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本实用新型公开一种ESD保护器件，属于集成电路静电放电保护领域，包括N型单晶材料、P扩散区、N+扩散区和P+扩散区，P扩散区形成于N型单晶材料上，N+扩散区包括形成于N型单晶材料上的第一N+扩散区和形成于P扩散区上的第二N+扩散区、第三N+...
该专利属于济南市半导体元件实验所所有，仅供学习研究参考，未经过济南市半导体元件实验所授权不得商用。

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