半导体结构和相关芯片和电子装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种半导体结构和相关芯片和电子装置。所述半导体结构包括半导体基板以及设置于所述半导体基板上的宏单元，所述宏单元包含第一特定标准单元以及第二特定标准单元整合其中；在整合为所述宏单元之前，所述第一特定标准单元以及所述第二特定标准单元的结构彼此相同，且沿特定方向的宽度皆为W1；而所述宏单元沿所述特定方向的宽度为W2，其中W2小于2*W1。其中W2小于2*W1。其中W2小于2*W1。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构和相关芯片和电子装置


[0001]本技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构和相关芯片和电子装置。

技术介绍

[0002]在生成布局(layout)的摆放与绕线(place&route,P&R)阶段，常会遇到相同或相似单元(cell)放置在附近，或是同类型单元左右相邻放置。举例来说，在双倍数据传输速率(Double Data Rate,DDR)标准中，是基于N位并行总线架构来存取内存，因此光是针对N位并行总线就需要加入N个电平移位器单元(level
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shifter cell)。当这些单元位于拥塞区域，且N的值又很大时，会造成设计上的困难或成本的上升。
[0003]因此，要如何解决上述问题，已成为本领域亟需解决的问题之一。

技术实现思路

[0004]本技术提供了一种半导体结构，包括：半导体基板以及设置于所述半导体基板上的宏单元，所述宏单元包含第一特定标准单元以及第二特定标准单元整合其中；在整合为所述宏单元之前，所述第一特定标准单元以及所述第二特定标准单元的结构彼此相同本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体基板；以及宏单元，设置于所述半导体基板上，所述宏单元包含第一特定标准单元以及第二特定标准单元整合其中；其中，在整合为所述宏单元之前，所述第一特定标准单元以及所述第二特定标准单元的结构彼此相同且沿特定方向的宽度皆为W1；以及所述宏单元沿所述特定方向的宽度为W2，其中W2小于2*W1。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述宏单元的阱由所述宏单元的第一边界沿所述特定方向，连续地延伸至所述宏单元的第二边界，其中所述第一边界相对所述第二边界。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，依据布局设计规则，两个有源区之间的间隔不得小于D1，而所述宏单元中，包含第一有源区以及第二有源区，其中所述第一有源区属于所述第一特定标准单元，所述第二有源区属于所述第二特定标准单元，且所述第一有源区和所述第二有源区的间隔至少为D1。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，依据布局设计规则，有源区和其所位在的单元的边界的间隔不得小于D2，且W2和2*W1的差不小于2*D2
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D1。5.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一特定标准单元以及所述第二特定标准单元皆为隔离单元。6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述宏单元包含彼此分离的第一阱、第二阱以及第...

【专利技术属性】
技术研发人员：林家弘，陈信助，邱志杰，
申请(专利权)人：英属维京群岛商烁星有限公司，
类型：新型
国别省市：