本发明专利技术提供一种光模块，其目的在于抑制特性阻抗的下降。光模块具有：光半导体元件(10)，其具有半导体激光器(12)的阳极电极(16)、光调节器(14)的阳极电极(18)以及在半导体激光器及光调节器中共通的阴极电极(20)；旁通电容器(22)，其具有下电极(24)以及上电极(26)且并联连接于半导体激光器；电介质基板(28)，其具有上表面及下表面，光半导体元件以及旁通电容器表面安装在上表面，在上表面具有接合阴极电极以及下电极的导体图案(30)；支撑电介质基板的下表面的导体块(58)。旁通电容器的下电极包括与电介质基板的上表面重合的重合区域(36)、从电介质基板的上表面突出的悬垂区域(38)。电介质基板的上表面突出的悬垂区域(38)。电介质基板的上表面突出的悬垂区域(38)。
【技术实现步骤摘要】
光模块
[0001]本专利技术涉及光模块。
技术介绍
[0002]在光模块中不仅要求高速化还要求低消耗电力化。在50Gbit/s级的高速动作中适用电场吸收型调节器集聚激光器(EML)。EML是集聚有激光二极管(LD)与电场吸收型(EA)调节器的光半导体元件，LD以及EA调节器共有阴极电极(专利文献1)。若为了低消耗电力化而用差动信号驱动EML，则由于调节电信号从阴极电极流入LD，因此波形品质劣化。为了防止该情况，在LD的阳极与阴极之间连接有旁通电容器。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献1：日本特开2019
‑
134056号公报
[0005]为了适用表面安装并在基板上安装旁通电容器，必须扩大配线图案的面积，因此特性阻抗下降而波形品质下降。
技术实现思路
[0006]本专利技术的目的在于抑制特性阻抗的下降。
[0007](1)本专利技术的光模块的特征在于，具有：光半导体元件，其集聚有半导体激光器以及光调节器，具有上述半导体激光器的阳极电极、上述光调节器的阳极电极、以及在上述半导体激光器及上述光调节器中共通的阴极电极；旁通电容器，其具有下电极及上电极且并联连接于上述半导体激光器；电介质基板，其具有上表面以及下表面，上述光半导体元件以及上述旁通电容器表面安装在上述上表面上，且在上述上表面具有接合有上述阴极电极以及上述下电极的导体图案；以及导体块，其支撑上述电介质基板的上述下表面，上述旁通电容器的上述下电极包括与上述电介质基板的上述上表面重合的重合区域和从上述电介质基板的上述上表面突出的悬垂区域。
[0008]根据本专利技术，电介质基板未介于旁通电容器的下电极的悬垂区域与导体块之间。因此，寄生电容变小，能够抑制特性阻抗的下降。
[0009](2)根据(1)所述的光模块，其特征在于，上述导体图案包括与上述阴极电极接合的结合部和在从上述结合部向上述旁通电容器的方向延伸且至少局部与上述下电极重合的延长部，上述延长部的位于上述下电极的外侧的部分的面积比上述下电极的上述悬垂区域的面积小。
[0010](3)根据(2)所述的光模块，其特征在于，上述延长部包括与上述重合区域接合的垫片、连接上述结合部和上述垫片的线。
[0011](4)根据(2)或(3)所述的光模块，其特征在于，还具有介于上述下电极的上述重合区域与上述导体图案的上述延长部之间且电连接上述重合区域和上述延长部的衬垫。
[0012](5)本专利技术的光模块的特征在于，具有：光半导体元件，其集聚有半导体激光器以及光调节器，具有上述半导体激光器的阳极电极、上述光调节器的阳极电极、以及在上述半
导体激光器及上述光调节器中共通的阴极电极；旁通电容器，其具有下电极及上电极且并联连接于上述半导体激光器；电介质基板，其具有上表面及下表面，上述光半导体元件及上述旁通电容器表面安装在上述上表面上，且在上述上表面具有连接上述阴极电极及上述下电极的导体图案；衬垫，其介于上述旁通电容器与上述导体图案之间，且电连接上述旁通电容器和上述导体图案；以及导体块，其支撑上述电介质基板的上述下表面，上述导体图案包括与上述阴极电极接合的结合部以及连接于上述下电极的垫片，上述下电极的面积上比上述垫片的面积大。
[0013]根据本专利技术，由于旁通电容器的下电极从导体块离开，因此寄生电容变小，能够抑制特性阻抗的下降。
[0014](6)根据(4)或(5)所述的光模块，其特征在于，上述衬垫包括绝缘基板和贯通上述绝缘基板的导电体。
[0015](7)根据(4)或(5)所述的光模块，其特征在于，上述衬垫包括在侧面具有凹部的绝缘基板和位于上述凹部的去势电极。
[0016](8)根据(7)所述的光模块，其特征在于，上述去势电极通过金锡焊料接合于上述导体图案的上述延长部。
[0017](9)根据(1)至(4)任一项所述的光模块，其特征在于，上述电介质基板的上述下表面的整体与上述导体块对置地被固定。
[0018](10)根据(1)至(4)任一项所述的光模块，其特征在于，上述电介质基板的第一部分被固定于上述导体块，上述电介质基板的第二部分从上述导体块悬垂。
[0019](11)根据(10)所述的光模块，其特征在于，上述电介质基板的上述第一部分以及上述第二部分仅在一个方向上相邻。
[0020](12)根据(10)所述的光模块，其特征在于，上述电介质基板的上述第一部分以及上述第二部分在交叉的至少两个方向上相邻。
[0021](13)根据(10)至(12)任一项所述的光模块，其特征在于，上述导体块在上表面具有第一区域以及第二区域，上述第二区域比上述第一区域低，上述电介质基板的上述第一部分被固定于上述第一区域，上述电介质基板的上述第二部分空出间隔地与上述第二区域对置。
[0022](14)根据(13)所述的光模块，其特征在于，上述下电极的上述悬垂区域不与上述第一区域对置，空出间隔地与上述第二区域对置。
[0023](15)根据(10)至(12)任一项所述的光模块，其特征在于，上述电介质基板的上述第二部分不与上述导体块对置。
[0024](16)根据(15)所述的光模块，其特征在于，上述下电极的上述悬垂区域不与上述导体块对置。
附图说明
[0025]图1是第一实施方式的光模块的立体图。
[0026]图2是表示图1所示的光组件的内部结构的立体图。
[0027]图3是图2所示的结构的局部放大侧视图。
[0028]图4是导体图案的俯视图。
[0029]图5是光模块的等价电路图。
[0030]图6是表示第二实施方式的光组件的内部结构的立体图。
[0031]图7是图6所示的衬垫的放大立体图。
[0032]图8是在变形例中使用的衬垫的立体图。
[0033]图9是用于说明变形例的接合过程的图。
[0034]图10是用于说明变形例的接合过程的图。
[0035]图11是用于说明变形例的接合过程的图。
[0036]图12是用于说明变形例的接合过程的图。
[0037]图13是表示第三实施方式的光组件的内部结构的立体图。
[0038]图14是图13所示的结构的局部放大侧视图。
[0039]图15是表示第四实施方式的光组件的内部结构的立体图。
[0040]图16是表示通过使用三维电场解析工具的模拟实验得到的频率特性的图。
[0041]图中：10—光半导体元件，12—半导体激光器，14—光调节器，16—阳极电极，18—阳极电极，20—阴极电极，22—旁通电容器，24—下电极，26—上电极，28—电介质基板，30—导体图案，32—结合部，34—焊接材料，36—重合区域，38—悬垂区域，40—延长部，42—焊接材料，44—垫片，46—线，48—第一线部，50—第二线部，52—导线棒，54—接地件，56—终端电阻器，58—导体块，60—电介质块，62—导电层，64—副导体块本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种光模块，其特征在于，具有：光半导体元件，其集聚有半导体激光器以及光调节器，具有上述半导体激光器的阳极电极、上述光调节器的阳极电极、以及在上述半导体激光器以及上述光调节器中共通的阴极电极；旁通电容器，其具有下电极以及上电极且并联连接于上述半导体激光器；电介质基板，其具有上表面以及下表面，上述光半导体元件以及上述旁通电容器表面安装在上述上表面上，在上述上表面上具有接合有上述阴极电极以及上述下电极的导体图案；以及支撑上述电介质基板的上述下表面的导体块，上述旁通电容器的上述下电极包括与上述电介质基板的上述上表面重合的重合区域、以及从上述电介质基板的上述上表面突出的悬垂区域。2.根据权利要求1所述的光模块，其特征在于，上述导体图案包括与上述阴极电极接合的结合部、在从上述结合部向上述旁通电容器的方向上延伸且至少局部地与上述下电极重合的延长部，上述延长部的位于上述下电极的外侧的部分的面积比上述下电极的上述悬垂区域的面积小。3.根据权利要求2所述的光模块，其特征在于，上述延长部包括与上述重合区域接合的垫片、以及连接上述结合部和上述垫片的线。4.根据权利要求2所述的光模块，其特征在于，还具有介于上述下电极的上述重合区域与上述导体图案的上述延长部之间且电连接上述重合区域和上述延长部的衬垫。5.根据权利要求1所述的光模块，其特征在于，上述电介质基板的上述下表面的整体与上述导体块对置地被固定。6.根据权利要求1所述的光模块，其特征在于，上述电介质基板的第一部分固定于上述导体块，上述电介质基板的第二部分从上述导体块悬垂。7.根据权利要求6所述的光模块，其特征在于，上述电介质基板的上述第一部分以及上述第二部分仅在一个方向上相邻。8.根据权利要求6所述的光模块，其特征在于，上述电介质基板的上述第一部分以及上述第二部分在交叉的至少两个方向...
【专利技术属性】
技术研发人员：野口大辅，山本宽，
申请(专利权)人：日本剑桥光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
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