一种LED封装工艺及深紫外LED制造技术

本发明专利技术提供了一种LED封装工艺，将深紫外LED芯片固晶在封装支架上，将固晶有所述深紫外LED芯片的所述封装支架固定在PVD镀膜机的治具上；通过所述PVD镀膜机在所述封装支架的表面及所述深紫外LED芯片的表面镀上二氧化硅镀膜，本发明专利技术还提供一种深紫外LED，包括深紫外LED芯片、封装支架、及二氧化硅镀膜；所述深紫外LED芯片固晶在所述封装支架上；所述二氧化硅镀膜设在所述封装支架的表面及所述深紫外LED芯片的表面，提高深紫外LED芯片的封装效率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
一种LED封装工艺及深紫外LED


[0001]本专利技术属于LED封装
，更具体地说，是涉及一种LED封装工艺及深紫外LED。

技术介绍

[0002]如今，市场对深紫外LED的需求越来越多，深紫外LED走向量产化，同时也对深紫外LED的生产要求也越来越高。目前常见的深紫外LED包括封装支架、石英盖板和深紫外LED芯片。在封装深紫外LED时，先将深紫外LED芯片安装在封装支架上，然后在封装支架上涂上胶水，接着将石英盖板通过胶水固定在封装支架，使深紫外LED芯片位于石英盖板和封装支架之间，起到保护深紫外LED芯片的作用。由于胶水的干燥需要花费一定的时间，导致深紫外LED的批量生产需要耗费较多的时间，生产效率低。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的之一在于提供一种LED封装工艺，以解决现有技术中存在的由于胶水的干燥需要花费一定的时间，导致深紫外LED的批量生产需要耗费较多的时间，生产效率低的技术问题。
[0004]为实现上述目的之一，本专利技术采用的技术方案是：提供一种LED封装工艺，包括：
[0005]将深紫外LED芯片固晶在封装支架上，将固晶有所述深紫外LED芯片的所述封装支架固定在PVD镀膜机的治具上；
[0006]通过所述PVD镀膜机在所述封装支架的表面及所述深紫外LED芯片的表面镀上二氧化硅镀膜。
[0007]进一步地，所述二氧化硅镀膜的材料包括玻璃态SiO2及结晶态α-SiO2的一种或多种。
[0008]进一步地，所述将深紫外LED芯片固晶在封装支架上，将固定有所述深紫外LED芯片的所述封装支架固定在PVD镀膜机的治具上，包括：
[0009]将所述深紫外LED芯片和配套芯片固晶在所述封装支架上，将固晶有所述深紫外LED芯片和所述配套芯片的所述封装支架固定在PVD镀膜机的治具上；
[0010]所述通过所述PVD镀膜机在所述封装支架的表面及所述深紫外LED芯片的表面镀上二氧化硅镀膜，包括：
[0011]通过所述PVD镀膜机在所述封装支架的表面、所述深紫外LED芯片的表面和所述配套芯片的表面镀上所述二氧化硅镀膜。
[0012]进一步地，所述将深紫外LED芯片固晶在封装支架上，将固晶有所述深紫外LED芯片的所述封装支架固定在PVD镀膜机的治具上，包括：
[0013]将所述深紫外LED芯片固晶所述封装支架上，将配套芯片固定在所述封装支架上且电连接于所述深紫外LED芯片，将固定有所述深紫外LED芯片和所述配套芯片的所述封装支架固定在PVD镀膜机的治具上；
[0014]所述通过所述PVD镀膜机在所述封装支架的表面及所述深紫外LED芯片的表面镀上二氧化硅镀膜，包括：
[0015]通过所述PVD镀膜机在所述封装支架的表面、所述深紫外LED芯片的表面和所述配套芯片的表面镀上所述二氧化硅镀膜。
[0016]进一步地，所述通过所述PVD镀膜机在所述封装支架的表面及所述深紫外LED芯片的本体部分的表面镀上二氧化硅镀膜，包括：
[0017]通过所述PVD镀膜机在所述封装支架的表面及所述深紫外LED芯片的本体部分的表面镀上多层所述二氧化硅镀膜。
[0018]本专利技术提供的一种LED封装工艺的有益效果在于：与现有技术相比，PVD镀膜机对待镀膜工件进行封装，由于二氧化硅镀膜成型快，不需要花费一定的时间去干燥，相比于通过胶水封装的方式，极大地提高了深紫外LED芯片封装的效率，便于深紫外LED进行批量生产。二氧化硅镀膜具有较好的透光率，对深紫外LED芯片的发光影响较小。二氧化硅镀膜起到保护深紫外LED芯片的作用。
[0019]本专利技术的目的之二在于提供一种深紫外LED，为了实现目的之二，本专利技术采用的技术方案是：提供一种深紫外LED，包括深紫外LED芯片、封装支架、及二氧化硅镀膜；
[0020]所述深紫外LED芯片固晶在所述封装支架上；所述二氧化硅镀膜设在所述封装支架的表面及所述深紫外LED芯片的表面。
[0021]进一步地，所述二氧化硅镀膜镀有多层。
[0022]进一步地，所述深紫外LED还包括配套芯片，所述配套芯片固晶在所述封装支架上，所述二氧化硅镀膜还设在所述配套芯片的表面。
[0023]进一步地，所述深紫外LED还包括配套芯片，所述配套芯片固定在所述封装支架上且电连接于所述深紫外LED芯片，所述二氧化硅镀膜还设在所述配套芯片的表面。
[0024]进一步地，所述二氧化硅镀膜包括玻璃态SiO2膜及结晶态α-SiO2膜的一种或多种。
[0025]本专利技术提供的一种深紫外LED的有益效果在于：与现有技术相比，通过二氧化硅镀膜对待镀膜工件进行封装，由于二氧化硅镀膜成型快，不需要花费一定的时间去干燥，相比于通过胶水封装的方式，极大地提高了深紫外LED芯片封装的效率，便于深紫外LED进行批量生产。二氧化硅镀膜具有较好的透光率，对深紫外LED芯片的发光影响较小。二氧化硅镀膜起到保护深紫外LED芯片的作用。
附图说明
[0026]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0027]图1为本专利技术实施例提供的一种LED封装工艺的流程示意图；
[0028]图2为本专利技术实施例提供的一种深紫外LED的结构示意图。
[0029]其中，图中各附图标记：
[0030]1、封装支架；2、二氧化硅镀膜；3、深紫外LED芯片；4、配套芯片。
具体实施方式
[0031]为了使本专利技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0032]需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。
[0033]需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0034]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0035]请参阅图1，现对本专利技术提供的一种LED封本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED封装工艺，其特征在于，包括：将深紫外LED芯片固晶在封装支架上，将固晶有所述深紫外LED芯片的所述封装支架固定在PVD镀膜机的治具上；通过所述PVD镀膜机在所述封装支架的表面及所述深紫外LED芯片的表面镀上二氧化硅镀膜。2.如权利要求1所述的一种LED封装工艺，其特征在于，所述二氧化硅镀膜的材料包括玻璃态SiO2及结晶态α-SiO2的一种或多种。3.如权利要求1所述的一种LED封装工艺，其特征在于，所述将深紫外LED芯片固晶在封装支架上，将固定有所述深紫外LED芯片的所述封装支架固定在PVD镀膜机的治具上，包括：将所述深紫外LED芯片和配套芯片固晶在所述封装支架上，将固晶有所述深紫外LED芯片和所述配套芯片的所述封装支架固定在PVD镀膜机的治具上；所述通过所述PVD镀膜机在所述封装支架的表面及所述深紫外LED芯片的表面镀上二氧化硅镀膜，包括：将所述深紫外LED芯片和配套芯片固晶在所述封装支架上，将固晶有所述深紫外LED芯片和所述配套芯片的所述封装支架固定在PVD镀膜机的治具上。4.如权利要求1所述的一种LED封装工艺，其特征在于，所述将深紫外LED芯片固晶在封装支架上，将固晶有所述深紫外LED芯片的所述封装支架固定在PVD镀膜机的治具上，包括：将所述深紫外LED芯片固晶所述封装支架上，将配套芯片固定在所述封装支架上且电连接于所述深紫外LED芯片，将固定有所述深紫外LED芯片和所述配套芯片的所述封装支架固定在PVD...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱德恒，徐泓，
申请(专利权)人：广西东科视创光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：