶层。
[0014]上述红光LED芯片制备方法中，设置晶粒胶层时，先在置于生长基板的红光外延层上通过混晶胶形成一层晶粒层，然后再晶粒层上在通过粘附胶设置纯胶层，让晶粒层与纯胶层共同构成晶粒胶层。这样保证晶粒胶层中有且仅有靠近红光外延层的一侧的一层晶粒层，使得晶粒胶层中靠近红光外延层的一侧对激光的吸收率一定是最高的，因此这一侧的粘附胶也能最快得到最彻底的分解，从而让晶粒胶层快速彻底地从红光外延层上脱落。而且，即便是激光对粘附胶的分解不彻底，但残胶也基本会留在靠近绝缘基板的一侧，而不是红光外延层上，进一步提升了红光外延层与晶粒胶层分离的彻底程度，增强了红光LED芯片的品质。
[0015]可选地，红光外延层中包括依次设置的第一半导体层、有源层、第二半导体层，在置于生长基板的红光外延层上设置晶粒胶层之前，还包括：在第二半导体层上设置空穴分散层；
[0016]在置于生长基板的红光外延层上设置晶粒胶层包括：在空穴分散层上设置晶粒胶层。
[0017]可选地，空穴分散层包括ITO(氧化铟锡)层。
[0018]可选地，胶体晶粒的粒径基于米氏散射原理以及激光的波长确定。
[0019]上述红光LED芯片制备方法中，利用了米氏散射原理结合激光的波长来确定胶体晶粒的粒径，这样制备出的胶体晶粒的粒径能够更契合分解晶粒胶层时所用激光的波长，可以对该波长的激光进行高效率的吸收，从而提升激光分解晶粒胶层的效率与彻底程度。
[0020]可选地，在置于生长基板的红光外延层上设置晶粒胶层之前，还包括：
[0021]基于米氏散射原理以及激光的波长确定胶体晶粒的粒径，粒径d＝αλ/mπ；d为粒径；α为无因次粒径参量，取值为大于等于5；λ为激光的波长；m为胶体晶粒材质的折射率；
[0022]基于确定出的粒径制备胶体晶粒。
[0023]上述红光LED芯片制备方法中，在确定胶体晶粒的粒径时，将米氏散射原理中无因次粒径参量α的值设置为大于等于5，这样可以保证激光在该粒径的胶体晶粒中传播时，能量能够前向集中，从而使得90％以上的能量被吸收以分解粘附胶，损耗极少，提升了激光的利用率。在此基础上，因为激光利用率提高，因此，晶粒胶层吸收同等激光能量的情况下，激光设备所发出激光的能量可以降低，这样避免了激光对红光外延层的损伤，提升了红光LED芯片的品质。
[0024]可选地，采用激光分解晶粒胶层中的粘附胶包括：
[0025]采用波长为266nm的激光分解晶粒胶层中的粘附胶。
[0026]上述红光LED芯片制备方法中，可以采用波长为266nm的激光分解晶粒胶层，因为所发出激光波长为266nm的激光设备常见，可以直接获取使用，有利于简化红光LED芯片的生产工艺，提升红光LED芯片的生产效率。
[0027]可选地，粘附胶为苯并环丁烯BCB胶。
[0028]可选地，胶体晶粒的材质包括二氧化硅和聚苯乙烯中的任意一种。
[0029]基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种红光LED芯片，该红光LED芯片采用如上
任一项的红光LED芯片制备方法制得。
[0030]上述红光LED芯片，在制备过程中可以通过晶粒胶层中的粘附胶实现红光外延层与绝缘基板的结合，从而完成红光外延层从生长基板到绝缘基板的转移。同时，在晶粒胶层中靠近红光外延层的一侧设置有晶粒层，晶粒层由多个处于同一水平面的胶体晶粒形成。相较于纯粘附胶层，晶粒胶层中的胶体晶粒能够提升晶粒胶层对激光能量的吸收率，从而提升激光对粘附胶的分解效率与分解的彻底程度。而且，晶粒层处于晶粒胶层中靠近红光外延层的一侧，因此，晶粒胶层中首先被分解的会是靠近红光外延层的粘附胶，这就使得在剥离绝缘基板的过程中，粘附在红光外延层上的粘附胶能得到快速彻底的分解，从而避免粘附胶残留在红光外延层上，提升了红光LED芯片的出光效果，增强了红光LED芯片的品质。
附图说明
[003本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种红光LED芯片制备方法，其特征在于，包括：在置于生长基板的红光外延层上设置晶粒胶层，所述晶粒胶层包括粘附胶及被所述粘附胶包覆的多个胶体晶粒，多个所述胶体晶粒处于同一水平面形成晶粒层，所述晶粒层位于所述晶粒胶层靠近所述红光外延层的一侧；利用所述晶粒胶层中的粘附胶将绝缘基板粘附在所述晶粒胶层上并去除所述生长基板，以将所述红光外延层从生长基板转移至所述绝缘基板；设置与所述红光外延层中半导体层电连接的电极；采用激光分解所述晶粒胶层中的粘附胶，以分离所述红光外延层与所述绝缘基板。2.如权利要求1所述的红光LED芯片制备方法，其特征在于，所述在置于生长基板的红光外延层上设置晶粒胶层包括：在置于生长基板的所述红光外延层上设置混晶胶，以形成包括一层胶体晶粒的晶粒层；所述混晶胶包括粘附胶以及分散在所述粘附胶中的胶体晶粒；在所述晶粒层上设置纯粘附胶形成纯胶层，所述晶粒层与所述纯胶层共同构成所述晶粒胶层。3.如权利要求1所述的红光LED芯片制备方法，其特征在于，所述红光外延层中包括依次设置的第一半导体层、有源层、第二半导体层，所述在置于生长基板的红光外延层上设置晶粒胶层之前，还包括：在所述第二半导体层上设置空穴分散层；所述在置于生长基板的红光外延层上设置晶粒胶层还包括：在所述空穴分...

【专利技术属性】
技术研发人员：翟峰，许时渊，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：