本发明专利技术涉及一种提高作业效率及产出率的芯片翻膜方法，包括：(1)边缘参数记录确认：确认要翻膜作业的芯片的边缘不良参数的圈数并做记录；(2)翻P面粘膜去除边缘不良品：根据记录单参数行数确认去除的圈数，整圈翻掉去除边缘不良品；(3)N面检验；(4)翻N面粘膜：变成N面粘膜，P面向上；(5)P面检验；(6)画片参数分档；(8)入库。本发明专利技术用于提高作业效率及产出率的芯片翻膜方法，在现有成熟的常规作业方法上，进一步优化调整更新工艺方法，取长补短，在提高作业效率的同时也提高了单片的产出粒数，工艺变更效果比较明显。艺变更效果比较明显。艺变更效果比较明显。
【技术实现步骤摘要】
一种提高作业效率及产出率的芯片翻膜方法
[0001]本专利技术涉及一种提高作业效率及产出率的芯片翻膜方法，属于LED制程的后道作业
技术介绍
[0002]LED作为21世纪的照明新光源，同样亮度下，半导体灯耗电仅为普通白炽灯的l/10，而寿命却可以延长100倍。LED器件是冷光源，光效高，工作电压低，耗电量小，体积小，可平面封装，易于开发轻薄型产品，结构坚固且寿命很长，光源本身不含汞、铅等有害物质，无红外和紫外污染，不会在生产和使用中产生对外界的污染。因此，半导体灯具有节能、环保、寿命长等特点，如同晶体管替代电子管一样，半导体灯替代传统的白炽灯和荧光灯，也将是大势所趋。无论从节约电能、降低温室气体排放的角度，还是从减少环境污染的角度，LED作为新型照明光源都具有替代传统照明光源的极大潜力。LED芯片发光效率高，颜色范围广，使用寿命长，已被广泛应用于大屏显示、景观照明、交通信号灯、汽车状态显示等各个领域。
[0003]在LED芯片制备工艺中，芯片经过制程中最后的切割作业，由芯片变成一颗颗独立的管芯粘附在蓝膜上，然后经过最后一道人工的检验、倒膜、画片分档、翻膜后变成最后的成品入库。因此,在切割后芯片还需要进一步经过人工的P面(电极面)检验，翻P面粘膜、N面(无电极面)检验，翻N面粘膜，画片参数分档，边缘不良品去除(外观不良或参数不良)，翻成品膜，入库等作业，才能变成最终的入库产品。在实际的人工倒膜作业过程中，因为是纯人工的手动作业，来回的翻膜大小、边缘的异常管芯去除等需要人为控制，经常性出现翻膜大小不一致或翻去异常管芯时翻去的面积大等造成的产品损失，再加上来回人工作业的繁琐性，作业效率也比较低。
技术实现思路
[0004]针对现有作业流程(P面检验-翻P面粘膜-N面检验-翻N面粘膜-画片参数分档-翻成品膜(包含吸出不良品)-入库)存在的不足，本专利技术提供了一种提高作业效率及产出率的芯片翻膜方法。
[0005]本专利技术的技术方案为：
[0006]一种提高作业效率及产出率的芯片翻膜方法，提前裁剪出贴合芯片的从全覆盖芯片到漏出芯片边缘1至20圈的若干个挡板，包括步骤如下：
[0007](1)边缘参数记录确认：对测试后的芯片数据进行统计分析，确认要翻膜作业的芯片的边缘不良参数的圈数并做记录；
[0008](2)翻P面粘膜去除边缘不良品：根据步骤(1)记录的边缘不良参数的圈数，通过提前裁剪好的挡板，覆盖到芯片上，遮住不需要翻除的芯片，漏出边缘不良参数的圈数的芯片，整圈翻掉去除边缘不良品；
[0009](3)N面检验：通过显微镜对步骤(2)切割后的芯片的N面外观进行有无崩裂的检验；
[0010]崩裂的检验主要是人借助显微镜的检验，主要是人主观常规检测。
[0011](4)翻N面粘膜：步骤(3)检验结束后，借助翻膜机、白膜、圆形贴片等将管芯颠倒方向，变成N面粘膜，P面向上；
[0012](5)P面检验：对芯片的P面外观进行有无崩裂的检验；
[0013](6)画片参数分档：将检验完P/N面外观及去除边缘不良品的芯片，根据测试生成的数据晶圆图进行参数的分档作业，将管芯划分成不同参数要求的区域范围；
[0014]根据本专利技术优选的，步骤(6)中，画片参数分档，是指：根据参数的需求范围，例电压：1.9-2.1V；亮度：180-210mcd；波长620-625nm；将电压按0.1V、亮度按20mcd、波长620-625nm之间都允许的标准下，将参数分割成电压：1.9-2.0V/2.0-2.1V，亮度：180-200mcd/190-210mcd的范围，将芯片覆盖在通过软件生成的晶圆图上，晶圆图大小调整成与待画片的芯片大小一致，将晶圆图呈现出来的参数结果按参数范围在芯片表面覆盖的蓝膜上进行描摹，将不同的参数区域描摹在芯片蓝膜上，区分开来，即为画片分档。
[0015]将剩下的芯片根据测试生成的数据参数进行不同参数段内的分档作业，将管芯划分成不同参数要求的区域范围，通常的参数要求的范围为：电压：1.9-2.1V；亮度：180-210mcd；波长620-625nm。
[0016](7)翻成品膜：根据画片后的参数范围，将芯片再次通过翻膜分到不同的成品膜上去，变成待入库的产成品；
[0017](8)入库：将相同参数范围的成品膜放在一个包装袋内，并提供片源明细，完成入库。
[0018]LED芯片越临近芯片边缘参数不良的频次越高且比较离散，本专利技术针对这种情况优先对边缘不良参数进行分析归类(例参数不良的区域最大有几圈)，确认不良区域的最大圈数，然后通过一次翻膜将边缘不良参数按整圈的形式整个翻掉，一次翻膜去除边缘不良品，剩下的芯片按步骤(6)中的画片直接进行作业即可，彻底取代了现行作业中因边缘参数不良画片时需要多次描摹不同的参数范围区域，然后再根据描摹的多个不良区域进行逐个的翻膜去掉，流程上更为严谨、流畅，明显减少了翻膜次数及边缘不良品的去除。
[0019]根据本专利技术优选的，步骤(2)中，翻P面粘膜去除边缘不良品，包括步骤如下：
[0020]A、确认芯片的边缘不良参数的圈数，对应选取已裁剪好的挡板贴在芯片上；
[0021]裁剪好的挡板形状与芯片一致，对应边缘不良品的圈数挡板的直径对应比芯片直径小相应的圈数距离。
[0022]B、挡板上方覆盖一层膜，通过翻膜机进行加热压膜，将漏在挡板外的边缘管芯整圈的翻到膜上，去除边缘不良品。
[0023]翻膜是把管芯从一张膜上翻到另外一张膜上进行换膜操作，且在翻膜的过程中需要把边缘参数不良的管芯翻掉，通过步骤A中涉及制作的挡板夹在两张膜之间，这样未被挡板覆盖漏在最外圈的管芯会直接处在两张膜之间，通过加热挤压两张膜，这样漏在最外圈的管芯就会被粘附到另一张膜上，被挡板覆盖的管芯继续留在原膜上，完成对边缘不良品的去除。
[0024]根据本专利技术优选的，所述挡板的材质为玻璃纸或铝片薄板。
[0025]玻璃纸材质跟纸张类似可以直接用剪刀裁剪，制作对应不同圈数的膜时更容易制备。
[0026]根据本专利技术优选的，所述挡板的厚度为0.01-0.05cm。
[0027]厚度越趋向于薄越好，翻膜是把管芯从一张膜上翻到另外一张膜上进行换膜操作，玻璃纸或铝片厚度越薄，两张膜之间粘附性就越高，更容易提高管芯倒膜的概率。
[0028]进一步优选的，步骤B中，在45℃-55℃温度条件下通过翻膜机进行加热压膜。
[0029]温度的选取根据膜的耐温性设置，在该温度范围内，膜受热后形变及粘度最合适。
[0030]进一步优选的，步骤B中，所述膜为蓝膜或白膜，厚度为60-80μm。
[0031]根据本专利技术优选的，N面检验及P面检验的实现过程为：将芯片放在20X目镜的显微镜下检查芯片N面或P面有无崩裂的异常。
[0032]根据本专利技术优选的，步骤(1)中，对测试后的芯片数据进行统计分析，确认要翻膜作业的芯片的边缘不良参数的圈数并做记录，是指：芯片数据包括芯片亮度、电压本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种提高作业效率及产出率的芯片翻膜方法，其特征在于，提前裁剪出贴合芯片的从全覆盖芯片到漏出芯片边缘1至20圈的若干个挡板，包括步骤如下：(1)边缘参数记录确认：对测试后的芯片数据进行统计分析，确认要翻膜作业的芯片的边缘不良参数的圈数并做记录；(2)翻P面粘膜去除边缘不良品：根据步骤(1)记录的边缘不良参数的圈数，通过提前裁剪好的挡板，覆盖到芯片上，遮住不需要翻除的芯片，漏出边缘不良参数的圈数的芯片，整圈翻掉去除边缘不良品；(3)N面检验：对步骤(2)切割后的芯片的N面外观进行有无崩裂的检验；(4)翻N面粘膜：步骤(3)检验结束后，将管芯颠倒方向，变成N面粘膜，P面向上；(5)P面检验：对芯片的P面外观进行有无崩裂的检验；(6)画片参数分档：根据测试生成的数据晶圆图进行参数的分档作业，将管芯划分成不同参数要求的区域范围；(7)翻成品膜：根据画片后的参数范围，将芯片再次通过翻膜分到不同的成品膜上去，变成待入库的产成品；(8)入库：将相同参数范围的成品膜放在一个包装袋内，并提供片源明细，完成入库。2.根据权利要求1所述的一种提高作业效率及产出率的芯片翻膜方法，其特征在于，步骤(2)中，翻P面粘膜去除边缘不良品，包括步骤如下：A、确认芯片的边缘不良参数的圈数，对应选取已裁剪好的挡板贴在芯片上；B、挡板上方覆盖一层膜，通过翻膜机进行加热压膜，将漏在挡板外的边缘管芯整圈的翻到膜上，去除边缘不良品；进一步优选的，步骤B中，在45℃-55℃温度条件下通过翻膜机进行加热压膜；所述膜为蓝膜或白膜，厚度为60-80μm。3.根据权利要求1所述的一种提高作业效率及产出率的芯片翻膜方法，其特征在于，所述挡板的材质为玻璃纸或铝片薄板。4.根据权利要求1所述的一种提高作业效率及产出率的芯片翻膜方法，其特征在于，所述挡板的厚度为0.01-0...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑军，郑波，李琳琳，闫宝华，王成新，
申请(专利权)人：山东浪潮华光光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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