本发明专利技术公开一种供激光光源使用的选择性切换式光掩模以及用于处理微型发光二极管的系统，其中该选择性切换式光掩模包含设置于激光光源之下的切换单元。切换单元包含第一基板、与第一基板相对的第二基板、像素电极、共用电极和可切换光穿透层。像素电极设置于第一基板上。共用电极设置于第二基板上。可切换光穿透层设置于像素电极与共用电极之间。透层设置于像素电极与共用电极之间。透层设置于像素电极与共用电极之间。
【技术实现步骤摘要】
选择性切换式光掩模以及用于处理微型发光二极管的系统
[0001]本专利技术涉及一种供激光光源使用的选择性切换式光掩模，且特别是涉及一种用于微型发光二极管的选择性切换式光掩模。
技术介绍
[0002]随着面板技术的持续进步，微型发光二极管(micro light emitting diode；micro LED)可应用于各种显示器中，例如无边框显示器、笔记型计算机显示器、穿戴型显示器等。尽管micro LED具有亮度高、反应时间短、发光效能高等优点，micro LED的组装仍面临生产效率低和制造成本高等问题。
[0003]鉴于上述，目前亟需发展出一种新的组装micro LED的方法以克服前述问题。
技术实现思路
[0004]本专利技术提供了一种供激光光源使用的选择性切换式光掩模，选择性切换式光掩模包含设置于激光光源之下的切换单元。切换单元包含第一基板、与第一基板相对的第二基板、薄膜晶体管元件、共用电极和可切换光穿透层。像素电极设置于第一基板上。共用电极设置于第二基板上。可切换光穿透层设置于像素电极与共用电极之间。
[0005]在一些实施方式中，可切换光穿透层为液晶层。
[0006]在一些实施方式中，切换单元提供小于约30％的穿透率。
[0007]在一些实施方式中，切换单元提供约30％至约80％的穿透率。
[0008]在一些实施方式中，切换单元提供约80％至约100％的穿透率。
[0009]在一些实施方式中，选择性切换式光掩模还包含设置于第二基板和用电极之间的遮光元件，其中遮光元件具有第一投影于第一基板上，像素电极具有第二投影于第一基板上，第一投影与第二投影交错设置。
[0010]在一些实施方式中，选择性切换式光掩模还包含设置于第二基板之上的遮光元件，其中遮光元件具有第一投影于第一基板上，像素电极具有第二投影于第一基板上，第一投影与第二投影交错设置。
[0011]在一些实施方式中，选择性切换式光掩模还包含薄膜晶体管元件和遮光元件。薄膜晶体管元件设置于第一基板上，且与像素电极分离。遮光元件设置于该薄膜晶体管元件上，其中遮光元件具有第一投影于第一基板上，像素电极具有第二投影于第一基板上，第一投影与第二投影交错设置。
[0012]在一些实施方式中，可切换光穿透层为电致变色层。
[0013]在一些实施方式中，切换单元提供小于约20％的穿透率。
[0014]在一些实施方式中，切换单元提供约20％至约60％的穿透率。
[0015]在一些实施方式中，切换单元提供约60％至约80％的穿透率。
[0016]本专利技术提供了一种用于处理微型发光二极管的系统，包含选择性切换式光掩模以及设置于选择性切换式光掩模之下的载体基板。
[0017]在一些实施方式中，用于处理微型发光二极管的系统还包含设置于载体基板下且与载体基板接触的粘着层。
[0018]在一些实施方式中，用于处理微型发光二极管的系统还包含设置于切换单元与载体基板之间的可移动式掩模，可移动式掩模具有彼此分离的多个孔洞，其中像素电极具有第一投影于第一基板上，多个孔洞的每一者具有第二投影于第一基板上，第一投影大于第二投影，且第二投影位于第一投影中。
[0019]本专利技术提供了一种用于处理微型发光二极管的系统，包含选择性切换式光掩模以及粘着层，粘着层设置于选择性切换式光掩模下且与选择性切换式光掩模的第一基板直接接触。
[0020]以下将以实施方式对上述的说明做详细的描述，并对本专利技术的技术方案提供更进一步的解释。
附图说明
[0021]当结合随附的附图进行阅读时，本专利技术的详细描述将能被充分地理解。应注意，根据业界标准实务，各特征并非按比例绘制且仅用于图示目的。事实上，出于论述清晰的目的，可任意增加或减小各特征的尺寸。
[0022]图1为本专利技术的一些实施方式所绘示的巨量转移装置的剖面示意图；
[0023]图2为本专利技术的一些实施方式所绘示的激光接合装置的剖面示意图；
[0024]图3为本专利技术的一些实施方式所绘示的巨量转移装置的立体示意图；
[0025]图4为本专利技术的一些实施方式所绘示的选择性切换式光掩模的线路图；
[0026]图5至图7为本专利技术的一些实施方式所绘示的选择性切换式光掩模的剖面示意图；
[0027]图8为本专利技术的一些实施方式所绘示的选择性切换式光掩模的线路图；
[0028]图9为本专利技术的一些实施方式所绘示的选择性切换式光掩模的剖面示意图；
[0029]图10A、图10B和图10C为本专利技术的一些实施方式所绘示的巨量转移装置的立体示意图；
[0030]图11为本专利技术的一些实施方式所绘示图10A的巨量转移装置的剖面示意图；
[0031]图12为本专利技术的一些实施方式所绘示的巨量转移装置的立体示意图。
[0032]符号说明
[0033]100:选择性切换式光掩模
[0034]100A:选择性切换式光掩模
[0035]100B:选择性切换式光掩模
[0036]100C:选择性切换式光掩模
[0037]100D:选择性切换式光掩模
[0038]100E:选择性切换式光掩模
[0039]102:切换单元
[0040]102a:切换单元
[0041]102b:切换单元
[0042]102c:切换单元
[0043]110:激光光源
[0044]112:激光
[0045]114:激光
[0046]120R:载体基板
[0047]120G:载体基板
[0048]120B:载体基板
[0049]122R:粘着层
[0050]122G:粘着层
[0051]122B:粘着层
[0052]130R:micro LED
[0053]130G:micro LED
[0054]130B:micro LED
[0055]140:载体基板
[0056]142:粘着层
[0057]150:薄膜晶体管基板
[0058]510:第一基板
[0059]520:薄膜晶体管元件
[0060]522:栅极
[0061]523:第一金属层
[0062]524:栅极绝缘层
[0063]526:沟道层
[0064]528:源极/漏极
[0065]529:第二金属层
[0066]530:钝化膜
[0067]540:像素电极
[0068]550:第二基板
[0069]560:共用电极
[0070]570:遮光元件
[0071]580:可切换光穿透层
[0072]582a:液晶分子
[0073]582b:液晶分子
[0074]590:间隔件
[0075]920:控制元件
[0076]922:第二金属层<本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种供激光光源使用的选择性切换式光掩模，包含：切换单元，设置于该激光光源之下，其中该切换单元包含:第一基板和与该第一基板相对的第二基板；像素电极，设置于该第一基板上；共用电极，设置于该第二基板上；以及可切换光穿透层，设置于该像素电极与该共用电极之间。2.如权利要求1所述的选择性切换式光掩模，其中该可切换光穿透层为液晶层。3.如权利要求2所述的选择性切换式光掩模，其中该切换单元提供小于约30％的穿透率。4.如权利要求2所述的选择性切换式光掩模，其中该切换单元提供约30％至约80％的穿透率。5.如权利要求2所述的选择性切换式光掩模，其中该切换单元提供约80％至约100％的穿透率。6.如权利要求2所述的选择性切换式光掩模，还包含遮光元件，设置于该第二基板和该共用电极之间，其中该遮光元件具有第一投影于该第一基板上，该像素电极具有第二投影于该第一基板上，该第一投影与该第二投影交错设置。7.如权利要求2所述的选择性切换式光掩模，还包含遮光元件，设置于该第二基板之上，其中该遮光元件具有第一投影于该第一基板上，该像素电极具有第二投影于该第一基板上，该第一投影与该第二投影交错设置。8.如权利要求2所述的选择性切换式光掩模，还包含：薄膜晶体管元件，设置于该第一基板上，且与该像素电极分离；以及遮光元件，设置于该薄膜晶体管元件上，其中该遮光...
【专利技术属性】
技术研发人员：李冠谊，郭建宏，陈韦洁，曾文贤，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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